Powering Your Innovation Powering Your Innovation 主要な IP (Intellectual Property) 高周波での電力変換 インテグレートされた 電源管理システム インダクタ コントローラ 磁気工学 特別に設計された即使用 可能なソリューション 完全にシミュレーション、 特性評価、検証済み システム・レベルで検証済み 電源のパッケージ化と構造 MOSFET x 2 インダクタとキャパシタの 選択作業が不要に 高周波フィルタ・ キャパシタ Enpirion の利点 システム電源デザインに関する、現在と未来の課題に対応します。 PowerSoC の比較 最高の電力密度と最小の実装面積 PowerSoC - 他のソ リューションに比べ、 25% ∼ 75% 小さい実 装面積を実現 他のディスクリート・スイッチングレギュレータやモジュールと比べて、 Point-of-load として要求されるプリント基板の面積、および高さのプロファ イルを大幅に縮小しました。 高い効率と熱のパフォーマンス 最高 96% の効率で最適化されています。高効率デバイスは工業用グレー ドで、85℃ の周囲温度でも負荷ディレーティングやエアフローは必要あり ません。 競合他社のモジュール 最少の部品点数と信頼性の向上 PowerSoC は完全な電源システムとして設計され、シミュレーション、特性 評価、製造検査されています。部品点数の削減と、綿密に制御された IC 製造プロセスにより、MTBF が 280,000 year という最高の信頼性が実現さ れています。 容易な設計と市場投入期間の短縮 競合他社のディスクリート・ レギュレータ インダクタと補償回路を内蔵した PowerSoC により、即使 用可能なデザインが実現できます。ディスクリート・スイッ チング・レギュレータと比べて、開発工数を大幅に削減する PWM コントローラ ことができます。 補償回路 完全に検証された電源ソリューション 完全に検証されたプリント基板のレイアウトと技術資料に より、ほぼ 100% の確率で初回のテストに合格できます。 BMUFSBDPKQFOQJSJPO イネーブル ゲート・ ドライブ インダクタ 詳細 低放射ノイズ Enpirion 競合製品 QSPR 22 クラス B 10m dB (µV/メータ) レベル (dBµV/m 単位) CFR 47 パート 15 クラス H 10m CISPR クラス A 10m CFR 47 パート 15 クラス B 10m CISPR クラス B 10m 周波数 (Hz 単位) 周波数 (MHz) 低リップル 高速ダイナミック応答 競合製品 Enpirion 競合製品 Enpirion 5 V 入力 5 V 入力 5 V 入力 5 V 入力 3.3 V 出力 3.3 V 出力 3.3 V 出力 3.3 V 出力 500 MHz 帯域幅 500 MHz 帯域幅 アプリケーション 装置メーカーは市場からのプレッシャーを受け、フォーム・ファクタを小型化しエネルギー効率の改善を目指しながら、 より多くの特長や機能を追加し、広帯域化を図っています。最新の 28nm および 20nm FPGA、プロセッサ、およびそ の他の SoC は、より細かく精密な電源管理を導入することで、これらの課題に対応しています。その結果、電源レール 数が増加し、パワーアップ・シーケンス要件が複雑化し、ノイズ許容値が厳しくなっています。アルテラの Enpirion® 電源 ソリューションは、電源デザインに関するこれらの課題を解決し、多くのアプリケーションで幅広く使用されています。 コンピュータ サーバーのマザーボード 企業向けストレージ NIC および HBA カード SATA、SAS、mSATA、 マイクロ・サーバー ストレージ・システム RAID コントローラ ネットワークと通信機器 無線基地局 PCI Express® (PCIe®) テスト & 計測機器 ネットワーク・アナライザ ( マクロ、ピコ、フェムト ) 自動テスト装置 (ATE) ( マイクロウェーブ、有線 ) スコープ、アナライザ、 バックホール データ収集 メディア・ゲートウェイ 信号ジェネレータ (ATCA/AMC) 産業用および組み込み 半導体ドライブ (SSD): セキュリティ・システム/ デジタル・ビデオ・レコーダ (DVR) 産業用コンピューティング 産業用通信モジュール 光ネットワーク 光モジュール:SFP、XFP、 CXP、CFP アクティブ光ケーブル 再プログラム可能な Add/ Drop 多重 BMUFSBDPKQFOQJSJPO パッ ケー ジ・ サイ ズ (ピ ン ) 0.6−VIN 0.6 2.4−5.5 0.6−VIN EP5368QI 0.6 EP5388QI 0.8 EP53A8xQI 1 EP53A7xQI EN6310QI 囲 2.4−5.5 0.6 1 1 2.4−5.5 2.4−5.5 2.4−5.5 2.4−5.5 2.4−5.5 2.7−5.5 uQFN16 0.6−VIN QFN16 0.6−VIN 0.6−VIN 0.6−VIN 0.6−VIN QFN24 2 2.4−5.5 0.6−VIN EN5337QI EN5339QI EN5365/6QI EN5367QI EN5395QI EN5396QI 3 3 6 6 9 9 6 V 入力製品 EN5311QI EN5335/6QI EN6337QI EN6347QI EN5364QI EN6360QI EN5394QI EN63A0QI 1 2.4−5.5 9 12 V 入力製品 2.4−6.6 0.6−VIN 2.4−6.6 0.6−VIN 2.4−6.6 0.6−VIN 2.4−6.6 0.6−VIN 2.4−6.6 0.6−VIN 2.4−6.6 0.6−VIN QFN24 4.5−6.6 QFN58 QFN20 EQC1240QI 4 4 0.6−1.2 1−1.8 0.6−1.2 2.9−14 2.9−14 BMUFSBDPKQFOQJSJPO NA−NA NA−NA 28 1.1 21 1.1 5 1.85 6 1.1 21 65 1.1 40 1.1 58 7 1.85 75 12 1.85 229 12 1.85 277 3 6 6 6 5 1.1 1.1 3 1.85 1.1 55 55 55 210 282 36 4 7 1.85 75 QFN68 QFN68 QFN68 4 7 1.85 1.85 8 11 8 11 1.85 8 11 11 3 3 QFN76 10 QFN36 5.5 5.5 0.9 QFN68 8 11 3 QFN68 0.60−3.3 1.1 QFN38 QFN38 0.60−3.3 4.5−14 4 ・ ・ 157 4.5−14 0.75−5.0 10 21 1.85 QFN68 1−1.8 NA 4 ・ ・ 10 0.75−5.0 8 NA 4 1.1 14 7.5 8 8 11 11 11 3 QFN16 3.3 3.3 0.9 QFN 8 11 3 QFN24 QFN24 4 4 10 4 4 190 3 3 0.75 0.75 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ 200 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ 235 ・ ・ 325 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ 200 ・ ・ ・ ・ ・ 40 ・ ・ ・ 140 125 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ 227 200 12 5.5 195 3 13 QFN54 160 200 10 QFN92 75 3 QFN76 電流検知およびモニタリング製品 EQC1241QI 3 1.1 QFN44 4.5−14 0.5−0.9 EV1380QI 4 3 12 1−1.8 5 3 10 DDR メモリ終端製品 EV1340QI 3 3 QFN58 3 EV1320QI 3 3 2.4−5.5 0.75−VIN 0.60−3.3 15 3 10 4.5−14 EN23F0QI 3 5.5 4.5−14 9 14 QFN54 4 6 1.1 2.5−5.5 0.75−VIN EN2340QI EN2390QI 0.6−VIN 2.4−5.5 0.75−3.3 8.0−13 EN2360QI 2.5 2.25 10 4 4 20 QFN58 EC2630QI EN2342QI 0.9 2.4−5.5 0.75−VIN 2.4−5.5 2.4−6.6 0.6−VIN 12 1.75 2 2.5 2.25 4 4 8 QFN24 H QFN38 2.4−6.6 0.75−VIN 6 QFN16 W 2.4−5.5 0.75−VIN 3 3 QFN16 QFN24 EN5322QI 2 QFN16 0.6−VIN 0.6−VIN EN5329QI QFN16 QFN38 2.4−5.5 2.4−5.5 uQFN16 0.6−3.3 1.5 1.5 uQFN14 0.6−VIN EP53F8QI EN5319QI パッ ケー ジ V in 0.4 EP5357xUI EP5358xUI ( VD C) EP5348QI Vo 範 C) ( VD ) t(A Iou PN 5 V 入力標準製品 L (m ソリ m) ュー ショ 抵 ン 抗デ ・サ イズ VID ィバイ (m ダ VO m2 VO UT ) PO UT セ Kフ ット セッ ト ソフ ラグ ト・ スタ 高 ート 精度 をプ イ ネー 入 ログ 力同 ブル ラム クロ 期 可能 ック 並列 出力 機 スイ 能 ッチ ン 低 負荷 グ周 波 プリ モード 数を バイ (AB プロ グラ -L 過電 アス ム可 ・ス LM) 圧 保 能 ター 護 過電 トア 流 ップ 保 過 護 熱 保 護 IBC へ の 使 VD 用承 DQ 認 トラ 外部 ッキ 済み リフ ン グ マー ァ ジニ レン ス ング ・ピ ン プロダクト・セレクター・ガイド ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ EP5368QI 600mA PowerSoC ■仕様: ■特長: ・入力電圧範囲:2.4 V ∼ 5.5 V ・出力電圧範囲:0.6 V ∼ (VIN-0.4 V) ・低リップル (5 mVp-p (Typ)) ・ノイズ・センシティブ RF に対応 ・出力電圧精度:3 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・3 mm x 3 mm x 1.1 mm QFN パッケージ ・3-PIN VID 出力プログラミング ・2 つの小型 MLCC コンデンサのみ必要 ・連続出力電流:600 mA ・保護:OCP、熱、UVLO ・外部ディバイダで Comp を変更可能 ・抵抗ディバイダ・オプション 3 mm x 3 mm x 1.1 mm ・動作周波数:4 Mhz ・ソリューション・フットプリント:<24 mm2 表 1 VID 電圧選択設定 VS2 VS1 VS0 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 1 0 1 1 0 0 1 VOUT 3.3V 2.5V 1.8V 1.5V 0 1.25V 0 0.8V 1 1 ・VID ピンを動的に変更可能 ・イネーブル・ピン 1 1.2V ユーザーが選択可能 EP5388QI 800mA PowerSoC ■特長: ■仕様: ・入力電圧範囲:2.4 V ∼ 5.5 V ・出力電圧範囲:0.6 V ∼ (VIN-0.4 V) ・低リップル (5 mVp-p (Typ)) ・ノイズ・センシティブ RF に対応 ・出力電圧精度:3 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・3 mm x 3 mm x 1.1 mm QFN パッケージ ・3-PIN VID 出力プログラミング ・2 つの小型 MLCC コンデンサのみ必要 ・連続出力電流:800 mA ・保護:OCP、熱、UVLO ・外部ディバイダで Comp を変更可能 ・抵抗ディバイダ・オプション 3 mm x 3 mm x 1.1 mm ・動作周波数:4 Mhz ・ソリューション・フットプリント:<28 mm2 表 1 VID 電圧選択設定 ・VID ピンを動的に変更可能 ・イネーブル・ピン VS2 VS1 VS0 0 0 1 2.5V 1 1.5V 0 0 0 1 1 1 1 0 1 1 0 0 1 1 0 0 0 1 0 1 VOUT 3.3V 1.8V 1.25V 1.2V 0.8V ユーザーが選択可能 BMUFSBDPKQFOQJSJPO EN6310QI 1A 高効率 PowerSoC ■仕様: ・入力電圧範囲:2.7 V ∼ 5.5 V ・VOUT 範囲 :0.6 V ∼ 3.3 V ・連続出力電流:1 A ・動作周波数:2.2 MHz ・4 mm x 5 mm x 1.85 mm QFN ・ソリューション・フットプリント:65 mm2 4 mm x 5 mm x 1.85 mm ・高精度出力: 項目 条件 初期 DC 精度 VIN=5.0 V または 3.3 V;I_Load=100 mA;TA=25 ℃ VIN=3.3 V;0 A I_Load 1 A;-40 ℃ TA +85 ℃ VIN=5.0 V;0 A I_Load 1 A;-20 ℃ TA +85 ℃ DC 精度 VIN=5.0 V;0 A I_Load 1 A;-40 ℃ TA +85 ℃ ■特長: ・低 VOUT に最適化 ・高い変換効率 ・SERDES および IO 用に極めて低いリップル ・クラス最高の過渡応答 ・抵抗ディバイダ VOUT プログラミング ・ソフト・スタートをプログラム可能 ・シーケンシング用イネーブルおよび POK ・過電流と短絡から保護 ・熱保護:140 ℃/30 ℃ ・低入力電圧ロックアウト:2.2 V 最小 最大 単位 % +1 -1 -2 +2.25 % % +2 -2 % +2 -3 EP53F8QI 1.5 A PowerSoC ■仕様: ・入力電圧範囲:2.4 V ∼ 5.5 V ・出力電圧範囲:0.6 V ∼ (VIN-0.6 V) ・出力電圧精度:3 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・抵抗ディバイダ・プログラミング ・連続出力電流:1500 mA ・動作周波数:4 Mhz ・ソリューション・フットプリント:40 mm2 ■特長: ・低リップル ( 最小 8 mVp-p (Typ)) ・ノイズ・センシティブ RF に対応 ・3 x 3 x 1.1 mm QFN パッケージ ・高出力密度:275 mW/mm2 ・エラー・モニタリング用 POK フラグ ・保護:OCP、熱、UVLO ・イネーブル・ピン 3 mm x 3 mm x 1.1 mm EN6337QI 3 A 高効率 PowerSoC 4 mm x 7 mm x 1.85 mm BMUFSBDPKQFOQJSJPO ■仕様: ・入力電圧範囲:2.375 V ∼ 6.6 V ・出力電圧範囲:0.75 V ∼ (VIN-0.5 V) ・出力電圧精度:2 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・抵抗ディバイダ・プログラミング ・連続出力電流:3 A ・静止電流 (LLM):650 uA ・ソリューション・フットプリント: ・上面最大面積:75 mm2 ・裏面最大面積:50 mm2 ■特長: ・IBC と 互換 ・ピーク効率:95 % ・過電流保護:4.5 A (Typ) ・低入電圧ロックアウト:2.2 V ・バイアス低負荷モード (LLM) ・ソフト・スタートをプログラム可能 ・カスタマイズ可能な制御ループ ・EN6347QI 4 A と ピン互換 ・EN5337QI 3 A と準ピン互換 ・外部クロックに同期 ・イネーブル兼 POK フラグ EN6347QI 4 A 高効率 PowerSoC 4 mm x 7 mm x 1.85 mm ■仕様: ・入力電圧範囲:2.375 V ∼ 6.6 V ・出力電圧範囲:0.75 V ∼ (VIN-0.5 V) ・出力電圧精度:2 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・抵抗ディバイダ・プログラミング ・連続出力電流:4 A ・静止電流 (LLM モード ):650 uA ・ソリューション・フットプリント: ・上面最大面積:75 mm2 ・裏面最大面積:50 mm2 ■特長: ・ IBC と 互換 ・ピーク効率:95 % ・過電流保護:6 A (Typ) ・低電圧ロックアウト:2.2 V ・バイアス低負荷モード (LLM) ・ソフト・スタートをプログラム可能 ・カスタマイズ可能な制御ループ ・EN6337QI 3 A と 互換 ・EN5337QI 3 A と 準ピン互換 ・外部クロックに同期 ・イネーブル兼 POK フラグ EN6360QI 8 A 高効率 PowerSoC ■仕様: ・入力電圧範囲:2.5 V ∼ 6.6 V ・出力電圧範囲:0.6 V ∼ (VIN-0.6 V) ・出力電圧精度:2 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・抵抗ディバイダ・プログラミング ・連続出力電流:8 A ・スイッチ周波数:1.2 MHz ・ソリューション・フットプリント:190 mm2 11 mm x 8 mm x 3 mm ■特長: ・IBC と 互換 ・最大 96 % の高い効率 ・熱ディレーティングは不要 ・スイッチング周波数をプログラム可能 ・外部クロックに同期 ・高精度イネーブルしきい値 ・ソフト・スタートをプログラム可能 ・並列動作可能 ・保護:熱、OC、SC、UVLO ・ソフト・シャットダウン EN63A0QI 12 A 高効率 PowerSoC ■仕様: ・入力電圧範囲:2.5 V ∼ 6.6 V ・出力電圧範囲:0.6 V ∼ (VIN-0.6 V) ・出力電圧精度:2 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・抵抗ディバイダ・プログラミング ・連続出力電流:12 A ・スイッチ周波数:1.2 MHz ・ソリューション・フットプリント:230 mm2 11 mm x 10 mm x 3 mm ■特長: ・IBC と 互換 ・最大 96 % の高い効率 ・スイッチング周波数をプログラム可能 ・外部クロック同期可能 ・高精度イネーブルしきい値 ・ソフト・スタートをプログラム可能 ・ソフト・シャットダウン ・並列動作可能 ・保護:熱、OC、SC、UVLO ・RoHS 準拠、MSL レベル 3、リフロー:260 C BMUFSBDPKQFOQJSJPO EN2342QI 12 V/4 A PowerSoC ■仕様: ・入力電圧範囲:4.5 V ∼ 14.0 V ・出力電圧範囲:0.75 V ∼ 5 V ・出力電圧精度:2 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・抵抗ディバイダ・プログラミング ・連続出力電流:4 A ・動作温度範囲:-40 ℃ ∼ 85 ℃ ・ダイ温度範囲:-40 ℃ ∼ 125 ℃ ・ソリューション・フットプリント:200 mm2 8 mm x 11 mm x 3 mm Q) 9,1 ■特長: ・効率:94 % ・外部クロックに同期 ・ソフト・スタートをプログラム可能 ・保護:OCP、短絡、UVLO、過熱 ・EN2340QI 4 A、EN2360QI 6 A、EN2362QI 6 A と ピン互換 ・イネーブル兼 POK フラグ ・熱ディレーティングなし +) 9287 3* %703 9''% %*1' 9287 39,1 59% N +) 21 2)) (14, (1$%/( & 287 5$ &$ $9,12 +) +) $9,1 5 &$ 9)% 66 Q) 3*1' 3*1' )$'- $*1' 5)6 5&/; 5% 5&/; EN2360QI 12 V/6 A PowerSoC ■仕様: ・入力電圧範囲:4.5 V ∼ 14.0 V ・出力電圧範囲:0.75 V ∼ 5 V ・出力電圧精度:2 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・抵抗ディバイダ・プログラミング ・連続出力電流:6 A ・動作温度範囲:-40 ℃ ∼ 85 ℃ ・ダイ温度範囲:-40 ℃ ∼ 125 ℃ ・ソリューション・フットプリント: 200 mm2 ■特長: ・効率:93 % ・外部クロック同期可能 ・ソフト・スタートをプログラム可能 ・保護:OCP、短絡、UVLO、過熱 ・EN2340QI 4 A、EN2342QI 4 A とピン互換 ・イネーブル兼 POK フラグ ・制限付き熱ディレーティング 8 mm x 11 mm x 3 mm EN2390QI 12 V/9 A PowerSoC ■仕様: ・入力電圧範囲:4.5 V ∼ 14.0 V ・出力電圧範囲:0.75 V ∼ 3.3 V ・出力電圧精度:2 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・抵抗ディバイダ・プログラミング ・連続出力電流:9 A ・ソリューション・フットプリント:235 mm2 10 mm x 11 mm x 3 mm BMUFSBDPKQFOQJSJPO ■特長: ・効率:93 % ・外部クロック同期可能 ・ソフト・スタートをプログラム可能 ・周囲温度範囲:-40 ℃ ∼ 85 ℃ ・ダイ温度範囲:-40 ℃ ∼ 125 ℃ ・保護:短絡、UVLO、熱 ・イネーブル兼 POK フラグ ・並列可能 EN23F0QI 12 V/15 A PowerSoC ■仕様: ・入力電圧範囲:4.5 V ∼ 14.0 V ・出力電圧範囲:0.65 V ∼ 5 V ・出力電圧精度:2 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・抵抗ディバイダ・プログラミング ・連続出力電流:15 A ・ソリューション・フットプリント:308 mm2 ■特長: ・効率:93 % ・外部クロック同期可能 ・ソフト・スタートをプログラム可能 ・動作温度範囲:-40 ℃ ∼ 85 ℃ ・ダイ温度範囲:-40 ℃ ∼ 125 ℃ ・保護:短絡、UVLO、熱 ・イネーブル兼 POK フラグ ・並列可能 12 mm x 13 mm x 3 mm EV1320QI 2 A 高効率 DDR 終端 ■仕様: ・入 DDR2、DDR3、DDR4 対応 VTT ・VDDQ VIN 範囲:1.0 V ∼ 1.8 V ・3.3 V AVIN ・VOUT = ½ VDDQ ・VDDQ でトラック ・ソースおよびシンク能力:2 A ・ソリューション・フットプリント:40 mm2 3 mm x 3 mm x 0.55 mm ■特長: ・VTT アプリケーションに最適化 ・ピーク効率:96 % ・8 A VTT には最大 4 個のデバイスを並列 ・ソフト・スタートをプログラム可能 ・過電流および短絡保護 ・熱的過負荷保護 ・低電圧保護 ・RoHS 準拠、MSL 3、リフロー:260 C ・ソフト・シャットダウン EV1340QI 5 A 高効率 DDR 終端 10 mm x 5.5 mm x 3 mm ■仕様: ・DDR2、DD3、DD4 対応 ・VDDQ VIN 範囲:1.0 V ∼ 1.8 V ・出力電圧精度:2 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・AVIN 供給:3.3 V ・VOUT = ½ VDDQ ・VDDQ でトラック ・公称 Fsw:1.5 MHz ・ソースおよびシンク能力:5 A ・ソリューション・フットプリント:125 mm2 ■特長: ・VTT アプリケーションに最適化 ・ピーク効率:91.5 % ・プリバイアス対応 ・ソフト・スタートをプログラム可能 ・ソフト・シャットダウン ・過電流および短絡保護 ・熱的過負荷保護 ・低電圧保護 BMUFSBDPKQFOQJSJPO EV1380QI 8 A 高効率 DDR 終端 11 mm x 8 mm x 3 mm ■仕様: ・DDR2、DD3、DD4 対応 ・VDDQ VIN 範囲:1.16 V ∼ 1.65 V ・出力電圧精度:2 % ( 入力電圧、負荷、温度 ) ・AVIN 供給:3.3 V ・VOUT = ½ VDDQ ・VDDQ でトラック ・公称 Fsw:1.5 MHz ・ソースおよびシンク能力:8 A ・ソリューション・フットプリント:200 mm2 ■特長: ・VTT アプリケーションに最適化 ・ピーク効率:94 % ・並列可能 ・プリバイアス対応 ・ソフト・スタートをプログラム可能 ・ソフト・シャットダウン ・過電流および短絡保護 ・熱的過負荷保護 ・低電圧保護 EC7401QI + ET4040 40 A ソリューションの機能 EC7401QI ・2、3、または 4 フェーズ動作 ・フェーズごとに周波数を 1 MHz まで調整可能 ・差動リモート電圧検知 ・出力電圧精度 ±0.5 %(入力電圧、負荷、温度、経年) ・差動電流検知 ・各フェーズの電流バランス ・VR11 と拡張 VR10 準拠。6.25 mV /ビットで 8 ビット VID 入力 ・動的 VID テクノロジ ・0.5 V ∼ 1.6 V の Vout 範囲 ・高精度イネーブルしきい値 ・熱モニタリング ・プログラム可能な温度補償 ・過電流保護 ・過電圧保護 BMUFSBDPKQFOQJSJPO ET4040QI ・40 A の高密度モノリシック FET スイッチ ・40 A の連続動作電流 ・FPGA、プロセッサ、および DDR メモリ向けコア電圧を対象として 最適化された低デューティ・サイクル動作 ・最大 1 MHz の動作周波数で高い効率 ・50 ∼ 75 % 低いインダクタンスと低容量出力コンデンサを実現 ・500 KHz で 95 % のピーク効率 (1.8 Vout、10 A) ・POSCAP や電解コンデンサは不要 ・上面ヒートシンク取り付け可能 ED8106N0xQI + ET4040 40 A ソリューション仕様/機能 ET4040QI ・デジタル単相 PWM コントローラ ・デジタル制御ループをプログラム可能 ・ET4040 での使用に最適化してプリプログラム済み ・5.0 V または 3.3 V 単一電源で動作 ・Stratix® V、Stratix 10、および Arria® 10 コア条件に対応 ・最小のフットプリントで最大の電力密度 ・デジタル制御ループで過渡応答と安定した定常状態を保証 ・プリバイアス・スタートアップをサポート ・保護機能: ・過電流保護 ・過電圧保護 (Vin、Vout) ・低電圧保護 (Vin、Vout) ・過負荷でのスタートアップ ・障害状況での連続リトライ 「ヒカッ ( プ」) モード ,6 ( 1 76 ( 1 3:0 5( ), 1 (' ・40 A の高密度モノリシック FET スイッチ ・FPGA、プロセッサ、および DDR メモリ向けコア電圧を対象として 最適化された低デューティ・サイクル動作 ・最大 1 MHz の動作周波数で維持される高い効率 ・50 ∼ 75 % 低いインダクタンスと低容量出力コンデンサを実現 ・500 KHz で 95 % のピーク効率 (1.8 Vout、10 A) ・40 A の連続動作電流 ・POSCAP や電解コンデンサは不要 ・インダクタ DCR センシングを必要としない電流検知 ・上面ヒートシンク取り付け可能 ED8106N0xQI 2)) 9,1 &,1 3*1' 9 9&&B*' (7$ 9± 9 ,1'8&725 9287 6: &287 3*1' 3*1' 9 9&& 9&&B*1' 3+$6( %227 BMUFSBDPKQFOQJSJPO 400 mA 2x1.75 mm 600 mA 600 ∼1500 mA 2.5x2.25 mm 3x3 mm 1.5∼3 A 6x4 mm 3∼4 A 7x4 mm 電源ソリューションで最小の実装面積 4∼9 A 11x8 mm 9∼12 A 10x11 mm 15 A 13x12 mm (パッケージ・サイズは実寸大) Enpirion サイト:www.altera.co.jp/enpirion 〒163-1332 東京都新宿区西新宿6-5-1 新宿アイランドタワー32F 私書箱1594号 TEL. 03-3340-9480 FAX. 03-3340-9487 www.altera.co.jp E-mail: japan@altera.com Altera Corporation 101 Innovation Drive, San Jose, CA 95134 USA www.altera.com 本資料に掲載されている内容は、製品の仕様の変更等により予告なく変更される可能性があります。最新の情報はアルテラ・ウェブサイトをご参照ください。 ©2014 Altera Corporation. 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