秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 放射線(α線、β線、γ線)測定器 H26リストNo 1 <仕様・品質等> TCS-362,TCS-172B,ICS-323C <製造元> 日立アロカメディカル(株) <用途等> 設備分類: 環境公害対策 固体物質表面、液体表面から放出される放射線(α線、β線、 γ線)を測定する機器 <詳細仕様> ①電離箱検出器(ICS-323C) 0.3μSv/hから300mSv/h ②アルファ線測定(TCS-362) 1.0cpmから100Kcpm ③シンチレーション検出器(TCS-172B) <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 23 年度 1cpsから30kcps ④α、β、γ線測定(TCS-362,TCS-172B) <設置場所> 1.0cpmから999kcpm 本館 管理棟2F:技術イノベ部 ⑤空間線量測定(TCS-172B) <主担当> 遠田 幸生 内線 582 0.1μSv/hから30μSv/h 素形材プロセス開発部 環境・エネルギーGr 内線 <副担当> <名称等> ガウスメータ H26リストNo <仕様・品質等> 9903 <製造元> ベル <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 磁場の精密測定 <詳細仕様> 読み値に対する精度±0.07%(dc)、±3.6%(ac) <使用料>940 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟1F:金属試験室 丹 健二 電子光応用開発部 <副担当> 4 年度 伊勢 和幸 内線 543 電子・通信Gr 内線 590(245) 2 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> シグナルジェネレータ H26リストNo 3 <仕様・品質等> E4426B <製造元> アジレントテクノロジー <用途等> 設備分類: エレクトロニクス技術 高周波電気信号発生装置 <詳細仕様> 周波数範囲:250 kHz~4 GHz、周波数分解能:0.01 Hz <使用料>110 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 14 年度 A棟1F:金属試験室 丹 健二 電子光応用開発部 内線 543 電子・通信Gr 内線 <副担当> <名称等> 低雑音振幅器 H26リストNo <仕様・品質等> NSP2000-P <製造元> MITEQ <用途等> 設備分類: エレクトロニクス技術 微弱電気信号の増幅 <詳細仕様> 対応周波数:0.1から20 GHz、利得:30 dB、1dBコンプ レッション、20 dBm、雑音指数:8 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟1F:金属試験室 丹 健二 電子光応用開発部 <副担当> 17 年度 内線 543 電子・通信Gr 内線 4 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> ローパスフィルタ H26リストNo 5 <仕様・品質等> NF 3660 <製造元> エヌエフ回路設計ブロック <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 高周波の不要雑音の除去 <詳細仕様> 遮断周波数の可変範囲:1MHzから100MHz 減衰傾度48dB/oct 入力アンプ利得:1,2,5,10倍切換え可 <使用料>430 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 4 年度 A棟1F:金属試験室 丹 健二 電子光応用開発部 内線 543 電子・通信Gr 内線 <副担当> <名称等> フォトレシーバ H26リストNo 6 <仕様・品質等> 1544-B-50 <製造元> NewFocus <用途等> 設備分類: エレクトロニクス技術 高速に変動する光信号の変動を高い効率で電気信号に変換 するために使用 <詳細仕様> ・対応波長:800-1650nm ・3dB帯域幅:DC-12GHz(typ.) <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟1F:金属試験室 丹 健二 電子光応用開発部 <副担当> 22 年度 内線 543 電子・通信Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 電源ノイズ測定器 H26リストNo 7 <仕様・品質等> MDo4104-6 <製造元> (株)TFF(テクトロニクス) <用途等> 設備分類: 評価技術(製品性能など) 電源の電圧および電流波形、高周波ノイズ特性、制御ロ ジック波形を同時に計測 <詳細仕様> 同一時間軸でアナログ・デジタル・スペクトラム計測が一 意に可能 ・アナログ周波数帯域:1GHz ・アナログチャネル数:4 ・アナログサンプルレート:5GS/s <使用料>250 (円/時間) <導入年度>平成 23 年度 ・レコード長(ポイント):20M ・デジタルチャネル数: 16 <設置場所> ・RF入力数: 1 本館 A棟1F:全光束測定室 ・RF周波数レンジ: 50kHz - 6GHz <主担当> 佐々木 大三 内線 505 電子光応用開発部 電子・通信Gr 内線 <副担当> <名称等> 精密騒音計 H26リストNo <仕様・品質等> NL-52 <製造元> リオン(株) <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 計量法精密騒音計JIS C 1509-1:2005 クラス 1に適合し た精密騒音計。 <詳細仕様> ・計量法精密騒音計JIS C 1509-1:2005 クラス 1に適合 ・1/1オクターブ,1/3オクターブ実時間分析プログラム実 装 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟1F:全光束測定室 内田 勝 電子光応用開発部 <副担当> 25 年度 内線 *204 オプトエレクトロニクスGr 内線 8 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 全光束測定システム H26リストNo 9 <仕様・品質等> OP-FLUX-76-CA <製造元> オーシャンフォトニクス <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) LED等の照明用器具等が全方向に発する光の強さを表す尺 度である全光束を評価・測定する装置 40W直管型(1200mm長)の評価も可能 <使用料>2350 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> ・全光束の感度:1から45,000( lm)を含む ・積分球内径:1920mm(76inch) ・積分球内面反射率:97%以上(360nmから830nm) ・分光器の分解能(半値全幅):2.54nm以下 ・分光器の測定波長:360nmから1050nm(校正範囲) 23 年度 ・全光束のVλ測定:JIS7801準拠のVλ測定が可能 ・評価項目:全光束、分光放射束、色温度、演色評価数、 色度座標、発光効率、消費電力など A棟1F:全光束測定室 梁瀬 智 電子光応用開発部 内線 *200 オプトエレクトロニクスGr ・NIST準拠分光放射測定用校正光源およびJISトレース全 光束標準電球による校正 内線 <副担当> <名称等> CNC3次元測定機 H26リストNo <仕様・品質等> PRISMO <製造元> カールツァイス(株) <用途等> 5 10 HTG−S 設備分類: 計測技術(形状寸法など) プローブを測定ワークに接触させて、機械部品の形状寸 法、幾何偏差等を3次元の座標値として出力して測定・評 価を行う装置です。 <使用料>460 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟1F:精密測定室 加藤 勝 素形材プロセス開発部 <副担当> 内線 <詳細仕様> 測定範囲 : 700×900×450 mm 被測定物最大質量 : 1200kg 測定精度 : 空間の測定精度 ±(2.7+L/250) μm L:任意距離 7 年度 測定スケール: ガラス、セラミックス 分解能 0.5μm プローブ径 : φ2からφ8 mm 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 輪郭形状測定機 H26リストNo 11 <仕様・品質等> SVC-638S <製造元> (株)ミツトヨ <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 機械部品等の輪郭形状(高さ、幅、段差、半径、直径)の 測定、評価を行う装置です。 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> コントレーサ仕様 ・測定範囲 : X軸200mm Z軸±25mm ・X軸指示精度: ±(1+2L/100)μm (L:測定長さmm) 9 年度 ・Z軸指示精度: ±2μm A棟1F:精密測定室 加藤 勝 素形材プロセス開発部 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> 真円度測定機 H26リストNo 12 <仕様・品質等> タリロンド262型 <製造元> ランクテーラーホブソン <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 円柱、円筒部品等の真円度、円筒度、真直度、平面度等の 幾何偏差を測定・評価する装置です。 <詳細仕様> 測定範囲 : 最大測定径 350 mm 最大測定高さ 500 mm 最大積載荷重: 50 kg 分解能 : 0.060μm / ±1.0 mm 0.012μm / ±0.2 mm <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟1F:精密測定室 加藤 勝 素形材プロセス開発部 <副担当> 8 年度 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> CNC万能測定顕微鏡 H26リストNo 13 <仕様・品質等> VM-250型 <製造元> (株)ニコン <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 精密プレス部品、集積回路等の薄物を対象とした寸法測定 装置です。透過光や落射光を当て、エッジ部の濃淡を検出 して測定します。ティーチング機能による自動測定も可能 です。 <詳細仕様> 測定範囲 : 250×200×150 mm 測定精度 : X、Y軸 (3.5+L/250)μm Z軸 (3.0+L/50)μm <使用料>550 <設置場所> 本館 <主担当> 8 年度 視野 : 10×8から1×0.8 mm (円/時間) <導入年度>平成 最大積載重量: 10kg A棟1F:精密測定室 加藤 勝 素形材プロセス開発部 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr その他 : レーザオートフォーカス CNC機能付き 内線 <副担当> <名称等> CNC三次元測定機用データ処理装置 H26リストNo 14 <仕様・品質等> Calypsoシステム <製造元> (株)東京精密 <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) CNC三次元測定機本体の制御及び測定データの演算処 理や解析、データの保存及びプリンタへの出力などを行う 制御処理装置です。 <詳細仕様> Calypsoシステム 自由曲面測定ソフト:HOROS CADデータ読み込み Pro Engineer用ダイレクトインターフェイス <使用料>830 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟1F:精密測定室 加藤 勝 素形材プロセス開発部 <副担当> 18 年度 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 超高倍率3次元複合顕微鏡 H26リストNo 15 <仕様・品質等> ナノサーチ顕微鏡SFT~3500ほか <製造元> 島津製作所 <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) レーザー顕微鏡とSPM顕微鏡が一体となった顕微鏡です。 ミリメートルオーダーからナノメートルオーダーの形状測 定、粗さ測定が非接触で可能です。 <使用料>1,650 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> 走査型レーザ顕微鏡機能 水平方向分解能:150nm以下 高さ方向分解能: 10nm以下 走査型プローブ顕微鏡機能 水平方向分解能: 10nm以下 17 年度 高さ方向分解能: 1nm以下 A棟1F:精密測定室 加藤 勝 素形材プロセス開発部 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> 非接触形状測定顕微鏡 H26リストNo 16 <仕様・品質等> VK~9500 <製造元> キーエンス <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 非接触で表面形状や表面粗さを測定するレーザー顕微鏡で す。ピンホール共焦点方式により、画面全体にピントが 合った画像が得られ、3D表示や断面形状が測定できま す。 <詳細仕様> 高さ方向分解能:±0.01μm 最高レンズ観察倍率:3000倍 1画面最大測定範囲:1.2×1.5mm ワーク高さ:100mmまで <使用料>1000 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟1F:精密測定室 加藤 勝 素形材プロセス開発部 <副担当> 15 年度 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 表面粗さ測定機 H26リストNo 17 <仕様・品質等> サーフコム3000A-3DF-DX-S <製造元> ㈱東京精密 <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) スタイラスと呼ばれる測定子をワークに接触させて、ワー クの表面粗さや輪郭形状を測定する装置です。 <詳細仕様> 最大測定長さ:200mm Z方向分解能:±0.01μm Zレンジ:±12mm <使用料>110 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 13 年度 A棟1F:精密測定室 加藤 勝 素形材プロセス開発部 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> 超高精度三次元測定器 H26リストNo 18 <仕様・品質等> UA3P-300 <製造元> Panasonic <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 低いプローブ接触測定力にて被測定物を破壊することなく 曲面の形状を高精度に測定する装置 <詳細仕様> ・測定範囲(X×Y×Z):25×25×10mm以内 ・三次元形状測定、三次元MAP表示が可能 ・測定荷重:接触力が0.25mN以下 ・Z軸繰り返し測定精度:50nm ・測定最大傾斜角度:70度以上 <使用料>2,900 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟1F:精密測定室 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 <副担当> 20 年度 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 非接触式表面性状評価装置 H26リストNo 19 <仕様・品質等> NewView6300 <製造元> Zygo <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 非接触での試料表面の粗さ、形状測定 <詳細仕様> 測手原理:走査型白色干渉法(SWLI+FDA) 垂直分解能:0.1nm 垂直測定範囲:1nmから15mm 測定視野:0.07×0.05から(測定レンズ依存) 対物レンズ:×2.5、×10、×50 <使用料>1150 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 19 年度 A棟1F:精密測定室 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> 非接触式フィゾー干渉計 H26リストNo <仕様・品質等> GPI XP/D <製造元> Zygo <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) ガラス、金属などの反射面の平坦度、球面測定などの 形状測定 <詳細仕様> 測定原理:移送シフト干渉法 He-Neガスレーザー632.8nm ビーム口径:4インチ 焦点合致範囲:-800から+1600mm(出射口より) <使用料>570 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟1F:精密測定室 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 <副担当> 19 年度 中村 竜太 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 278 20 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 4インチ光学原器 H26リストNo 21 <仕様・品質等> TS f/0.65, f/1.5, f/3.3 <製造元> Zygo <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) フィゾー型干渉計(ZYGO社製GPI-XP/D)と組み合わせて球 面形状の表面性状を計測するために使用 <詳細仕様> ・TS f/0.65(4inch) ・TS f/1.5 (4inch) ・TS f/3.3(4inch) <使用料>300 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> ○面精度が横型使用時において有効(φ102mm)内のPVに 21 年度 てλ/20(λ=632.8nm)以下が保証 ○0.1~40%の反射率に対応 A棟1F:精密測定室 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> フィゾー干渉計用球面測定ジグ H26リストNo 22 <仕様・品質等> フィゾー干渉計用球面測定ジグ <製造元> ZYGO <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) フィゾー型干渉計(ZYGO社製GPI-XP/D)と組み合わせて、 球面形状の測定を可能にする治具 <使用料>130 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟1F:精密測定室 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 <副担当> <詳細仕様> ○五軸マウント機構: ・φ90mm以下の被測定物をマウント ・被測定物の位置をXYZ軸及び二軸の傾きが調整可能 ○曲率半径測定機能: ・ガイドレールに沿って移動するマウント機構の移動量を 23 年度 表示分解能1μm以下、測長可能距離1m以上で測定可能 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 倒立型金属顕微鏡 H26リストNo 23 <仕様・品質等> PM-63-614U <製造元> オリンパス光学工業 <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 明視野、暗視野、簡易偏光および微分干渉観察が可能で す。また、ユバーバーサル照明、ズーム変倍機構の高機 能・多機能の搭載、並びにマルチチューブによるTV観 察、画像解析にも可能です。 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> 観察法:明視野、暗視野、簡易偏光、微分干渉 観察倍率:50,100,200,400,1000倍 中間倍率:ズーム比1から2 マクロ観察:4から16倍 TV観察:可能 8 年度 写真撮影:全自動(35mmカメラ、ポラロイドカメラ) 装置寸法:幅360×縦697×高さ432mm A棟1F:精密測定室 内田 富士夫 内線 素形材プロセス開発部 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> 画像解析システム H26リストNo 24 <仕様・品質等> ルーゼックF <製造元> 株式会社ニレコ <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 画像解析により金属中の非金属介在物及び結晶粒度を測 定・評価するシステム <詳細仕様> ・JIS及びASTM規格に準拠した非金属介在物の測定が可能 ・JIS及びASTM規格に準拠した結晶粒度の測定が可能 ・オートステージ・オートフォーカス X,Y各30mm <使用料>800 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟1F:精密測定室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 <副担当> 12 年度 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> X線CT画像解析装置 H26リストNo 25 <仕様・品質等> TXS225-ACTIS <製造元> テスコ(株) <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 調査対象の内部構造をX線により撮影し、3Dデジタル データ化する産業用X線CT装置。 <詳細仕様> X線管電圧:225kV X線管電流:1mA CCDカメラ解像度:130万画素 焦点寸法:5μm <使用料>1500 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 18 年度 A棟1F:精密造形室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 <副担当> 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <名称等> 高精度3次元プロッターシステム <製造元> OBJET H26リストNo 26 <仕様・品質等> CONNEX500 <用途等> 設備分類: 加工技術(素形材成形) 短時間に高精度に航空機・自動車関連部品の試作並びにア センブリ部品等の試作製作が可能 <詳細仕様> ①造形方式:インクジェットプリンタ方式(二次硬化無 し) ②造形可能サイズ:X360mm×Y360mm×Z180mm以上 ③造形ピッチ:16μm以下で造形可能 ④サポート設計:造形物のサポートは自動設計画 <使用料>7,200 (円/時間) <導入年度>平成 21 年度 ⑤インポートデータ形式:STLデータを受け取ることが可 能 <設置場所> ⑥モデル材料変更機能:モデル材料を容易に交換可能なこ 本館 A棟1F:精密造形室 と。 <主担当> 内田 富士夫 内線 563 ⑦モデル材料混合造形機能:一度の造形において2種類以 上を同時に使用可能。2種類以上の材料を混合し、造形物 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr の硬度の選択が可能 内線 <副担当> 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 鋳造CAEソフトウェア H26リストNo 27 <仕様・品質等> JSCAST <製造元> クオリカ <用途等> 設備分類: 解析技術 <詳細仕様> <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 14 年度 A棟1F:精密造形室 内田 富士夫 内線 素形材プロセス開発部 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> ナレッジシステム H26リストNo <仕様・品質等> サーバPRIMERGY F250ほか <製造元> 富士通 <用途等> <詳細仕様> <使用料>380 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟1F:精密造形室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 <副担当> 14 年度 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 設備分類: 情報処理 28 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 熱処理CAEソフトウェア H26リストNo 29 <仕様・品質等> GRANTAS <製造元> クオリカ <用途等> 設備分類: 解析技術 <詳細仕様> <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 14 年度 A棟1F:精密造形室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> 熱変形シミュレーションシステム H26リストNo 30 <仕様・品質等> simxpert <製造元> MSCソフトウェア <用途等> 設備分類: 解析技術 有限要素法による構造解析プログラムにより、線形、弾塑 性、剛塑性、大変形、非線形、破壊、熱伝導、熱と応力の 連性、電気伝導度と熱伝導の連性などの解析が可能 <詳細仕様> ネイティブCADアクセス機能により、データ変換すること なくCATIA, Pro/ENGINEER, UGS NXのCADデータを使用して 解析が可能 <使用料>1550 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟1F:精密造形室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 <副担当> 21 年度 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> ハイエンド3次元CAD/CAMシステム H26リストNo 31 <仕様・品質等> Pro/ENGINEER Wildfire 4 <製造元> PTC社 <用途等> 設備分類: 設計技術 形状データを3次元的にコンピュータ上に構築すると共 に、そのデータに基づき、NCデータを作成する装置であ る。 <詳細仕様> <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 10 年度 A棟1F:精密造形室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> 非接触三次元デジタイザー H26リストNo 32 <仕様・品質等> COMET <製造元> Steinbichler <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 非接触にて、被測定物の3次元的な外観形状を短時間で測 定できる計測装置 <使用料>1950 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟1F:精密造形室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 <副担当> <詳細仕様> ・1回のショットにおける測定範囲は、55x55x50mmから 760x760x500mm ・測定精度 つなぎ合わせを行わない1回の撮影結果について、平面度 及び平面間距離の絶対値精度と繰り返し精度が、少なくと 21 年度 もいずれかの撮影範囲で10μm以下 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 総合型金属顕微鏡 H26リストNo 33 <仕様・品質等> DSX500,DSX100 <製造元> オリンパス(株) <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 鉄系材料,樹脂,CFRP,アルミ合金,鋼板等材料等の破断 面観察、組織観察、寸法測定等の評価をするために使用 <詳細仕様> ○観察倍率:200から3000倍 ○観察方法 HDR機能、拡張焦点機能、マルチプレビュー機能、オートフォーカス機能 パノラマ撮影機能、2D・3D撮影機能、マクロマップ機能 <使用料>530 (円/時間) <導入年度>平成 ○切断法・計算法による粒度解析 <設置場所> 本館 <主担当> 25 年度 A棟1F:精密造形室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> 再資源化焼結炉 H26リストNo 34 <仕様・品質等> KS−1703型 <製造元> アドバンテック東洋(株) <用途等> 設備分類: 評価技術(製品性能など) 粘土や各種のリサイクル材料の焼成体を焼結する場合に使 用する。 <詳細仕様> 炉内の寸法は約20×20×30cmで、焼結温度は、最大16 00℃、昇温最大速度は、室温から1600℃で約1時間。 プログラム機構により各種の焼結パターンの設定が可能で ある。 <使用料>150 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟1F:再資源評価室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 <副担当> 7 年度 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 管状炉 H26リストNo 35 <仕様・品質等> MPH~6VGS <製造元> タナカテック <用途等> 設備分類: 加工技術(鋳造熱処理な <詳細仕様> <使用料>520 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 15 年度 A棟1F:再資源評価室 遠田 幸生 内線 素形材プロセス開発部 582 環境・エネルギーGr 内線 <副担当> <名称等> 炭化賦活炉 H26リストNo <仕様・品質等> 炭化賦活炉 T-2000L <製造元> ㈱ウエーブ二十一 <用途等> 設備分類: 新・省エネルギー 有機系廃棄物を窒素、ヘリウム等の還元雰囲気で炭化 し、その後、炭酸ガス、素性機等で賦活する装置。 <詳細仕様> 温度範囲:500~1200℃ 昇温速度:1から10℃/min 使用可能ガス:ヘリウム、窒素、炭酸ガス、水蒸気 <使用料>1200 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟1F:再資源評価室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 <副担当> 16 年度 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 36 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 絶縁耐圧試験器 H26リストNo 37 <仕様・品質等> 3159 <製造元> 日置電機(株) <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) <詳細仕様> <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 14 年度 A棟2F:ユビキタス研究室 近藤 康夫 電子光応用開発部 内線 542 電子・通信Gr 内線 <副担当> <名称等> 差動プローブセット H26リストNo <仕様・品質等> P6330・P5210・TCP202 S <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) <製造元> ソニー・テクトロニクス <詳細仕様> <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 電子光応用開発部 <副担当> 14 年度 A棟2F:ユビキタス研究室 佐々木 信也 38 内線 564 電子・通信Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> ネットワークプロトコル開発ツール H26リストNo 39 <仕様・品質等> Qualnet Developer <製造元> Scalable Network Technologies, Inc. <用途等> 設備分類: 設計技術 光制御型光スイッチを動作させる通信プロトコルを開発 するためのシミュレーション及び開発ツール。 <詳細仕様> 開発ツール:OPNET MODELER シュミレーション可能なプロトコル:RIPv2,OSPFv2,BGP4 標準装備デバイスモデル:MPLS,WiFi,WiMAX <使用料>1000 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 18 年度 A棟2F:ユビキタス研究室 佐々木 信也 電子光応用開発部 内線 564 電子・通信Gr 内線 <副担当> <名称等> 光テストシステム装置 H26リストNo 40 <仕様・品質等> AQ2200 <製造元> 横河電機 <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 光スイッチの光学的特性テスト(減衰特性、波長特性、 スイッチ動作時の消光比)と実際にデータ信号を処理した 場合の誤り率テストを同時に行う装置。 <詳細仕様> レーザー光源:1310から1550nm 分解能:1300から1620nmで-100dBから+10dB 1500から1620nmで5dB以上2pm シングルモード光ファイバーに適合 ビットエラーテスト:10Gbps以上のデータ送信可 <使用料>700 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟2F:ユビキタス研究室 佐々木 信也 電子光応用開発部 <副担当> 17 年度 内線 564 電子・通信Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> ベクトルシグナルジェネレータ <製造元> アジレント H26リストNo 41 <仕様・品質等> V2920A <用途等> 設備分類: エレクトロニクス技術 通信信号と等価な信号を任意に作成する事ができる設備 <詳細仕様> ・任意波形発生周波数帯域:10MHz以上、6GHz以下の帯域 ・任意波形振幅:-130dBm以上、+10dBm以下(CW時)の振幅 ・絶対振幅確度:±0.6dB以下(10MHzから3.0GHz -110dBm から+10dBm範囲のCW時) ・アナログ変調:周波数変調、振幅変調、位相変調、パル <使用料>310 (円/時間) <導入年度>平成 21 年度 ス変調に対応し周波数帯域 1Hzから100kHz以上 ・アナログI/Q信号入出力:I/Q入力 3dBバンド幅 DCから <設置場所> 200MHz、I/Q出力 0.2dBバンド幅 DCから40MHz以上 本館 A棟2F:ユビキタス研究室 ・任意波形発生帯域幅:80MHz以上の帯域幅、64Mサンプリ <主担当> 佐々木 信也 内線 564 ング/秒以上のサンプリング波形 ・デジタル信号変調:ASK、FSK、PSK(BPSK,QPSK, 電子光応用開発部 電子・通信Gr QQPSK,8PSK)、QAM(16QAM~256QAM)の各デジタル変調信号 内線 出力 <副担当> ・GPS信号発生:1575.42MHzにおいて、標準GPSに準拠した <名称等> ミックスドシグナルオシロスコープ <製造元> 日本テクトロニクス H26リストNo 42 <仕様・品質等> MSO4104 <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 制御マイコン部(デジタル処理部)のデータ解析と高周波無 線通信前段部(アナログ処理部)の電子的波形解析を同時に 行い、回路構成の妥当性や制御ソフトウェア(組込ソフト ウェア)の妥当性を検証可能 <詳細仕様> ○アナログ計測 ・アナログ周波数帯域 DCから1GHz 以上 ・周波数帯域(1MΩ入力) DCから500MHz 以上 ・入力チャネル数 4チャンネル ・最大入力耐圧 100Vrms以上 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 20 年度 ・掃引レンジ 500ps/divから50s/div 範囲以上 ・最大レコード長 5Mポイント以上 <設置場所> ・最高サンプルレート(1ch時) 4GS/sec 以上 本館 A棟2F:ユビキタス研究室 ・分解能 8ビット以上 <主担当> 佐々木 信也 内線 564 ○デジタル計測 ・デジタルチャネル数 16チャネル以上 電子光応用開発部 電子・通信Gr ・最高デジタルサンプルレート 2GS/sec以上 内線 ・最大デジタルレコード長 2Mポイント以上 <副担当> ・最小検出パルス幅 2nsec.以下 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 計測制御ソフトウェア開発システム H26リストNo <製造元> National Instruments(株) 43 <仕様・品質等> LabVIEW 2010プロフェッショナル開発システ ム <用途等> 設備分類: 設計技術 ベクトルシグナルジェネレータV2920A(ケースレー社)を用い て、開発品の計測/テスト/制御の自動化及び取得データ処理 (数値演算や信号処理)を行うプログラミングを開発 <詳細仕様> ベクトルシグナルジェネレータV2920A(ケースレー社)を制御 可能 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 23 年度 A棟2F:ユビキタス研究室 佐々木 大三 電子光応用開発部 内線 505 電子・通信Gr 内線 <副担当> <名称等> プレシジョンパワーアナライザ H26リストNo 44 <仕様・品質等> WT3000 <製造元> 横河電機(株) <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) パワーエレクトロニクスの部品,モジュール,応用機器な どのデバイスに対して,電流,電圧,電力を時系列に高精 度で測定可能 <詳細仕様> ○電力基本確度:±0.06%以下 @ 50/60Hz ○電力測定帯域:DC, 0.1Hzから1MHz ○電圧レンジ:15,30,60,100,150,300,600,1000[V] ○電流レンジ:5m,10m,20m,50m,100m,200m,500m,1,2[A] <使用料>170 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟2F:ユビキタス研究室 佐々木 大三 電子光応用開発部 <副担当> 23 年度 内線 505 電子・通信Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 高周波3次元電磁界シュミレータ H26リストNo 45 <仕様・品質等> HFSSV・10・0 <製造元> アンソフト <用途等> 設備分類: 設計技術 高周波デバイスの寸法や材質を実物どおりにモデリング して電磁界解析を行うことにより、それらの特性を把握す るための装置。 <詳細仕様> 解析手法:有限要素法 完全自動最適メッシュ生成 CADデータの入出力 仮想EMCサイト <使用料>960 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 17 年度 A棟2F:ユビキタス研究室 丹 健二 内線 電子光応用開発部 543 電子・通信Gr 内線 <副担当> <名称等> ネットワーク・アナライザー・システム H26リストNo 48 <仕様・品質等> E8364A <製造元> アジレント・テクノロジー(株) <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 高周波回路網、高周波部品等の通過・反射電力の周波数特 性を測定する測定器 <詳細仕様> 周波数レンジ:45MHzから50GHz ポート数:2 タイムドメイン機能 TRL/TRM校正 <使用料>1250 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟2F:ユビキタス研究室 丹 健二 電子光応用開発部 <副担当> 14 年度 佐々木 大三 内線 543 電子・通信Gr 内線 505 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 摂動方式誘電率測定システム H26リストNo 49 <仕様・品質等> 摂動方式試料穴閉鎖形空洞共振器法比誘 電率・誘電正接(εr, tanδ)測定システム <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) <製造元> キーコム株式会社 高周波材料・電子デバイスの誘電率及び誘電正接をJIS 規格で定められた摂動法により計測するために、「ネット ワークアナライザシステム」に機能付加する測定用冶具装 置。 <詳細仕様> 共振器操作器 2.45GHz共振器キット 3GHz共振器キット 5GHz共振器キット <使用料>310 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 18 年度 A棟2F:ユビキタス研究室 丹 健二 電子光応用開発部 内線 543 電子・通信Gr 内線 <副担当> <名称等> ロックインアンプ H26リストNo 50 <仕様・品質等> eLockIn205/2 <製造元> Anfatec Instruments <用途等> 設備分類: エレクトロニクス技術 微弱な磁気信号を特定の周波数の電気信号に変換し、検出 する装置 <詳細仕様> 4位相ロックインアンプ <使用料>100 <設置場所> 本館 <主担当> ・周波数:1mHzから10MHz ・電圧感度 10nVから10V ・ダイナミックリザーブ135dB以上 (円/時間) <導入年度>平成 25 年度 ・位相分解能 0.001度 ・時定数0.1m秒から1k秒 ・内部発振器0.1m秒から1k秒 A棟2F:ユビキタス研究室 丹 健二 電子光応用開発部 <副担当> 内線 543 電子・通信Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 総合熱分析装置 H26リストNo 51 <仕様・品質等> EXSTAR6000 <製造元> セイコー電子工業(株) <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) 1.示差熱・熱重量同時測定 (1)試料の水分量、灰分量の分析、および融点・沸点の 決定ができます。 (2)試料の酸化、耐熱性の評価ができます。 2.示差走査熱量測定 (1)比熱、反応熱および転移熱などの定量ができます。 (2)結晶化度、反応速度、および結晶化速度などの測定 <詳細仕様> 1.示差熱・熱重量同時測定装置(TG/DTA) ・温度範囲 室温から1500℃ ・雰囲気 大気、真空(10-2Torr) 不活性ガス(Ar、N2) 2.示差走査熱量計(DSC) <使用料>870 (円/時間) <導入年度>平成 8 年度 ・温度範囲 室温から1500℃ ・雰囲気 大気、不活性ガスフロー下(Ar、N2) <設置場所> 3.熱機械測定装置(TMA) 本館 A棟2F:セラミックス研究室 ・温度範囲 -150から600℃、室温から1500℃ <主担当> 杉山 重彰 内線 553 ・雰囲気 大気、真空(10-2Torr) 不活性ガス(Ar、N2) 先端機能素子開発部 機能性材料Gr <副担当> 内線 <名称等> 電気伝導率・熱電率測定装置 <製造元> 真空理工(株) H26リストNo 52 <仕様・品質等> ZEM/PEM-1型 <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 本装置は、材料の電気伝導率σ(電気抵抗の逆数)と、物 質中で温度差がついたときに発生する起電力の大きさの指 標である熱電率(ゼーベック係数α)と、熱が電気に変換 される割合である熱電変換効率ζを測定する装置です。 <詳細仕様> 1.電気伝導率・熱電率測定部 温度範囲 室温〜1200℃ 試料温度差 20℃以下 雰囲気 真空(10-3Torr) 不活性ガス(He、Ar、N2) <使用料>1400 (円/時間) <導入年度>平成 9 年度 試料寸法 2から4mm角×10から20mm 測定方式 定常直流法、直流四端子法 <設置場所> 2.熱電変換効率測定部 本館 A棟2F:セラミックス研究室 温度範囲 室温から800℃ <主担当> 杉山 重彰 内線 553 試料温度差 最大500℃以下 雰囲気 真空(10-3Torr) 先端機能素子開発部 機能性材料Gr 不活性ガス(He、Ar、N2) 内線 試料寸法 30mm角×5から10mmおよび20mmφ×5から <副担当> 10mm 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 高温動弾性率測定装置 H26リストNo 53 <仕様・品質等> UMS-HL <製造元> 東芝タンガロイ(株) <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) 高温動弾性率測定装置は,材料のヤング率、剛性率、体積 弾性率、圧縮率、ポアソン比、ラーメパラメータ、音速異 方性係数、縦(伸縮)内耗、横(剪断)内耗、デバイ温度 などの機械的性質を示す物性値を、室温〜1500 ℃まで非 破壊で同時測定する装置である。 <詳細仕様> 1.パルサ・レシーバ部 ・発信パルス:スパイクパルス、スクエアパルス(切換) ・受信:反射法、透過法(切換) ・パルス電圧:-100から-600V(連続) ・電圧利得:から70dB <使用料>3,350 (円/時間) <導入年度>平成 10 年度 ・バンド帯域:70KHzから15MHz(-3dB) ・ハイパスフィルター:内蔵 <設置場所> ・ローパスフィルター:内蔵 本館 A棟2F:セラミックス研究室 ・出力インピーダンス:50Ω <主担当> 杉山 重彰 内線 553 ・パルス出入力コネクタ:REMO 2.A/D変換部 先端機能素子開発部 機能性材料Gr ・サンプリングタイム:100MHz 内線 ・アナログ帯域幅:DCから25MHz <副担当> ・分解能:8bits <名称等> ナノインデンター H26リストNo 54 <仕様・品質等> Model Triboscope他 <製造元> 米国Hysitron社 <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) ナノインデンターとは硬さ試験方法の一つであり、μm (マイクロメートル)以下の小さな領域の硬さ、ヤング率 などの機械的性質を測定できる。 <詳細仕様> (1) ダイヤモンド圧子:Berkovich型、Cube Corner型 ①Z軸仕様 :荷重 10mN :分解能 100nN ②X軸仕様 :荷重 <使用料>3000 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟2F:セラミックス研究室 杉山 重彰 先端機能素子開発部 <副担当> 14 年度 内線 553 機能性材料Gr 内線 2mN :分解能 3μN (2) 変位 ①Z軸仕様 :5μm :分解能 0.005nm ②X軸仕様 :±5μ :分解能 4nm (3) 押し込み荷重に対する押し込み深さを負荷開始か ら除荷までの全過程に わたって連続的に記録し、硬さと弾性率を算出します。 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 熱特性測定装置 H26リストNo 55 <仕様・品質等> LFA457-A21 MicroFlash <製造元> NETZSCH <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 金属材料、セラミック材料、プラスチック材料等の熱伝導 率、熱拡散率、比熱容量等の熱特性を測定 <使用料>1200 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> ・JIS R1611-1997 やJIS R1650-3-2002 やJIS H7801-2005 に準拠したレーザーフラッシュ法によって熱拡散率、比熱 の測定が可能 ・熱拡散率は、室温から1000℃で測定可能 ・比熱は、室温から700℃で測定可能 21 年度 ・試料サイズは、直径10mm、厚さ1から3mmの測定が可能 ・試料形状は、5mmから10mm角、厚 A棟2F:セラミックス研究室 杉山 重彰 先端機能素子開発部 内線 553 機能性材料Gr 内線 <副担当> <名称等> 熱膨張測定装置 H26リストNo <仕様・品質等> Thermo Plus 2 <製造元> 理学電機 <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 材料の熱膨張係数を正確に測定する装置である。 <詳細仕様> 測定温度:室温から1500℃ 変位測定レンジ:±0.5から±2500μm 試料サイズ:直径5mm、長さ10から20mm 測定雰囲気:不活性ガス、大気 <使用料>460 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟2F:セラミックス研究室 杉山 重彰 先端機能素子開発部 <副担当> 15 年度 内線 553 機能性材料Gr 内線 56 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 電子プローブマイクロアナライザー H26リストNo 57 <仕様・品質等> JXA-8200ほか <製造元> 日本電子㈱ <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) 試料に電子ビームを照射した時に発生する特性X線の波長 と量を測定して、定性分析と定量分析を行う装置である。 微細組織・形状の観察、付着物の検査、不純物・欠陥部の 組織、元素の分布状態や幾何学的形状などを総合的に調べ ることができる。水素・ヘリウム・リチウム・ベリリウム 以外の元素分析が可能。 <使用料>1650 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> 分析元素範囲 5Bから92U X線分光範囲 0.087から9.3nm 加速電圧 0.2~30KV 照射電流範囲 10−12から10−5A 二次電子分解能 6nm(WD11mm,30KV) 13 年度 走査倍率 ×40~300,000(WD11mm) A棟2F:電子顕微鏡室 杉山 重彰 内線 先端機能素子開発部 553 機能性材料Gr 内線 <副担当> <名称等> 走査型電子顕微鏡 H26リストNo 58 <仕様・品質等> S−2400 <製造元> (株)日立製作所 <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 電子ビームを試料に当てて試料から出てくる情報を検出 器でとらえ、CRT上に拡大像を表示する顕微鏡です。同 時に試料の組成元素は何か(定性)、どれくらいの量が 入っているか(定量)なども、電子ビームによって出てき たX線を検出して知ることができます。 <使用料>1,750 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟2F:電子顕微鏡室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 <副担当> 内線 551 複合材料Gr 内線 <詳細仕様> 1.走査電子顕微鏡観察 熱電子銃を備えた光学系で、最大4インチ径サイズまで の試料を、高分解能(4.0nm)SEM観察(写真)するこ とができます。 2.EDX分析(堀場:EMAX2770) 2 年度 高純度Si検出器(液体窒素必要)で、試料の定性分析 (NaからU)、定量分析(スタンダードレス、スタン ダード)ができます。また、各元素組成のマッピング(面 分析)、及び相分析ができます。 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 電界放射走査電子顕微鏡 H26リストNo 59 <仕様・品質等> S-4500 <製造元> 日立製作所 <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 電子ビームを試料に当てて試料から出てくる情報を検出 器でとらえ、CRT上に拡大像を表示する顕微鏡です。同 時に試料の組成元素は何か(定性)、どれくらいの量が 入っているか(定量)なども、電子ビームによって出てき たX線を検出して知ることができます。 <詳細仕様> ┌───────┬─────────────── │ 機 種│日立製作所 │項 目│S−4500 ├───────┼──────────────┬ │タイプ│セミインレンズ型 <使用料>610 (円/時間) <導入年度>平成 8 年度 ││ │電子銃│冷陰極電界放射型電子銃 <設置場所> ││バトラー形静電レンズ 本館 A棟2F:電子顕微鏡室 ││アノードヒータ組み込み <主担当> 木村 光彦 内線 551 ││ │引き出し電圧│0〜6.5KV 素形材プロセス開発部 複合材料Gr ││ 内線 │加速電圧│0.5〜30KV <副担当> ││(全範囲0.1KVステップ) <名称等> S-4500用オートステージ H26リストNo <仕様・品質等> S-8432型 <製造元> 日立製作所 <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) 単独使用することが無いため記載不要 <詳細仕様> <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟2F:電子顕微鏡室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 <副担当> 12 年度 内線 551 複合材料Gr 内線 60 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 圧縮成形機 H26リストNo <仕様・品質等> 試験用加硫プレス <製造元> 東洋精機(株) <用途等> 30ton 61 f 設備分類: 評価技術(材料特性など) 金型にプラスチック材料を充填し、加熱、圧縮して成形す る装置。主に熱硬化性樹脂の成形に用いる。 <詳細仕様> 最高温度:200℃ 圧縮圧力:30t <使用料>280 (円/時間) <導入年度>平成 S58 年度 <設置場所> 本館 A棟2F:有機化学研究室 <主担当> 工藤 素 内線 素形材プロセス開発部 583 複合材料Gr 内線 <副担当> <名称等> プラスチック衝撃試験機 H26リストNo 63 <仕様・品質等> シャルピーJIS7111 <製造元> 上島製作所 <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) ノッチ(切り欠き)付き又はノッチなしの硬質プラスチック 試験片を両持ち梁で支持し回転ハンマーで衝撃を与え破壊 させ、破壊に要するエネルギー値を測定しシャルピー衝撃 値を求め、材料の耐衝撃性、もろさ、粘り強さなどの特性 を判定する。 <詳細仕様> ハンマー振り上げ角度:150° <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 S58 年度 <設置場所> 本館 A棟2F:有機化学研究室 <主担当> 工藤 素 素形材プロセス開発部 <副担当> 内線 583 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 恒温恒湿器 H26リストNo 64 <仕様・品質等> LHU-112M <製造元> タバイエスペック(株) <用途等> 設備分類: 評価技術(製品性能など) 試料を恒温、恒湿の雰囲気下におき、状態調節やサイクル 試験を行う装置 <詳細仕様> 温度範囲:−20から85℃ 湿度範囲:40から90% 内法:W50×H60×D39cm 内容量:105リットル <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 9 年度 A棟2F:有機化学研究室 工藤 素 内線 素形材プロセス開発部 583 複合材料Gr 内線 <副担当> <名称等> プラスチック万能材料試験機 H26リストNo 65 <仕様・品質等> AG-20KNG(M1) <製造元> (株)島津製作所 <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) 主としてプラスチック材料の引張、曲げ、圧縮強度を測定 する装置。 <詳細仕様> 最大容量:20kN ロードセル:50N、1kN、20kN クロスヘッド移動速度:0.05から1000mm/mi n <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟2F:有機化学研究室 工藤 素 素形材プロセス開発部 <副担当> 10 年度 藤嶋 基 内線 583 複合材料Gr 内線 501 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 3D射出成形シミュレーションシステム H26リストNo 66 <仕様・品質等> CELSIUS W480-NTM <製造元> 富士通㈱ <用途等> 設備分類: 加工技術(素形材成形) 3D射出成形シミュレーションシステムは、プラスチック射出成形 における設計、金型製作、試作、成形にわたる全行程をシミュ レーションする装置で、製品設計、金型設計、成形条件最適化 など業務の効率化を支援します。 <使用料>1,150 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> ○3次元CADインターフェース →STEP, IGES,STLに対応 ○完全3次元解析 射出成形の全行程(充填、保圧・冷却、金型冷却、変形、 繊維配向)にわたってが可能 (円/時間) <導入年度>平成 23 年度 ○薄肉成形 2.5次元流動(厚さ方向の流動は考慮しない)2.5次 元解析が可能 A棟2F:有機化学研究室 工藤 素 内線 素形材プロセス開発部 583 複合材料Gr 内線 <副担当> <名称等> マイクロオームメータ H26リストNo 67 <仕様・品質等> 34420A <製造元> アジレント・テクノロジー(株) <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) プラスチック材料とカーボンナノチューブ等の導電性 フィラーとの複合化を行い、混錬条件と各フィラーによる 機能の一つである導電性の評価を行うための装置。 <詳細仕様> 分解能:7 1/2桁 感度:100pV/100nΩ <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟2F:有機化学研究室 工藤 素 素形材プロセス開発部 <副担当> 18 年度 内線 583 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 流動特性評価装置 (フローテスター) H26リストNo 68 <仕様・品質等> フローテスタ CFT~500D パソ コンシステム <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) <製造元> (株)島津製作所 樹脂などの流動性材料について、温度・圧力・流れ速度の 関係から流動特性を評価する装置。 <詳細仕様> 試験圧力 CFT-500D 0.4903から49.03MPa(5から500kgf/cm2) CFT-100D 0.098から9.807MPa(1から100kgf/cm2) <使用料>270 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 試験温度 14 年度 (室温+20)℃から400℃ 高温対応型は500℃まで可能 A棟2F:有機化学研究室 工藤 素 内線 素形材プロセス開発部 583 試験種類 定温試験、等速昇温試験 複合材料Gr 内線 <副担当> <名称等> 示差走査熱量計 H26リストNo 70 <仕様・品質等> X-DSC7000 <製造元> セイコーインスツルメンツ株式会社 <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) プラスチック材料等の有機化合物の相転移・融解等の熱量変 化を測定し、試料純度の評価や樹脂硬化の評価が可能 <使用料>620 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟2F:有機化学研究室 工藤 素 素形材プロセス開発部 <副担当> <詳細仕様> 測定温度範囲:-150℃以下から725℃以上 DSC測定範囲:±100mW以上 RMSノイズレベル:0.5μW以下 昇温:0.01℃/minから100℃/minでのプログラム制御 液化窒素冷却:-150℃から725℃ 23 年度 電気式冷却:-80℃から500℃ 同時装着 内線 583 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> プラスチック万能材料試験機(CFRP用) H26リストNo 71 <仕様・品質等> 5967型 <製造元> インストロン(株) <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) プラスチック材料、金属材料、複合材料等の力学特性の評 価 <詳細仕様> ロードセル:30kN、5kN、50N、、引張試験、圧縮試験、3 点曲試験 <使用料>930 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟2F:有機化学研究室 工藤 素 内線 素形材プロセス開発部 <副担当> 24 年度 583 複合材料Gr 内線 藤嶋 基 501 <名称等> メルトインテグサ H26リストNo 72 <仕様・品質等> 型式G-01 <製造元> (株)東洋精機製作所 <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) 高分子材料等の工業材料の粘性と弾性を測定し、構造解 析、分子量、分子量分布、分散状態等の材料特性を評価す る。 <詳細仕様> 試験荷重範囲:0.325から21.6kgおもり装備可 フローレート装置:100から400℃ 温度調節機構:PID制御方式 温度精度:±0.2℃ <使用料>250 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟2F:有機化学研究室 工藤 素 素形材プロセス開発部 <副担当> 25 年度 内線 583 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 真空加熱プレス装置 H26リストNo 73 <仕様・品質等> 1824型 <製造元> 井元製作所 <用途等> 設備分類: 加工技術(粉体焼結接合) <詳細仕様> 上下の基板それぞれを温度コントロールしながら、真空中 で最大340℃まで加熱可能で、加圧力10tでプレスで きる。 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 19 年度 A棟2F:有機化学研究室 杉山 重彰 内線 先端機能素子開発部 553 機能性材料Gr 内線 <副担当> <名称等> ゴム・プラスチック硬度計 H26リストNo <仕様・品質等> NO <製造元> (株)東洋精機製作所 <用途等> 62 296S型 設備分類: 評価技術(材料特性など) ゴムやプラスチックの押し込み硬さ(IRHD,デュロー メータ硬さ)を測定する装置 <詳細仕様> JIS K 7251に準拠 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 S62 年度 <設置場所> 本館 A棟2F:天秤室 <主担当> 工藤 素 素形材プロセス開発部 <副担当> 内線 583 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 電子天秤 H26リストNo 74 <仕様・品質等> MC210S <製造元> ザルトリウス(株) <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 0.01 mgの精度が必要なものの質量測定 <詳細仕様> 秤量:210g 読取限度:0.01mg <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 10 年度 A棟2F:天秤室 工藤 素 素形材プロセス開発部 内線 583 複合材料Gr 内線 <副担当> <名称等> 微小面積複屈折計 H26リストNo <仕様・品質等> KOBRA-CCD/X20P 75 <製造元> 王子計測機器㈱ <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) 受光部にCCDカメラを用いて、画素単位の微小面積で複屈 折位相差を測定し、その分布をグラフ表示にする装置。 <詳細仕様> 測定波長:590nm 650nm サンプル厚さ:10mm以下 サンプルサイズ:130mm×90mm <使用料>120 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟2F:天秤室 工藤 素 素形材プロセス開発部 <副担当> 12 年度 内線 583 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 冷却・加熱せん断流動観察システム H26リストNo 69 <仕様・品質等> 冷却・加熱せん断流動観察システム CSS -204 <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) <製造元> ジャパンハイテック株式会社 高分子溶液、液晶材料などの物質の、流れによる構造変化 などを観察・解析する装置。 試料を加熱(冷却)しながら、せん断を加え、試料の構造 変化及びせん断を停止させた後の応力緩和、構造回復等の レオロジー現象を顕微鏡観察することが可能。 <詳細仕様> 温度範囲:室温から450℃ -50から450℃ せん断速度:0.003から15000s-1 <使用料>450 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 検鏡方法:簡易偏光・位相差 16 年度 明視野観察 A棟2F:天秤室 工藤 素 内線 素形材プロセス開発部 583 複合材料Gr 内線 <副担当> <名称等> 3次元CADCAMシステム H26リストNo <仕様・品質等> CATIA V5他 76 <製造元> ダッソーシステムズ <用途等> 設備分類: 設計技術 3次元CADがCATIA V5、3次元CAMがMastercamの3次元 CAD/CAMシステムです。3次元モデリングからNCデータ の作成まで、一貫して行えます。 <詳細仕様> CAD:CATIA V5 CAM:Mastercam X5 検証ソフト:G-NAVI OS:WindowsXp 32bit版 <使用料>1600 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟2F:CAD/CAM室 加藤 勝 素形材プロセス開発部 <副担当> 19 年度 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 近赤外分光光度計 H26リストNo 77 <仕様・品質等> Spectrum One システムB <製造元> ㈱パーキンエルマージャパン <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) 主に有機物質の定性分析と定量分析に用いられ、試料に近 赤外光を照射し、その透過光や反射光のスペクトル解析を 行う。 <詳細仕様> スペクトル分解能:1,2,4,8cm~1 スペクトル波数:400~9000cm~1 <使用料>330 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 13 年度 A棟2F:高分子材料研究室 工藤 素 内線 素形材プロセス開発部 583 複合材料Gr 内線 <副担当> <名称等> 色彩色差計 H26リストNo 78 <仕様・品質等> SQ-2000 <製造元> 日本電色工業㈱ <用途等> 設備分類: 評価技術(製品性能など) 各種試料(セラミックス・ガラス、釉薬、金属、ポリ マー、絵具、紙、塗膜等)の呈する表面色の精密測定が可 能。 肉眼や色カードによる色の判別に比較して、数値での色の 評価が可能である。 <詳細仕様> JIS Z~8722準拠の8°d照明、(D)d受光 測色範囲:380nm~780nm(10nm間隔) 特徴:正反射光の受光可能、拡散反射光のみの測定可能 <使用料>290 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟2F:高分子材料研究室 工藤 素 素形材プロセス開発部 <副担当> 12 年度 内線 583 複合材料Gr 内線 出力:Lab ΔLab ΔE, L*a*b*,ΔL*a*b*,E* ,YI W WB, ΔYI ΔW ΔWB XYZ xy,反射率など 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 表面抵抗測定装置 H26リストNo 79 <仕様・品質等> 4339B <製造元> アジレント・テクノロジー(株) <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) 絶縁材料、PC ボード、コネクタ、コンデンサなどの絶縁 抵抗 を安定かつ効率的に測定できる。絶縁抵抗、体積、抵抗 率、表面抵抗率の信頼性の高い 1分値の自動測定が行え る。 <詳細仕様> テスト電圧: DC 0.1 V-1000 V 測定パラメータ 抵抗、電流、体積抵抗率、表面抵抗率 抵抗測定基本確度 0.6 % 測定速度:高速測定: 10 ms 測定範囲: 10^3 Ω~1.6 x 10^16 Ω <使用料>110 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 16 年度 A棟2F:高分子材料研究室 工藤 素 素形材プロセス開発部 <副担当> 内線 583 複合材料Gr 内線 <名称等> フーリエ変換赤外分光光度計 <製造元> 日本分光㈱ H26リストNo 80 <仕様・品質等> IRT-7000 <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) プラスチック材料、製品中の異物等、有機化合物の定性分 析 <詳細仕様> ①マクロ測定部:透過測定、ATR測定が可能 ・測定波数は、4000から400cm-1を含む波数領域 ・分解能は0.1 cm-1、S/N比は50,000:1(4 cm-1、1分積 算、2200 cm-1近傍、P-P) ・検出器は、DLaTGS型(測定可能波数10,000から350 cm-1 <使用料>820 (円/時間) <導入年度>平成 21 年度 を含む波長領域)、及びMCT型(測定可能波数10,000から 650 cm-1を含む波長領域)の2種類 <設置場所> ②顕微測定部:顕微測定部は、透過測定、反射測定、顕微 本館 A棟2F:高分子材料研究室 ATR測定、偏光測定、面分析 <主担当> 工藤 素 内線 583 ・測定波数は、4000から650 cm-1を含む波数領域 ・分解能は0.1 cm-1、S/N比は5000:1(アパーチャーサイ 素形材プロセス開発部 複合材料Gr ズ100μm×100μm、4 cm-1、1分積算、2200 cm-1近傍、P内線 P) <副担当> 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 分子配向解析装置 H26リストNo 81 <仕様・品質等> MOA-6020 <製造元> 王子計測機器㈱ <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) フィルム、シートをはじめ成型品、回路基板、紙、ゴム、 皮革などの種々分野における配向性測定、誘電物性評価な どを知ることができる。 <使用料>700 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> サンプル厚さ:1mm以下(ソリの無いこと) サンプルサイズ:15mm×15mm 35mm×35mm 測定周波数:19.0~20.0GHz 測定時間:配向パターン約60秒 誘電率パターン約40秒×9=約360秒 (円/時間) <導入年度>平成 12 年度 配向角分解能:配向パターン 1度 誘電パターン 0.1度 使用温度範囲:10から30度 A棟2F:高分子材料研究室 使用湿度範囲:30から80度 工藤 素 内線 583 素形材プロセス開発部 複合材料Gr 内線 <副担当> <名称等> 電動式塗工機 H26リストNo <仕様・品質等> YOA-B型 82 <製造元> (株)小平製作所 <用途等> 設備分類: 加工技術(素形材成形) 10から250μm程度の厚みのセラミックス及びセラミッ クス複合材料のシートを成形する装置。 <詳細仕様> 有効塗布面積:300×340mm 塗工速度:5から100mm/秒 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟2F:高分子材料研究室 杉山 重彰 先端機能素子開発部 <副担当> 18 年度 内線 553 機能性材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> セミビッカース硬度計 H26リストNo 83 <仕様・品質等> PVT-7S <製造元> マツザワ <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) セラミック材料等のビッカース硬度や破壊靭性値等の機械 的性質評価 <使用料>420 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> ・JIS R1610-2003やJIS R1607-1995のIF法に準拠したビッ カース圧子を用いた硬さと破壊靭性値の測定が可能 ・試験荷重を0.3、0.5、1、3、5、10、20kgfで切り換え可 能 ・対物レンズは5倍、10倍、20倍、50倍の4つを搭載 (円/時間) <導入年度>平成 21 年度 ・ 最小計測単位は、0.1 μmが可能なこと。 ・ 破壊靭性値は、JIS R1607の式、Evans and Charlesの 式,Evans and Davisの式,Lankfordの式,新原の式を用 A棟2F:無機材料研究室 いて自動算出 杉山 重彰 内線 553 先端機能素子開発部 機能性材料Gr 内線 <副担当> <名称等> 超硬製転動ミル用容器 H26リストNo <製造元> (株)伊藤製作所 84 <仕様・品質等> <用途等> 設備分類: 加工技術(素形材成形) 粉末焼結法における2種類以上の粉末をアルコール中で均 一に粉砕・混合するための容器 <詳細仕様> ・容量:500ml×2、1,000ml×1 ・容器の内壁:超硬製、厚みは3mm以上 ・容器の外壁:SUS304 ・超硬中のCoは15wt.%以下 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟2F:無機材料研究室 杉山 重彰 先端機能素子開発部 <副担当> 20 年度 内線 553 機能性材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 比表面積測定器 <製造元> 湯浅アイオニクス(株) H26リストNo 85 <仕様・品質等> モノソーブ <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) BET1点連続流動法により、各種固体試料の比表面積 (試料1g当たりの表面積)を測定する装置です。 試料に混合ガス(窒素30%、ヘリウム70%)を流し た状態で、液体窒素温度に冷却してサンプルに混合ガスを 吸着平衡になるまで吸着させます。次に、常温まで昇温 し、混合ガスを完全に脱着させて、その脱着ガス量(=ガ ス吸着量)を求めます。そしてガス吸着量を試料重量で割 <詳細仕様> 1.測定方式 BET1点連続流動法 2.検出部 熱伝導度検出器 3.データ出力 <使用料>340 (円/時間) <導入年度>平成 2 年度 デジタル表示、およびアナログ表示 4.測定混合ガス <設置場所> ヘリウム+窒素、クリプトン、アルゴン、一 本館 A棟2F:無機材料研究室 酸化炭素、二酸化炭素、ブタン、等 <主担当> 菅原 靖 内線 533 5.比表面積測定範囲 0.01m2/g以上 先端機能素子開発部 機能性材料Gr 6.繰り返し性 内線 ±1%以内 <副担当> 7.脱気温度 <名称等> 小型電気炉 <製造元> (株)セイシン企業 H26リストNo 86 <仕様・品質等> PART−3 <用途等> 設備分類: 加工技術(粉体焼結接合) 各種材料を酸化および還元の両雰囲気で、温度並びに時 間を正確に制御しながら加熱する装置です。 還元雰囲気は、マッフルケースを装着し、焼成室内を真 空引きした後に、窒素等でガス置換することにより得られ ます。 使用温度範囲は、通常は400から1700℃、不活性 ガス使用による還元雰囲気では400℃から1050℃で <詳細仕様> 1.使用温度範囲 通常(マッフルケース未装着時、不活性ガス 未使用時): 400から1700℃ マッフルケース装着時(不活性ガス使用持) <使用料>260 (円/時間) <導入年度>平成 2 年度 400℃から1050℃ 2.温度到達時間 <設置場所> 通常:1700℃まで約40分 本館 A棟2F:無機材料研究室 還元雰囲気:1050℃まで約30分 <主担当> 菅原 靖 内線 533 3.炉内サイズ 通常:200W×250D×200H 先端機能素子開発部 機能性材料Gr マッフルケース津薬用時: 内線 120W×200D×120H <副担当> 4.炉体:セラミックファイバー 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 低温恒温水槽 <製造元> 小松エレクトロニクス H26リストNo 87 <仕様・品質等> DW-621 <用途等> 設備分類: 評価技術(製品性能など) 本装置は、種々の液体を−5から70℃の範囲内で、任 意の温度に加熱・冷却、および保持する装置です。 通常は、加熱・冷却用媒体が入っている槽内にビーカー に入れた液体試料を設置する方法、または槽内に液体試料 を直接注入する方法により、加熱・冷却、および保持を行 います。 <詳細仕様> 1.使用温度範囲 −5から70℃ (周囲温度20℃、放熱水温20℃の時) 2.温度設定精度 ±0.5℃ <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 8 年度 3.温度制御精度 ±0.15℃ <設置場所> 4.温度分布精度 本館 A棟2F:無機材料研究室 ±0.5℃ <主担当> 菅原 靖 内線 533 5.熱交換部 水槽:材質SUS304、 先端機能素子開発部 機能性材料Gr 表面はフッ素樹脂コーティング 内線 内寸法 内径φ130×高さ200 <副担当> 放熱方式:水冷式 <名称等> 全有機体炭素計 <製造元> 島津製作所 H26リストNo 88 <仕様・品質等> TOC−5000A <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) 本装置は、各種液中(工場排水、河川、湖沼、等)に含 まれる炭素量(全炭素、無機体炭素、有機体炭素)を定量 分析する装置です。 高温に加熱された燃焼管にキャリアーガスと共に分析試 料を導入し、燃焼または分解により生じる二酸化炭素を非 分散形赤外線式ガス分析部で測定し、炭素量を求めます。 <詳細仕様> 1.測定原理 燃焼(680℃)−非分散形赤外線ガス分析 法 2.測定範囲 50ppbから4000ppm <使用料>550 (円/時間) <導入年度>平成 11 年度 3.バイアル装着数 サンプル用バイアル16本 <設置場所> 4.試料注入量 本館 A棟2F:無機材料研究室 4から250μL <主担当> 菅原 靖 内線 533 5.許容周囲温度 5から35℃ 先端機能素子開発部 機能性材料Gr 6.電源 内線 AC100V、6A <副担当> 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 原子吸光分光分析装置 H26リストNo 89 <仕様・品質等> SOLAAR M~6 <製造元> 日本ジャーレルアッシュ <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) 試料を高温中(アセチレン-空気炎中)で原子化し、そこ に光を透過して吸収スペクトルを測定することで、試料中 の元素の同定および定量を行う。 通常分析対象とするのは溶液であり、,微量元素の検出な どに用いられる。 <詳細仕様> ファーネス用(オートサンプラー付) 水素化物発生装置付 <使用料>1100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 15 年度 A棟2F:無機化学研究室 工藤 素 素形材プロセス開発部 内線 583 複合材料Gr 内線 <副担当> <名称等> 酸素・窒素分析装置 <製造元> ㈱堀場製作所 H26リストNo 90 <仕様・品質等> EMGA~620W/C <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) 鉄鋼・非鉄・電子材料中酸素、窒素を高精度に同時分析す る。ppmオーダの極微量、迅速、高精度分析が可能。 <詳細仕様> 分析原理 不活性ガス中−インパルス加熱・融解 O(酸素) : NDIR(非分散赤外線吸収法) N(窒素) : TCD(熱伝導度法) 13 年度 分析範囲 O : 0-0.1 %(m/m) <設置場所> N : 0-0.5 %(m/m) 本館 A棟2F:無機化学研究室 *受注時ppm表示指定可 <主担当> 工藤 素 内線 583 *試料重量を減らすことにより範囲拡大可 素形材プロセス開発部 複合材料Gr 試料質量 : 標準1.0g 内線 <副担当> 精度(再現性) <使用料>1,350 (円/時間) <導入年度>平成 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 炭素・硫黄分析装置 H26リストNo 91 <仕様・品質等> CS~200型 <製造元> LECO社 <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) 試料を高周波炉内で加熱燃焼させ,試料中の炭素と硫黄を それぞれCO2,SO2とに変換し,ソリッドステート型検出器 により迅速に定量を行う。 <詳細仕様> 分析対象物 鉄鋼・非鉄金属・合金鋼・その他 分析範囲 (試料1gの場合) 炭素:40ppm~3.5% 硫黄:40ppm~0.4% 分析精度 (precision) <使用料>870 (円/時間) <導入年度>平成 13 年度 炭素:2ppmまたは0.5%RSD 硫黄:2ppmまたは1.5%RSD <設置場所> いずれか大きい方 本館 A棟2F:無機化学研究室 分析時間 (通常)45秒 <主担当> 工藤 素 内線 583 検知方式 ソリッドステート型赤外線吸収法 素形材プロセス開発部 複合材料Gr 内線 <副担当> <名称等> ラマン分光光度計 H26リストNo 92 <仕様・品質等> NRS-1000/RFT-600 <製造元> 日本分光㈱ <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) 光源として単色光であるレーザー光を物質に照射して、発 生したラマン散乱光を分光器、もしくは干渉計で検出し、 ラマンスペクトルを解析する。非破壊で分子や結晶に関す る情報が得られる。 <詳細仕様> 光学配置:シングルモノクロメータ 測定可能範囲:50から8000cm-1 レーザ:グリーンレーザ(532nm励起) 検出器:液体窒素冷却CCD <使用料>1350 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟2F:無機化学研究室 工藤 素 素形材プロセス開発部 <副担当> 12 年度 内線 583 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 高周波プラズマ発光分光分析装置 H26リストNo 93 <仕様・品質等> iCAP6300 Duo <製造元> サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社 <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) 金属材料、無機材料等を化学処理した水溶液中の成分分析を 行い、製品の品質管理、環境試験、不良対策が可能 <詳細仕様> 半導体検出器:CID検出器 1ppbオーダーから%オーダーの直線性を有する検量線を用 いた定量分析 測定波長範囲:167から785nm以上波長分解能:基準波長 200nmにおける0.007nm以上 <使用料>3600 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 23 年度 A棟2F:無機化学研究室 工藤 素 素形材プロセス開発部 内線 583 複合材料Gr 内線 <副担当> <名称等> X線回折装置 H26リストNo 94 <仕様・品質等> RINT-2500 <製造元> リガク <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) 本装置は、固体物質(セラミックス、金属、鉱物、等) に波長が一定の単色エックス線を入射角度を変えながら連 続的に照射し、得られる回折ピークから固体物質の結晶構 造を解析(定性および定量)する装置です。 <詳細仕様> 1.エックス線発生部 最大定格出力:18kW 定格電圧 :20から60kV 定格電流 :10から300mA 制御方式 :インバータ制御 安定度 :入力電源変動±10%以内に対し±0.01%以内 ターゲット :Cuロータターゲット <使用料>710 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 9 年度 焦点サイズ :0.5×10mm2 防エックス線カバー:フェイルセーフ機構付、外側では2.5μSV/hr以下 2.ゴニオメータ部 A棟2F:無機化学研究室 菅原 靖 内線 533 スキャンモード :2θ/θ連動、θ、2θ単独 ゴニオメータ半径:185mm 2θ測角範囲 :3から145° 設定再現性 :1/1000° 先端機能素子開発部 機能性材料Gr スリット :DS 1/2°,1°,2°,0.05mm RS 0.15,0.3,0.6mm SS 1/2°,1°,2° <副担当> 内線 定速自動送り : 2θ/θ 0.002から100°/min 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> X線応力測定装置 H26リストNo 95 <仕様・品質等> MXP3AHP <製造元> (株)マックサイエンス <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) 試料へ異なる入射角度でX線を照射し、格子間隔の変化を 測定することにより、検査物の表層の応力を測定する装置 です。 検出器にPSPCを用いているため迅速な測定が可能で す。残留応力の測定には表面の状態が非情に影響しますの で測定目的に合わせた前処理等試料の調整が必要です。 <詳細仕様> 光学系│(右):PSPC応力専用ゴニオメーター │・X線源−試料間距離 │ 220から285mm │・試料−検出器間距離 │ 170から285mm <使用料>1,700 (円/時間) <導入年度>平成 7 年度 │・入射スリット(シングルコリメーター) │ φ=4,2,1,0.5,0.3,0.1mm <設置場所> │・2θ測角範囲 本館 A棟2F:無機化学研究室 │ 2θ=−5°から165° <主担当> 木村 光彦 内線 551 │・PSPCの2θ角度幅 │ 20°から30° 素形材プロセス開発部 複合材料Gr │・並傾法ψ0角度移動範囲 内線 │ ψ0=−50°から50° <副担当> │・側傾法ψ0角度移動範囲 <名称等> イオンプレーティング装置 H26リストNo <仕様・品質等> LC−8P型 <製造元> 日本電子(株) <用途等> <使用料>1800 A棟2F:無機化学研究室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 <副担当> 設備分類: 薄膜技術 RFイオンプレーティング装置 RFパワーを印可してガスの電離を促進し、電子銃により 蒸発源の加熱を行い、試料にバイアス電圧を印可して各種 膜を製膜する装置。 アルゴンイオンによるイオンボンバードメントやN2等反 応性のガスを用いることにより蒸発源との反応による製膜 も可能。 <詳細仕様> RFパワー:0から500W DCバイアス:0から−2kV ガス系 Ar N2 (円/時間) <導入年度>平成 S59 年度 C2H2 <設置場所> 本館 <主担当> 96 内線 551 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> スクラッチ試験機 H26リストNo 98 <仕様・品質等> TYPE.22H <製造元> 新東科学(株) <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) めっきや各種薄膜の表面をダイヤモンド圧子でスクラッ チ(引っかき)し、剥離状態(薄膜の剥離する深さやスク ラッチ距離)から母材と薄膜の密着力を測定する。 特に硬質膜の密着力測定に適しいる。 <詳細仕様> 測定荷重 0から1000gf(荷重変換器使用) 垂直荷重 0から500gf スクラッチ速度 <使用料>390 (円/時間) <導入年度>平成 6 年度 60から600mm/min 移動距離 <設置場所> 1から50mm 本館 A棟2F:無機化学研究室 試験片寸法 <主担当> 木村 光彦 内線 551 220×100×8mm以下 素形材プロセス開発部 複合材料Gr 内線 <副担当> <名称等> 微小硬さ試験機 H26リストNo <製造元> (株)フィッシャー・インストルメンツ <仕様・品質等> H~100 <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) <詳細仕様> 試験力:0.4から1000mN: 試験力精度:±0.02mN 押し込み深さ:0から700μm 押し込み深さ測定精度:±2nm 分解能:0.2nm <使用料>480 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> A棟2F:無機化学研究室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 <副担当> 14 年度 内線 551 複合材料Gr 内線 99 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 電気低温乾燥装置 H26リストNo 100 <仕様・品質等> PS-222 <製造元> 田葉井製作所 <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) 一定温度で一定時間 (タイマー機能) 試料を乾燥すること ができる。 <詳細仕様> 最高温度:約200℃ 装置 50cm×50cm×120cm <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 S57 年度 <設置場所> 本館 A棟2F:化学試験室 <主担当> 工藤 素 素形材プロセス開発部 内線 583 複合材料Gr 内線 <副担当> <名称等> 低温灰化装置 H26リストNo <仕様・品質等> PDC~210 <製造元> ヤマト化学 <用途等> 設備分類: 加工技術(素形材成形) ・高分子材料の灰化、表面処理 ・ウェハーのアッシング、エッチング ・CSP、BGA,、COB基盤のプラズマ処理 ・有機膜、金属酸化膜の除去 ・レジン基盤のドライクリーニング ・界面活性処理 <詳細仕様> 電極構造:平行平板(電極感固定) 高周波出力:MAX500W 発振周波数:13.56MHz 水晶発振 <使用料>670 (円/時間) <導入年度>平成 反応ガス:2系統(アルゴン、酸素) <設置場所> 本館 <主担当> A棟2F:化学試験室 工藤 素 素形材プロセス開発部 <副担当> 15 年度 内線 583 複合材料Gr 内線 パージガス:窒素又はドライエア 101 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 電気マッフル炉 H26リストNo 102 <仕様・品質等> FUS612PA <製造元> アドバンテック東洋 <用途等> 設備分類: 加工技術(素形材成形) ・金属材料の溶融、焼き入れ、焼きなまし ・金属の安定化処理 ・粉末金属の焼結 ・金属の脱ガス ・合金の浸炭 ・セラミックスの焼結 ・各種試料の熱処理 <詳細仕様> 温度範囲:500℃から1600℃ 常用最高温度1500℃ 温度分布精度:±5℃ at 1200℃から1500℃ 昇温時間:約15分 室温→1500℃ <使用料>350 (円/時間) <導入年度>平成 発熱体:ニケイ化 モリブデン 6本 <設置場所> 本館 <主担当> 15 年度 A棟2F:化学試験室 工藤 素 素形材プロセス開発部 <副担当> 内線 583 複合材料Gr 内線 <名称等> 精密旋盤 <製造元> 池具鉄工 H26リストNo 103 <仕様・品質等> D−20型 <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) 本装置は、丸物加工物の端面や外径、内径、中グリなどの 加工を行う汎用旋盤です。加工物を主軸にチャッキングし て回転させ、バイトやドリルなどを、刃物台や心押し台に 取り付けて切削加工します。金属材料やプラスチック材料 等の加工が可能です。 <詳細仕様> 1.容量 ・チャック外径 φ270mm ・最大加工径 φ450mm ・最大加工長さ 1000mm 2.主軸 <使用料>260 (円/時間) <導入年度>平成 S47 年度 ・回転数 16から2000rpm ・電動機 7.5Kw <設置場所> 3.刃物台 本館 B棟1F:機械加工試験室 ・移動量 X軸 300mm Z軸 1000mm <主担当> 加藤 勝 内線 573 ・切削送り量 0.056〜0.8mm/1回転 4.心押し台 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr ・移動量 700mm 内線 <副担当> 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> ドリル研削盤 H26リストNo 104 <仕様・品質等> DG36A形 <製造元> (株)藤田製作所 <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) 本装置は、穴あけ加工に用いるドリルの底刃の逃げ面を、 砥石で研削する機械です。この機械で、切れにくくなった ドリルを研削することによって、再使用が可能になりま す。 <使用料>220 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> ・使用範囲 ドリル径φ5から36mm ・研削方式 正円錐研削法 ・先端角 60゜から180゜ ・使用砥石 6号ストレートカップ形SE-46-H-8-V8WN 150×50×63.5×16Wmm (円/時間) <導入年度>平成 S55 年度 ・電動機 0.2Kw ・回転数 2890rpm B棟1F:機械加工試験室 加藤 勝 素形材プロセス開発部 <副担当> 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <名称等> NCフライス盤 <製造元> 遠州製作(株) H26リストNo <仕様・品質等> TNC <用途等> 105 6MB付 設備分類: 加工技術(機械除去など) 本装置は、主軸にフライスカッタやエンドミル、ドリルな どの工具を取り付けて回転させ、加工物の平面加工や形状 加工、穴あけ加工を行う、立て形のNC(数値制御)フラ イス盤です。NCプログラムによる動作が可能で、金属材 料やプラスチック材料等の切削加工に用います。 <詳細仕様> 機械関係仕様 1.テーブル ・作業面寸法 1400×400mm ・最大移動距離 X軸 850mm Y軸 500mm <使用料>1700 (円/時間) <導入年度>平成 S57 年度 Z軸 400mm ・送り速度 1から2000mm/min <設置場所> ・早送り速度 X、Y軸 6000mm/min 本館 B棟1F:機械加工試験室 Z軸 3000mm/min <主担当> 加藤 勝 内線 573 2.主軸 ・主軸端寸法 50番テ−パ 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr ・主軸回転数 40から2000rpm(無段) 内線 3.電動機 <副担当> ・主軸駆動用 DC 5.5Kw(30分定格) 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> NC精密成形研削盤 <製造元> (株)岡本工作機械 H26リストNo <仕様・品質等> NFG−52 <用途等> 106 6M付 設備分類: 加工技術(機械除去など) 本装置は、主軸に取り付けられた砥石により、加工物の平 面を研削加工する平面研削盤です。NC(数値制御)によ り自動運転が可能で、砥石を成形するドレッシング装置も 付属しています。金属材料やセラミックス等の平面研削加 工に用いられ、約1μmの加工面粗さを得ることができま す。 <詳細仕様> 機械関係仕様 1.容量 ・テーブルの大きさ 550×200mm ・テーブルの移動量 600×230mm ・工作物許容重量 200Kg(チャック含む) <使用料>1,650 (円/時間) <導入年度>平成 S57 年度 ・マグネットチャック寸法 350×200mm 2.テーブル <設置場所> ・左右送り速度 0.3〜25m/min 本館 B棟1F:機械加工試験室 ・左右送りハンドル1回転の送り量 47mm <主担当> 加藤 勝 内線 573 ・前後手動移動量 ハンドル車1回転毎 0.1mm ハンドル車1目盛毎 0.001mm 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr ・前後送り 手動連続送り速度 0から500mm/min 内線 自動送り速度 1から600mm/min <副担当> 自動送り量 0.001から0.5mm <名称等> 圧電型切削動力計 <製造元> 日本キスラー(株) H26リストNo 107 <仕様・品質等> 9257B <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 本装置は、フライス加工や平面研削加工において、3分力 (Fx,Fy,Fz方向)の切削抵抗や研削抵抗を測定する圧電型 の動力計です。水晶リングの圧電気効果(ある種の結晶に 機械的圧力を加えると、その表面は荷電する)を利用し て、主分力や法線分力(Fz)、送り分力(Fx)、背分力 (Fy)を同時に測定できます。動力計本体と、動力計から 得られた電荷、すなわち切削力を電圧に変換するアンプ、 <詳細仕様> 動力計本体仕様 ・測定範囲 -5から5kN ・許容過負荷 -7.5/7.5kN ・応答スレッショルド <0.01N ・感度 Fx、Fy -7.5pC/N <使用料>670 (円/時間) <導入年度>平成 2 年度 Fz -3.5pC/N ・直線性(全範囲) ≦±1%FSO <設置場所> ・ヒステリシス(全範囲) ≦±0.5%FSO 本館 B棟1F:機械加工試験室 ・クロストーク ≦±2%FSO <主担当> 加藤 勝 内線 573 ・固有振動数 3.5kHz ・使用温度範囲 0から70℃ 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr ・温度係数 -0.02%/℃ 内線 ・静電容量 220pF <副担当> ・チャージアンプ 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> コンターマシン <製造元> アマダ H26リストNo 108 <仕様・品質等> V-400 <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) 本装置は、バンドソーによって、金属材料やプラスチック 材料等の切断や輪郭加工を行う鋸盤です。バンドソーの切 れ味が悪くなった場合は、本体に付属している溶接機に よって、新しいバンドソーを溶接して使用します。 <詳細仕様> 機械本体仕様 ・切断材の大きさ 400×300mm ・鋸刃幅 2から19mm ・鋸刃長さ 3380から3578mm ・鋸刃速度 低速 15から90m/min <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 S47 年度 高速 300から1800m/min ・ホイール径 425mm <設置場所> ・テーブル寸法 600×580mm 本館 B棟1F:機械加工試験室 ・テーブル傾斜角度 左右15゜ <主担当> 加藤 勝 内線 573 ・テーブルまでの高さ 1000mm ・モータ 鋸刃駆動用 1.5kW 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr グラインダー用 75W 内線 ・テーブル積載重量 200kg <副担当> ・溶接機容量 4kVA(200V) <名称等> 直立ボール盤 <製造元> (株)吉田製作所 H26リストNo 109 <仕様・品質等> YUD600 <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) 本装置は、主軸にドリルを取り付け、加工物の穴あけ加工 を行うボール盤です。モータ出力が2.2kWと高出力で 剛性が高いため、φ50mm程度の穴あけ加工が可能で す。 <詳細仕様> 機械本体仕様 ・主軸端からテーブル上面までの距離 165から795mm ・主軸端からベース上面までの距離 995から1215mm ・穴あけ能力(S45C) 50mm ・ねじ立て能力(S45C) M25 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 S47 年度 ・中ぐり能力(FC25) 100mm ・主軸穴のテーパ MT No.4 <設置場所> ・主軸回転速度 62、83、112、150、200、270、345 本館 B棟1F:機械加工試験室 454、620、816、1083、1500rpm <主担当> 加藤 勝 内線 573 ・自動送り量 0.05、0.1、0.15、0.2、0.3、 0.4mm/rev 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr ・主軸の上下移動距離 自動180mm、手動220mm 内線 ・テーブルの大きさ φ570mm <副担当> ・テーブルの上下移動距離 410mm 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 卓上ボール盤 H26リストNo 110 <仕様・品質等> YBD-420B <製造元> 吉田鉄工所 <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) 本装置は、主軸にドリルを取り付け、加工物の穴あけ加工 を行う卓上型のボール盤です。 <詳細仕様> 機械本体仕様 ・穴あけ能力(S45C) 16mm ・振り 420mm ・主軸端とテーブル上面までの距離 MAX370mm ・主軸端とベース上面までの距離 MAX580mm <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 S46 年度 ・主軸の上下移動距離 125mm ・主軸穴のテーパ MT No.2 <設置場所> ・主軸回転速度 310、520、880、1480、2500rpm 本館 B棟1F:機械加工試験室 ・柱の直径 100mm <主担当> 加藤 勝 内線 573 ・テーブルの大きさ 270×270mm ・テーブルの上下移動距離 350mm 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr ・ベースの大きさ 340×560mm 内線 ・主軸電動機 400W <副担当> <名称等> 多軸加工用制御システム H26リストNo 111 <仕様・品質等> CAMANDmultiaxisシステム <製造元> SDRC社 <用途等> 設備分類: 設計技術 本装置は、加工物をコンピュータ内でモデリングし、その 加工物のNCデータを作成する、サーフェースモデラタイ プの3次元CAD/CAMです。5軸加工用のNCデータ の作成が可能で、工具と加工物の干渉などをチェックする 動作シミュレーション機能を有するのが特徴です。 <使用料>1,250 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> B棟1F:機械加工試験室 加藤 勝 素形材プロセス開発部 <副担当> <詳細仕様> ソフト仕様 (SDRC社製 CAMAND multi−axis package) 主な機能 ・同時5軸加工のNCデータ作成 ・動作シミュレーション 9 年度 ・汎用ポストプロセッサ 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 超精密成形形状研削盤 H26リストNo 112 <仕様・品質等> SGC-630S4AK-Pcnc <製造元> ナガセインテグレックス <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) 研削砥石を用いて、被加工物の平面並びに曲面形状を精密 に研削でき、研削加工のみで鏡面精度が得られる加工装置 です。 <詳細仕様> (1) 加工範囲とチャック寸法 ・加工可能なテーブル作業面の大きさは、左右(X) 600mm×前後(Y)300mm×上下(Z)200mm ・加工物を保持チャックは永電磁チャックであり、その寸 法は600mm×300mm、耐荷重は100kg <使用料>3600 (円/時間) <導入年度>平成 22 年度 (2) 加工精度・加工能率 ・左右(X)・前後(Y)・上下(Z)軸最小設定単位は <設置場所> 0.1μm 本館 B棟1F:機械加工試験室 ・位置決め精度に影響する各軸のフィードバックスケール <主担当> 加藤 勝 内線 573 は0.01μm (3) 加工性能 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr ・平面加工の場合、表面粗さRa0.01μm以下、Rz0.05μm以 内線 下の鏡面加工が可能 <副担当> ・非球面加工、コンタリング(輪郭)加工、同時3軸加工 <名称等> ミスト冷風供給装置 H26リストNo 113 <仕様・品質等> アイミストZELSR0401 <製造元> ㈱荏原製作所 <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) オイルミストやー20℃程度の冷風を供給しながら、切削加 工を行える装置です。 <詳細仕様> オイルミスト:植物性オイル 冷風温度:~20℃ <使用料>130 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> B棟1F:機械加工試験室 加藤 勝 素形材プロセス開発部 <副担当> 12 年度 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 油圧式強力高速弓鋸盤 H26リストNo 114 <仕様・品質等> PSB-350U <製造元> 津根マシーンツール <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) メタルソーで丸棒や角材を任意の長さに切断する油圧式の 弓鋸盤です。 <詳細仕様> ・切断能力:丸材φ350mm以下 角材□300mm以下 ・鋸刃長さ550mm以下 <使用料>280 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 12 年度 B棟1F:機械加工試験室 加藤 勝 内線 素形材プロセス開発部 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> ワイヤーカット放電加工機 H26リストNo 115 <仕様・品質等> AQ360L <製造元> (株)ソディック <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) ワイヤー電極線により、2次元形状の切断加工を行う放電 加工機です。導電材料であれば、硬くて切削できない材料 も加工可能です。 <詳細仕様> X,Y軸モータ駆動方式:リニアモータ 最大工作物寸法:550×400×200mm 最大工作物質量:350kg <使用料>990 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> B棟1F:機械加工試験室 加藤 勝 素形材プロセス開発部 <副担当> 18 年度 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> プラスチック粉砕機 H26リストNo 117 <仕様・品質等> VC3-360 <製造元> ホーライ <用途等> 設備分類: 加工技術(素形材成形) 成形時の不良品や、スプル、ランナを粉砕し、リサイクル を容易にしたり、廃プラスチックを粉砕することで省ス ペース化ができる。 <詳細仕様> K型ホッパー・受籍タイプ モーター:3.7kW 機械寸法:780mm(W)×960mm(L)×1,530mm(H) 機械重量:430kg <使用料>240 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 12 年度 B棟1F:原材料倉庫 工藤 素 内線 素形材プロセス開発部 583 複合材料Gr 内線 <副担当> <名称等> LN2サブゼロ装置 H26リストNo 118 <仕様・品質等> Ⅰ型 <製造元> (株)フロンティアエンジニアリング <用途等> 設備分類: 加工技術(鋳造熱処理な 液体窒素の冷熱(−196℃)を利用して、常温から −180℃までの任意の温度雰囲気を作り出すことができ ます。 <使用料>110 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> B棟1F:熱処理試験室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 <副担当> 内線 <詳細仕様> 扉開閉方式:上開方式 温度範囲 :常温から−150℃(max −196℃) 温度制御方式:デジタル、比例制御 温度制御精度:±5℃ 断熱方式:硬質ウレタンフォーム 7 年度 攪拌方式:プレートファン 有効内容積:縦400×横400×高さ500mm 装置寸法;縦740×横990×高さ825mm 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> エコーチップ硬さ試験機 H26リストNo 119 <仕様・品質等> D型 <製造元> プロセク社(スイス) <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) 従来の硬さ計とは、全く異なった原理(EQUO)を応用し た硬さ試験機で、コンパクトに設計され、操作が非常に簡 単で経験のない人でも容易に正しい測定ができます。 固定物、重量物、スペースの狭い場所での測定および多 量生産工程中の連続測定に最適です。 <使用料>120 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> 測定材質:鉄鋼、アルミ合金、銅合金、亜鉛合金 測定能力:80から1000HV 20から70HRC 32から100HS 80から650HB (円/時間) <導入年度>平成 S60 年度 測定精度:±0.5%(L=800) 寸法:幅112×高さ112×長さ245mm 重量:900g B棟1F:熱処理試験室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> 函型電気炉 H26リストNo 120 <仕様・品質等> バッチタイプ炭化硅素発熱体加熱式 <製造元> (株)サーマル <用途等> 設備分類: 加工技術(鋳造熱処理な 本炉は、加熱温度が1300℃まで可能なので、高速度 鋼の焼入れが可能です。また、付属のプログラム自動温度 調節計炉を利用して、加熱速度および冷却速度をを任意に 設定できます。 <詳細仕様> 電気容量:27KW 炉内寸法:幅400×高さ400×長さ700mm 使用温度:600から1300℃ 付属品:プログラム自動温度調節計(8パターン) <使用料>410 (円/時間) <導入年度>平成 S57 年度 <設置場所> 本館 B棟1F:熱処理試験室 <主担当> 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 <副担当> 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 流動層熱処理炉 H26リストNo 121 <仕様・品質等> TM-2540 <製造元> 日新化熱工業 <用途等> 設備分類: 加工技術(鋳造熱処理な 加熱媒体として、アルミナ粒子を用い、これを各種ガス によってあたかも液体のように流動させてワークを加熱・ 熱処理を行う装置です。 流動化ガスを選択することによって、多目的の熱処理が 可能です。急速加熱、後処理が容易な省エネ、低ランニン グコスト対応の熱処理装置です。 <詳細仕様> 有効寸法:直径250×高さ400mm 温度範囲:常温から1050℃ 処理重量:約30kg(グロス) 電気容量:18kw 外径寸法:幅1500×縦1150×高さ1050mm <使用料>350 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 8 年度 B棟1F:熱処理試験室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 <副担当> 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <名称等> 鋳型焼成雰囲気炉 H26リストNo 122 <仕様・品質等> EBS-9(改) <製造元> 日新化熱工業(株) <用途等> 設備分類: 加工技術(鋳造熱処理な 従来の電気炉に、空気供給装置および窒素ガス供給装置 を付帯させ、鋳型焼成ならびに無酸化熱処理を可能ににし た装置です。 さらに、付属の熱画像装置により、焼成温度等の測定が 可能です。 <詳細仕様> 加熱方式:炭化珪素発熱体加熱方式(55KVA) ワーク寸法:500×500×1000mm 最大処理量:80kg 使用温度:常用 1100℃ 制御方式:電流出力形,プログラム制御 <使用料>1300 (円/時間) <導入年度>平成 10 年度 空気供給:630Nl/min,最高吐出圧力 0.93Mpa 窒素供給: 38Nl/min,最高吐出圧力 0.49Mpa <設置場所> 熱画像測定温度範囲:−20から2000℃ 本館 B棟1F:熱処理試験室 〃 精度:±2℃ <主担当> 内田 富士夫 内線 563 素形材プロセス開発部 <副担当> 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 複合サイクル腐食試験機 H26リストNo 123 <仕様・品質等> CYP-90 <製造元> スガ試験機 <用途等> 設備分類: 評価技術(製品性能など) 塩水噴霧試験を単独で、または塩水噴霧試験、乾燥試験、 湿潤試験を組み合わせた複合サイクル腐食試験を行う装置 <詳細仕様> ①塩水噴霧モード ・温度:35~50℃ ・塩水噴霧量:80cm2あたり、1時間に1.0~2.0ml ②乾燥モード ・温度:35~60℃ <使用料>290 (円/時間) <導入年度>平成 20 年度 ・湿度:30~50%(ただし、湿度範囲は温度により異な る) <設置場所> ③湿潤モードで運転 本館 B棟1F:耐食性試験室 ・温度:35~50℃ <主担当> 菅原 靖 内線 533 ・湿度:95%以上 ④試験槽体積が200リットル以上 先端機能素子開発部 機能性材料Gr 内線 <副担当> <名称等> 冷間等方加圧成形装置 H26リストNo 124 <仕様・品質等> CIP−50−2000 <製造元> アプライドパワージャパン(株) <用途等> 設備分類: 加工技術(素形材成形) 粉末試料を水を媒体として全方向から均等に加圧成形する 装置。 <詳細仕様> 最大圧力:2000kgf/cm2 容器内有効寸法:内径50mm、高さ100mm 昇圧方式:手動式 流体:水 <使用料>310 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> B棟1F:焼結・接合研究室 杉山 重彰 先端機能素子開発部 <副担当> 内線 553 機能性材料Gr 内線 7 年度 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 多目的高温炉 H26リストNo <仕様・品質等> ハイマルチ5000 <製造元> 富士電波工業 <用途等> <使用料>1000 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 125 B棟1F:焼結・接合研究室 杉山 重彰 先端機能素子開発部 内線 553 設備分類: 加工技術(粉体焼結接合) 多目的高温炉はセラミック粉、金属粉の焼結、セラミッ クスと金属等の複合材料の開発に用いる加圧焼結装置で す。 1.粉体の焼結 金属粉、セラミックス粉の焼結、セラミックスと金属等 の複合材料の開発ができます。 2.プレス焼結 <詳細仕様> ・プレス総圧力 49,000N(5,000kgf) ・試料ケース外径寸法 φ120×110mm ・ダイス寸法 φ120×φ60×110mm ・温度 最高2300℃、通常2200℃ ・昇温時間 60分(常温から2200℃) 8 年度 ・雰囲気 真空、N2、Ar ・真空度 6.65×10-3Pa (5×10-5Torr) ・雰囲気圧力 0.95MPa(9.5kgf/cm2) ※FVPHP-R-5 機能性材料Gr 内線 <副担当> <名称等> 放電プラズマ焼結装置 H26リストNo 126 <仕様・品質等> SPS-2080 <製造元> 住友石炭鉱業(株) <用途等> 設備分類: 加工技術(粉体焼結接合) 放電プラズマ焼結装置(SPS:Spark Plasma Sintering)は、黒鉛などの型に粉を詰めて、上下から加 圧しながらパルス状の大電流(ON-OFFの繰り返し電流)を 流すことにより、従来法に比べてはるかに短時間で焼結す る装置です。 1.粉体の焼結 金属粉、セラミックス粉、それらの混合粉などを原料と <詳細仕様> ・成形加圧範囲 500kgfから20,000kgf ・直流パルス出力 0から8,000A(2から12V) ・焼結雰囲気 大気、真空(10-5Torr) 不活性ガス(Ar、N2) <使用料>5300 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> B棟1F:焼結・接合研究室 杉山 重彰 先端機能素子開発部 <副担当> 内線 553 機能性材料Gr 内線 8 年度 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 高速精密切断装置 H26リストNo 127 <仕様・品質等> ファインカットN−100 <製造元> 平和テクニカ(株) <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) 金属、セラミックス、各種部品等の切断 <詳細仕様> 金属及びセラミックス等試料の切断に用いる装置です。 バイトに固定し、最小送り目盛り0.02mmで送ること により切断をが可能です。 <使用料>710 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 4 年度 B棟1F:焼結・接合研究室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 内線 551 複合材料Gr 内線 <副担当> <名称等> マイクロフォーカスX線装置 H26リストNo 128 <仕様・品質等> HOMX−161 <製造元> 日本フィリップス(株) <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 内部の状態を非破壊で検査したい場合などに用います。最 大400倍程度まで拡大観察できるので、電子部品等の内 部検査に最適です。 <詳細仕様> 管電圧:ー160kV ターゲット:W 最小焦点寸法:5μm <使用料>1800 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> B棟1F:焼結・接合研究室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 <副担当> 内線 551 複合材料Gr 内線 5 年度 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> プレス付真空熱処理装置 H26リストNo 129 <仕様・品質等> PRESS−VAC−2 <製造元> 東京真空(株) <用途等> 設備分類: 加工技術(鋳造熱処理な 真空または不活性ガス雰囲気において、試料の高温加熱、 加圧処理に用いる装置。 <使用料>570 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> 最高加熱温度:1300℃ 有効寸法:150φ×170L 均熱部:130φ×100L 加圧力:0.4から2ton 加圧ストローク:40mm 3 年度 到達圧力:×10E−4Pa B棟1F:焼結・接合研究室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 <副担当> 内線 551 複合材料Gr 内線 <名称等> YAGレーザ加工装置 <製造元> 石川島播磨重工業 H26リストNo 130 <仕様・品質等> iLS-YC-30B <用途等> 設備分類: 加工技術(素形材成形) 固体YAG(イットリウム−アルミニウム−ガーネット) から発生する高密度の光ビーム(波長:1.06μm)熱エネ ルギーを利用した装置であり、CO2レーザと比較し、 レーザ光を光ファイバーで伝送できる、短い波長を利用し た微細加工に適している、金属への入射性に優れているな どの特徴を有している。 このような特徴を利用し、金属材料やセラミックス、ま <詳細仕様> 発振器 発振波長:1.06μm 発振横モード:マルチモード 出力範囲:700Wv3.0kW 発振形態:CW、変調パルス <使用料>6900 (円/時間) <導入年度>平成 11 年度 変調パルス周波数:5から500Hz 励起ランプ:Krアークランプ <設置場所> 光ファイバ 本館 B棟1F:焼結・接合研究室 光ファイバ径:φ1.0mm <主担当> 木村 光彦 内線 551 NA:0.2 焦点距離:f=100mm 素形材プロセス開発部 複合材料Gr ガス系 内線 Ar,He,N2、O2、Air <副担当> ステージ 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 交直両用TIG溶接機 H26リストNo 131 <仕様・品質等> AVP~3000P <製造元> (株)ダイヘン <用途等> 設備分類: 加工技術(粉体焼結接合) 溶接法 TIG(AC,DC,AC-DC) 定格入力電圧:200V,3相 定格出力電流:300A 最高無不可電圧:68V 定格使用率:40% プリフロー時間:0.3秒 アフターフロー時間:3~20秒 <詳細仕様> <使用料>730 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 13 年度 B棟1F:焼結・接合研究室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 内線 551 複合材料Gr 内線 <副担当> <名称等> 真空チャンバー H26リストNo <仕様・品質等> φ500×H250㎜(内寸)材質:S US304 <用途等> 設備分類: 加工技術(表面処理改質) <製造元> 日本精機 <詳細仕様> <使用料>280 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> <副担当> 14 年度 B棟1F:焼結・接合研究室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 132 内線 551 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 溶接部可視化装置 H26リストNo 133 <仕様・品質等> ILV型 <製造元> 石川島播磨重工業㈱ <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) <詳細仕様> <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 12 年度 B棟1F:焼結・接合研究室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 内線 551 複合材料Gr 内線 <副担当> <名称等> YAGレーザ用ロボットシステム H26リストNo <仕様・品質等> MOTOMAN~UP6型 <製造元> 安川電機株 <用途等> 設備分類: メカトロニクス技術 ◎マニュピレータ:垂直多関接形(6自由度) ・繰り返し位置決め精度:±0.08㎜ ・可搬質量:6㎏ ・振動:0.5G以下 <詳細仕様> <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> B棟1F:焼結・接合研究室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 <副担当> 13 年度 内線 551 複合材料Gr 内線 134 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 極間式磁気探傷機 H26リストNo 136 <仕様・品質等> BY-1 <製造元> 日本工機 <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) 磁粉探傷試験(金属部品等の表面の割れ、傷の検出) <詳細仕様> 磁力を用いて表面あるいは極表層の欠陥を検査する装置で す。よって検査物は磁性体でなければなりません。 磁界をかけながら調整した磁粉液を滴下し、欠陥に集まっ た磁粉を紫外線ランプを照射することにより、目視で検出 します。 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 S43 年度 <設置場所> 本館 B棟1F:MT室 UT室 <主担当> 木村 光彦 素形材プロセス開発部 内線 551 複合材料Gr 内線 <副担当> <名称等> 超音波映像装置 H26リストNo <製造元> 日立エンジニアリング・アンド・サービス 137 <仕様・品質等> FS200Ⅱ <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 本装置は、ICパッケージや電子部品およびCFRP等、 積層部材内部の剥離、クラッ ク、ボイドなどの欠陥を超 音波を用いてすばやく映像化して非破壊検査を行う装置 <詳細仕様> <使用料>1750 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> B棟1F:MT室 UT室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 <副担当> 22 年度 内線 551 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 磁気探傷機 H26リストNo 139 <仕様・品質等> PRA−80型 <製造元> (株)島津製作所 <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 磁粉探傷試験(金属部品等の表面の割れ、傷の検出) <詳細仕様> 磁力を用いて表面あるいは極表層の欠陥を検査する装置で す。よって検査物は磁性体でなければなりません。 磁界をかけながら調整した磁粉液を滴下し、欠陥に集まっ た磁粉を紫外線ランプを照射することにより、目視で検出 します。 <使用料>230 (円/時間) <導入年度>平成 S46 年度 <設置場所> 本館 B棟1F:RT室 <主担当> 木村 光彦 素形材プロセス開発部 内線 551 複合材料Gr 内線 <副担当> <名称等> 超音波探傷器 H26リストNo 135 <仕様・品質等> SM80型 <製造元> 東京計器 <用途等> 設備分類: 評価技術(製品性能など) 超音波探傷試験 通常溶接部の欠陥、鋼板の欠陥等の検査に多く用いられま す。 <詳細仕様> 検査対象物に超音波を入射して、欠陥の位置や大きさを検 査する装置。超音波を探蝕子により入射させるため、検査 対象物は平滑、平面の面が望ましい。 <使用料>500 (円/時間) <導入年度>平成 S53 年度 <設置場所> 本館 B棟1F:RT室 <主担当> 木村 光彦 素形材プロセス開発部 <副担当> 内線 551 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> X線透過検査装置 H26リストNo 140 <仕様・品質等> 300EG−B2L型 <製造元> 理学電気工業(株) <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) X線を照射することにより検査対象物内部の欠陥を検査す る装置。 検査物の下にX線フィルムを設置し、X線を照射すること により欠陥を投影することにより検査します。 欠陥の大きさが検査対象物の厚さの約2%程度が検出限界 をされています。 <詳細仕様> 管電圧:MAX300kV 管電流:5mA ターゲット:W <使用料>980 (円/時間) <導入年度>平成 S55 年度 <設置場所> 本館 B棟1F:RT室 <主担当> 木村 光彦 素形材プロセス開発部 <副担当> 内線 551 複合材料Gr 内線 <名称等> JSNDI仕様デジタル超音波探傷器 <製造元> GEインスペクション・テクノロジーズ・ジャパン H26リストNo 138 <仕様・品質等> USM35X JE <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) JIS Z 2305非破壊試験技術者資格試験の超音波探傷技術者 実技試験対応機器 <詳細仕様> ①基本性能 ・JSNDI採択機種 ・測定方式は反射/二振動子/透過が可能 ・波形選択はDC/DC+/DC-/RFが可能 ・厚さ測定が可能 <使用料>150 (円/時間) <導入年度>平成 23 年度 ・ゲインは0~110dB以上 ②装備品 <設置場所> ・垂直探触子を装備 本館 B棟1F:RT室 ・斜角探触子を装備 <主担当> 木村 光彦 内線 551 ・ソフトプローブを装備 ・探触子ケーブルを装備 素形材プロセス開発部 複合材料Gr <副担当> 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 3Dプリンターシステム H26リストNo 141 <仕様・品質等> FORTUS250mc <製造元> STRATASAS <用途等> 設備分類: 加工技術(素形材成形) 三次元CADデータを読み込み、製作する造形データを 三次元モデルで出力する装置。 <使用料>1100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> ○材料特性 ・引張強度:37MPa ・曲げ強度:56MPa ・たわみ温度95℃ ※ABS Plus樹脂 25 年度 ○造形サイズ(mm):W254×D254×H305 ○造形ピッチ(mm):0.178/0.254/0.330 B棟1F:輸送機器研究室 沓澤 圭一 内線 531 内線 574 素形材プロセス開発部 <副担当> 井上 真 <名称等> セラミックス研磨装置 H26リストNo 142 <仕様・品質等> アブラミン <製造元> 丸本ストラウス(株) <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) 本装置は、セラミックス等の高硬度材料をダイヤモンド懸 濁液の供給を自動的に制御し、短い作業時間で再現性良 く、研磨深さを制御しながら研磨する研究室規模の加工装 置である。 <詳細仕様> 試料寸法:直径20mmから30mm、高さ20mmから40mm 加重範囲:3kgから40kg 研磨量自動設定:あり(マイクロメータ) ダイヤモンド自動供給:あり タイマー:あり <使用料>2600 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> B棟1F:材料物性試験室 杉山 重彰 先端機能素子開発部 <副担当> 10 年度 内線 553 機能性材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> セラミックス自動精密切断機 H26リストNo 143 <仕様・品質等> アキュトム50 <製造元> 丸本ストラウス(株) <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) セラミックス自動精密切断機はセラミックス等の高硬度材 料を精密に切断する実験室規模の小型装置である。 <詳細仕様> 切断速度:300から5000rpm(100rpm単位で可変) 送り速度:0.005から3.000mm/s(0.005mm/s単位で可変) 最大位置決め速度:Y=13mm/s、X=13mm/s 限界加圧力:低約20N、中約40N、高約60N 位置決め範囲:Y方向105mm(精度0.1mm)、X方向60mm(精 <使用料>390 (円/時間) <導入年度>平成 11 年度 度0.005mm) 切断試料の最大長さ:30mm、20mm径で140mm <設置場所> 固定試料の最大長さ:225mm 本館 B棟1F:材料物性試験室 試料の最大断面:127mm径切断ホイールと42mm径フラン <主担当> 杉山 重彰 内線 553 ジ:40mm径(回転なし)、80mm径(フランジあり) 152mm径切断ホイールと42mm径フランジ:50mm径(回転な 先端機能素子開発部 機能性材料Gr し)、100mm径(回転あり) 内線 <副担当> <名称等> ロックウェル硬さ試験機 H26リストNo 144 <仕様・品質等> ATK−F1000 <製造元> (株)アカシ <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) ダイヤモンド圧子または鋼球圧子を用い、試料面に初荷 重および試験荷重を加え、その侵入深さの差から硬さを算 出する装置で、初荷重自動ブレーキ機能を搭載しているた め、ワンタッチで自動測定ができます。 <使用料>190 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> B棟1F:材料物性試験室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 <副担当> 内線 <詳細仕様> 初荷重 :3,10kgf 試験荷重: 15,30,45,60,100,150kgf 荷重制御:自動方式(負荷、保持。除荷) 荷重保持時間:0〜30sec任意設定可 7 年度 試料最大寸法:高さ235×奥行145mm 演算装置:内蔵(硬さ値算出機能、換算機能等) 装置寸法:幅220×奥行615×高さ820mm 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> ビッカース硬度計 H26リストNo 145 <仕様・品質等> AVK−C2500 <製造元> (株)アカシ <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) 正四角すいのダイヤモンド圧子を試料面に押し込み、ピ ラミッド形のくぼみの表面積から硬さを測定する装置で、 試験荷重の大きさによらずほぼ同一の硬さ値が得られま す。この特徴から小さい試料や試料の局部の硬さ値を求め る場合、試験対象の大きさによって試験加重を自由に選ぶ ことができます。 また、TVモニターにより600倍に拡大されたくぼみ <詳細仕様> 試験荷重:1,2,5,10,20,30,50kgf 荷重機構:自動負荷開放 荷重保持時間 :5,10,15,20,25,30秒切替式 計測顕微鏡倍率 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 4 年度 :約100倍(対物10倍、接眼10倍) 試料最大高さ:205mm <設置場所> 試料最大奥行:165mm 本館 B棟1F:材料物性試験室 試験機寸法:幅300mm×奥行600mm×高さ705mm <主担当> 内田 富士夫 内線 563 消費電力:約40W 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> XY自動テーブル付硬度計 H26リストNo 146 <仕様・品質等> MS−4 <製造元> 明石製作所 <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) 金属材料の硬化層深さ、溶接部の硬さ分布等を自動測定す る。 <詳細仕様> 試験荷重:10,25,50,100,200, 300,500,1000(grf) 荷重機構:自動負荷解放 顕微鏡倍率:100倍、400倍 荷重保持時間:5〜30秒可変 <使用料>250 (円/時間) <導入年度>平成 S60 年度 試料最大高さ:60mm 試料微動台:面 積 100×100mm <設置場所> 微動範囲 XY各25mm 本館 B棟1F:材料物性試験室 最小目盛 0.01mm <主担当> 内田 富士夫 内線 563 素形材プロセス開発部 <副担当> 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 試料研磨琢磨機 H26リストNo 147 <仕様・品質等> エコメット4000 <製造元> ビューラー <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) 金属材料(鉄鋼材料並びに非鉄金属材料)の金属組織を観 察するために、金属組織表面を鏡面状態に研磨する設備 <詳細仕様> ・複数試験片(1から6個程度)を同時に、プログラム制 御にて自動研磨が可能 ・試験片サイズ:φ25mm、φ30mm、φ40mm ・研磨方向:時計回り、反時計回り 研磨荷重:50~2 70N 回転速度:40~500rpm <使用料>710 (円/時間) <導入年度>平成 20 年度 ・研磨板のメッシュは、80,120,220,600, 1200相当し、マグネット取り付けタイプ <設置場所> ・研磨剤(懸濁液)の粒度は、9,6,3,1μmの4タ 本館 B棟1F:材料物性試験室 イプとし、かつ自動供給が可能 <主担当> 内田 富士夫 内線 563 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> 電解研磨装置 H26リストNo <仕様・品質等> ポレクトロール <製造元> ストルアス社 <用途等> <詳細仕様> <使用料>230 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> B棟1F:材料物性試験室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 <副担当> 内線 551 複合材料Gr 内線 9 年度 設備分類: 加工技術(機械除去など) 148 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 万能材料試験機 H26リストNo 149 <仕様・品質等> 5985 <製造元> Instron <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) CFRP等複合材料およびアルミ合金、マグネシウム合金、チ タン合金、鋼材、セラミックス等の機械的特性試験用 <詳細仕様> ・NVLAP認証校正を有する ・フレーム最大荷重は±250kN以上 ・±250kN、±1kNのロードセルを有する ・クロスヘッド:ボールネジ式駆動 ・クロスヘッド速度は0.00005~500mm/min以上の範囲 <使用料>2400 (円/時間) <導入年度>平成 22 年度 ・クロスヘッド速度精度は設定速度の±0.05%以内(無負 荷又は一定負荷時) <設置場所> ・-150℃から600℃の温度環境で試験が可能 本館 B棟1F:精密強度試験室 ・荷重制御システムはASTM E4、BS 1610、DIN 51221、ISO <主担当> 木村 光彦 内線 551 7500-1、EN 10002-2、AFNOR A03-501に準拠 素形材プロセス開発部 複合材料Gr 内線 <副担当> <名称等> 遊星回転ボールミル H26リストNo 150 <仕様・品質等> LA-PO412 <製造元> (有)伊藤製作所 <用途等> 設備分類: 加工技術(粉体焼結接合) 遊星回転ボールミルとは、回転テーブル上に取り付けられ た粉砕容器がテーブルとは逆の方向に回転する遊星運動 (公転と自転が逆方向)により、容器内のボールと試料が 激しい衝撃力によってぶつかり合い、試料を短時間に微粉 砕・均一混合するボールミルである。 <使用料>210 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> B棟1F:粉体試験室 杉山 重彰 先端機能素子開発部 <副担当> 内線 553 機能性材料Gr 内線 <詳細仕様> 回転数(容器):0から740rpm 回転数(台):0から370rpm 回転数(台:容器):1:2 タイマー:デジタル式1分〜100時間 粉砕容器容量:250ml 8 年度 設置可能容器数:2個 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> スプレードライヤー H26リストNo 151 <仕様・品質等> NHS-0型 <製造元> 大川原化工機(株) <用途等> 設備分類: 加工技術(粉体焼結接合) スプレードライヤーとは、粉体をハンドリングしやすい造 粒体に加工する粉体処理装置である。造粒操作とは、ポリ ビニルアルコールなどのバインダー(粘結剤)を用いて、 粉体がいくつか集まった集合体である造粒粒子にし、粉体 の流動性、可塑性、成形性を向上させる操作である。 <使用料>550 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> 水分蒸発量:3Kg/h 乾燥室寸法:800mmφ×1,200mm 噴霧方式:ディスク式 熱風接触方式:平流方式 原液ポンプ:チューブ式ローラーポンプ 9 年度 温度調節方式:温度比例制御方式 温度調節範囲:150〜250℃ B棟1F:粉体試験室 杉山 重彰 内線 先端機能素子開発部 553 機能性材料Gr 内線 <副担当> <名称等> アトライタ H26リストNo 152 <仕様・品質等> MAISE-X <製造元> 日本コークス工業(株) <用途等> 設備分類: 加工技術(粉体焼結接合) 超硬等の粉末成形において、2種類以上の粉末をアルコー ル中で均一に混合するために使用する装置 <詳細仕様> 粉砕タンク:SUS304容量5.5リットル 超硬粉末処理:1.8リットル <使用料>340 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> B棟1F:粉体試験室 杉山 重彰 先端機能素子開発部 <副担当> 25 年度 菅原 靖 内線 553 機能性材料Gr 内線 533 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 小型造粒機 H26リストNo 153 <仕様・品質等> アイリッヒ逆流式高速混合機RVO2型 <製造元> 日本アイリッヒ(株) <用途等> 設備分類: 加工技術(素形材成形) 各種の粉末試料をバインダー等と混合して撹拌、回転さ せることにより、任意の粒径の粒状試料を作製する装置で す。 撹拌羽根の回転数、反応容器の回転数を調整することに より、造粒、練り、破砕、粉砕、混合、解砕、等の処理を 行うことができます。 <使用料>200 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> 1.パン容量 10L 2.パン回転数 900から5000rpm 3.電源 2 年度 3P、200V B棟1F:粉体試験室 菅原 靖 先端機能素子開発部 内線 533 機能性材料Gr 内線 <副担当> <名称等> ふるい振盪機 H26リストNo <仕様・品質等> S−1 <製造元> テラオカ <用途等> <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> B棟1F:粉体試験室 菅原 靖 先端機能素子開発部 <副担当> 154 内線 533 機能性材料Gr 内線 設備分類: 加工技術(粉体焼結接合) 本装置は、標準ふるい専用の基本的なふるい分け機械で す。 目開きの異なる標準ふるいを数段に重ねて本装置に固定 し、最上部のふるいに粉末試料を入れ、本装置を稼働させ ると楕円運動(水平円運動と直線運動の組み合わせ)が起 こり、粉末試料が落下します。そして粉末試料は、ふるい の網目サイズに応じて各粒度に分級されます。 <詳細仕様> 1.標準ふるいの材質 しんちゅう 2.標準ふるいの網目開き 63μmから4mm 3.標準ふるいの段数 3 年度 8段まで設置可能 4.ふるいわけ時間 試料約100g当たり、5分〜15分 試料の種類、量により異なる 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> ボールミル H26リストNo 155 <仕様・品質等> 架台二連式AN-3S無段変速28〜100bpm <製造元> 日陶科学 <用途等> 設備分類: 加工技術(粉体焼結接合) 本装置は、各種試料(セラミックス原料、鉱物、等、粒 径約10mm以下)を粉砕する装置であります。 アルミナ製の容器内部に、試料と共に粉砕媒体としてア ルミナボールを入れて回転させると、試料とボールとの摩 擦や衝撃による粉砕が進行し、目的とするサイズの微粉を 得ることができます。 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> B棟1F:粉体試験室 菅原 靖 先端機能素子開発部 <副担当> 内線 533 <詳細仕様> 1.容器材質 アルミナ製 2.容器サイズ 2L、3L 3.粉砕用ボール 1 年度 アルミナ製、 直径10,20,30mmの3タイプ 4.回転速度 170rpmから700rpm 機能性材料Gr 内線 <名称等> 中型電気炉 <製造元> (株)モトヤマ H26リストNo 156 <仕様・品質等> SH-3045E <用途等> 設備分類: 加工技術(粉体焼結接合) 各種材料を温度、並びに時間を正確に制御しながら加熱 する装置です。 二珪化モリブデンヒーターとアルミナボード断熱材の使 用により、常用最高温度1650℃で、連続的に使用でき ます。 <詳細仕様> 1.炉内サイズ W300×H250×D450mm 2.常用温度 1650℃ MAX 3.昇温時間 <使用料>890 (円/時間) <導入年度>平成 10 年度 1650℃まで約90分 4.雰囲気 <設置場所> 酸化雰囲気(大気) 本館 B棟1F:粉体試験室 5.発熱体 <主担当> 菅原 靖 内線 533 二珪モリブデン 6.制御方式 先端機能素子開発部 機能性材料Gr PID制御 内線 7.温度分布 <副担当> 約±5℃ 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 乾式粉体表面改質装置 H26リストNo 157 <仕様・品質等> NHS-0型(閉回路) <製造元> (株)奈良機械製作所 <用途等> 設備分類: 加工技術(表面処理改質) 本装置は、粉体表面に微粉体を固定化、または成膜化 し、粉体を表面改質する装置です。 粉体(母粒子)表面に微粉体(子粒子)をコートするこ とにより、従来に無い新しい機能を有する材料の開発、試 料の高付加価値化、等が期待できます。 <詳細仕様> 1.雰囲気:窒素雰囲気で処理 2.粒子サイズ 母粒子:100μm以下 子粒子:母粒子の約1/10程度 3.オーエムダイザー(母粒子と子粒子の混合) <使用料>820 (円/時間) <導入年度>平成 9 年度 処理量:実容積100mL 回転数:80から1600rpm <設置場所> 容器 :SUS304、0.33L 本館 B棟1F:粉体試験室 4.ハイブリダイザー(混合物の固定化、成膜化) <主担当> 菅原 靖 内線 533 処理量:MAX 50g/Batch 回転数:5000から16200rpm 先端機能素子開発部 機能性材料Gr 製品タンク:SUS304、容積600mL 内線 ローター:SUS304、およびアルミナ <副担当> <名称等> 真空溶解炉 H26リストNo 158 <仕様・品質等> FVPM−10型 <製造元> 富士電波工業(株) <用途等> 設備分類: 加工技術(鋳造熱処理な 真空、不活性ガス雰囲気中および大気中にて金属材料を溶 解し、鋳造することが可能である。 <使用料>1,850 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> B棟1F:金属溶解試験室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 <副担当> <詳細仕様> 電 源:サイリスタインバータ 溶解量:真空炉10kg(鉄)、大気炉30kg(鉄) 最高温度:真空炉1800℃(チタン) 大気炉1500℃(鉄) 使用ガス:窒素、アルゴン 7 年度 雰囲気圧力:0.93MPa 真空度:7×10-3MPa 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> ニューマブラスター H26リストNo 159 <仕様・品質等> FDQ−4S <製造元> (株)不二製作所 <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) 金属の表面に種々の研磨材を吹き付け錆、スケール、鋳物 砂等の除去やショットピーニング加工を行う。 <詳細仕様> ノズル径:Φ5からΦ7mm 研磨剤循環方式:直接落下 加圧タンク実効容量:8リットル 加工物の最大寸法:50×50×高30(cm) <使用料>300 (円/時間) <導入年度>平成 S57 年度 <設置場所> 本館 B棟1F:金属溶解試験室 <主担当> 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> 動的ひずみ解析装置 H26リストNo 166 <仕様・品質等> EDX-1500A-16AC <製造元> (株)共和電業 <用途等> 設備分類: 加工技術(鋳造熱処理な 構造物等に発生する動ひずみ(ひずみの大きさが時間経過 と共に変化したり、振動や衝撃が加わった場合の現象)を ひずみゲージによって電気的にひずみ量を測定する原理に より、応力値を算出する装置である。 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> B棟1F:鋳造研究室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 <副担当> 内線 <詳細仕様> 測定チャンネル数:ひずみ測定12チャンネル 温度測定4チャンネル サンプリング周波数:1,2,5,10,20,50, 100,200,500Hz 1,2,5,10kHz 10 年度 他14種類 解析:四則演算、FFT解析、頻度解析 その他:PCカードによるデータの保存が可能 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 引張・圧縮疲労試験機 H26リストNo 160 <仕様・品質等> EHF-EG50KN-10L <製造元> 島津製作所 <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) 本装置は、完全デジタル制御およびロードセル慣性力補 正機能、リアルタイム自動PID調整機能を有しており、 静的試験から高、低サイクル疲労試験、熱疲労試験、その 他の試験にいたるまで、広範囲にわたる高精度な荷重材料 試験が可能です。 <詳細仕様> 荷重容量:動的100KN(静的150KN) ストローク:±50mm 繰り返し波形出力:0.00001から200Hz 試験波形:サイン波、三角波、ランプ波、ホールド波、 矩形波、ハーバーサイン波 <使用料>2700 (円/時間) <導入年度>平成 11 年度 試験温度:常温、200〜1200℃(高周波誘導加熱 方式) <設置場所> 加熱速度:Max 10℃/sec 本館 B棟1F:鋳造研究室 冷却速度:Max 2℃/sec <主担当> 内田 富士夫 内線 563 試験片:直径15mm、平行部15mm、チャック部20mm 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> 発光分析装置 H26リストNo <製造元> (株)SPECTRO Analyical <仕様・品質等> SPECTROLAB M <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) <詳細仕様> 測定波長 120から800nm 測定可能マトリックス Fe、Al、Cu、Mg、Zn <使用料>1300 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> B棟1F:鋳造研究室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 <副担当> 14 年度 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 161 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> シャルピ衝撃試験機 H26リストNo 162 <仕様・品質等> 30kgm型 <製造元> (株)島津製作所 <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) <詳細仕様> <使用料>130 (円/時間) <導入年度>平成 S54 年度 <設置場所> 本館 B棟1F:材料強度試験室 <主担当> 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> 小野式回転曲げ疲労試験機 H26リストNo 163 <仕様・品質等> H6型 <製造元> (株)島津製作所 <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) 疲れ強度を評価する一般的な試験機で、試験片作製、操 作が容易に行えます。試験片が破断したり、所定寸法以上 のたわみを発生した場合は、マイクロスイッチおよび電磁 開閉器の作動によって直ちに停止します。 <使用料>100 <詳細仕様> 最大曲げモーメント:10kgm 試験片寸法:つかみ部直径15mm、全長210mm 平行部直径12mm つかみ部長さ50mm 回転数:2800rpm 駆動用モータ:三相 200V、400W (円/時間) <導入年度>平成 S62 年度 装置寸法:幅1630×奥行430×高さ1200mm <設置場所> 本館 <主担当> B棟1F:材料強度試験室 内田 富士夫 素形材プロセス開発部 <副担当> 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> スガ摩耗試験機 H26リストNo 164 <仕様・品質等> NUS−ISO−3型 <製造元> スガ試験機(株) <用途等> 設備分類: 評価技術(製品性能など) 研磨剤を付着した円板を接触往復運動させ、アルマイ ト、めっき、塗装などの皮膜や金属材料、プラスチック等 の耐摩耗性を評価する。 <詳細仕様> 摩耗輪 直 径:50mm、幅:12mm 回転角度:0.9度/DS 往復運動機構 40DS/分、ストローク:30mm <使用料>170 (円/時間) <導入年度>平成 1 年度 荷重機構 100から3000gf調節可能 <設置場所> 試験片の大きさ 本館 B棟1F:材料強度試験室 幅 :50から70mm <主担当> 内田 富士夫 内線 563 長さ:50から150mm 厚さ:1.0から4.0mm 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> 摩耗試験機 H26リストNo <仕様・品質等> EFM-3-EM <製造元> (株)エー・アンド・ディ <用途等> <使用料>410 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 素形材プロセス開発部 <副担当> 内線 563 先進プロセス・医工連携Gr 内線 設備分類: 評価技術(材料特性など) 同一形状をした二つの円筒試料をその中心線上に一致さ せ、その直角面のリング状摺動における摩擦特性の評価試 験およびサンプルホルダーを用いて、ディスクチップの摺 動面の摩擦特性の評価試験が可能です。 加圧の設定および摩擦力測定は、ストレンゲージを応用 した圧縮型ロードセル用いているため、広範囲に行うこと ができます。 <詳細仕様> 加圧加重範囲:0.2から500kgf 摩擦力範囲:1.0から30kgf-cm 最大回転軸トルク:30kgf/cm すべり速度範囲:0.01から2,2から200cm/sec 連続運転時間:最大200時間 9 年度 本体寸法:幅630×縦730×1600mm B棟1F:材料強度試験室 内田 富士夫 165 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 高温雰囲気クリープラプチャー試験装置 H26リストNo 167 <仕様・品質等> VGRT−30S <製造元> 東伸工業 <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) 高温雰囲気下(大気または不活性ガス雰囲気)における 金属材料の引張クリープラプチャー強度試験およびリニア ゲージ2個を用いて、引張クリープ伸びを測定する装置で す。 試験片は、3本吊りまで可能なため、同時に3タイプの 試験ができます。 <詳細仕様> 荷重負荷方式:縦型単てこ荷重式 最大負荷容量:30KN 荷重精度:±0.5% 荷重負荷冶具:インコネル713C 最高使用温度:1000℃ <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 11 年度 加熱雰囲気:不活性ガス 加熱ヒータ:カンタル線 <設置場所> 変位測定器:リニアゲージ2個平均値式 本館 B棟1F:材料強度試験室 試験片サイズ:直径6mm×長さ70mm(GL30mm) <主担当> 内田 富士夫 内線 563 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> 万能試験機 H26リストNo 168 <仕様・品質等> UH~F300kNI <製造元> 島津製作所 <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) <詳細仕様> 最大容量:300kN ひょう量:6段(300/150/30/15/6kN) <使用料>690 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> B棟1F:材料強度試験室 木村 光彦 素形材プロセス開発部 <副担当> 19 年度 内線 551 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 射出圧縮成形装置 H26リストNo 170 <仕様・品質等> ROBOSHTOα-100C <製造元> ファナック(株) <用途等> 設備分類: 加工技術(素形材成形) 溶融混練した樹脂を高速、高圧下で金型に充填し、その 後、金型を閉じる過程で圧縮、賦形する装置。 <使用料>1700 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> 型締力:100t 射出速度:最大300mm/s 射出圧力:最大2200kgf/cm2 型厚:最大450mm、最小150mm タイバー間隔:410×410mm 9 年度 プラテン寸法:610×610mm B棟1F:成形試験室Ⅱ 工藤 素 素形材プロセス開発部 内線 583 複合材料Gr 内線 <副担当> <名称等> 精密微量水分計 H26リストNo 171 <仕様・品質等> CZA-3000 <製造元> ㈱チノー <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) プラスチック製品や原材料、揮発成分を含む各種製品、原 料の微量水分を測定する。 カールフィシャ滴定法での測定結果と十分相関のとれる結 果を得ることができる。 <詳細仕様> 試料:10mg~20g 水分測定範囲: 水分率 10ppmから1%(1gにて) 水分質量 10μgから10mg <使用料>110 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 13 年度 分解能:1.0μg/1ppm/0.0001% 測定時間:約3分~20分(予測モード使用時) B棟1F:成形試験室Ⅱ 工藤 素 素形材プロセス開発部 内線 583 加熱温度範囲:25~275℃ 複合材料Gr キャリアガス:窒素二次圧 約117.2から137.9kPa <副担当> 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> ノズル樹脂圧力・温度計 H26リストNo 172 <仕様・品質等> 4085A5A2 <製造元> 日本キスラー(株) <用途等> 設備分類: 評価技術(製品性能など) ノズルの射出圧力が不適正な場合には、成型品に樹脂が行 き渡らなかったり、金型からはみ出るなどの問題が起こる 可能性がある。樹脂の圧力・温度を測定することで、これ らの問題が起こらないようにする。 <詳細仕様> <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 13 年度 B棟1F:成形試験室Ⅱ 工藤 素 素形材プロセス開発部 内線 583 複合材料Gr 内線 <副担当> <名称等> 押出機 H26リストNo 174 <仕様・品質等> KZW25TW-60MG-NH(1200)スクリュ径25φ <製造元> ㈱テクノベル <用途等> 設備分類: 加工技術(素形材成形) 耐圧性の型枠に入れられた素材に高い圧力を加え、一定断 面形状のわずかな隙間から押出すことで求める形状に加工 する。 ダイスを変えることでフィルム、パイプ、ホースなどの形 状に加工できる。 <詳細仕様> スクリュ径:25φ 軸数:2軸スクリュタイプ スクリュタイプ:標準スクリュ溝深さ スクリュ回転:60~100rpm <使用料>1600 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> B棟1F:成形試験室Ⅰ 工藤 素 素形材プロセス開発部 <副担当> 16 年度 内線 583 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 加圧式ニーダ H26リストNo 175 <仕様・品質等> TD3~10M型 <製造元> ㈱トーシン <用途等> 設備分類: 加工技術(素形材成形) 槽内で2本のブレードが回転し、ブレード間で持ち上がる 材料を、上部からの蓋で押し込む。 強力なせん断応力で混練、分散を行う。 <詳細仕様> モーター出力:7.5kw 混合槽容量:3ℓ 羽根形状:バンバリー型ブレード <使用料>590 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 17 年度 B棟1F:成形試験室Ⅰ 工藤 素 素形材プロセス開発部 内線 583 複合材料Gr 内線 <副担当> <名称等> 集塵機 H26リストNo <仕様・品質等> PIE45 <製造元> アマノ(株) <用途等> 設備分類: 加工技術(素形材成形) 微粉体の混錬作業等により発生する粉塵を除去する装 置。 <詳細仕様> 風量:45m3/min 出力:2.2kW フィルター粉塵払落とし方法: 差圧検知式自動パルスジェット <使用料>480 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> B棟1F:成形試験室Ⅰ 工藤 素 素形材プロセス開発部 <副担当> 18 年度 内線 583 複合材料Gr 内線 176 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 樹脂乾燥機 H26リストNo 177 <仕様・品質等> DRL823WA <製造元> アドバンテック東洋 <用途等> 設備分類: 加工技術(素形材成形) 成形前の原料ペレットを恒温、恒湿下におき、水分を取り 除くのに用いる。 <詳細仕様> 最高温度:約 <使用料>220 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 16 年度 B棟1F:成形試験室Ⅰ 工藤 素 素形材プロセス開発部 内線 583 複合材料Gr 内線 <副担当> <名称等> 磁束密度測定装置 H26リストNo 180 <仕様・品質等> 9550 <製造元> F.W.BELL <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) ホールプローブを用いて直流および交流の磁束密度を測る 測定器です. <使用料>120 <設置場所> 本館 <主担当> (円/時間) <導入年度>平成 ±0.2 0.001G DCから10KHz 6段階,最小3G C棟1F:メカトロニクス研究室Ⅱ 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 <副担当> <詳細仕様> 直交流磁場 測定可能 精度 DC 最小分解能 周波数応答性 9 年度 測定レンジ 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 測定レンジ 0.001Gから100kG 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 砥粒分散用超音波発生器 H26リストNo 181 <仕様・品質等> UD~201(S) <製造元> トミー精工 <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) <詳細仕様> <使用料>100 <設置場所> 本館 <主担当> (円/時間) <導入年度>平成 13 年度 C棟1F:メカトロニクス研究室Ⅱ 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> 平坦度測定装置 H26リストNo 179 <仕様・品質等> FT-900(ウェハ用) <製造元> (株)ニデック <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 半導体ウェーハーのSIME規格にある平坦度等の基板品位を 測定する装置。 <詳細仕様> SEMI準拠(TV,GBIR,GFLR, GF3D,SORI),BOW, Taperを評価 可能 適用試料サイズ:最大φ200mm 測定分解能:0.01μm 測定レンジ:200μm <使用料>1250 <設置場所> 本館 <主担当> (円/時間) <導入年度>平成 C棟1F:メカトロニクス研究室Ⅱ 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 <副担当> 25 年度 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 電界制御装置 H26リストNo 182 <仕様・品質等> MODEL20/20B <製造元> トレック・ジャパン(株) <用途等> 設備分類: エレクトロニクス技術 四象現出力や高速応答可能な高精度高電圧アンプ <詳細仕様> 出力電圧範囲 0から±20kV 出力電流 0から±20mA 電力増幅率 2000V/V 利得帯域幅 DCから20kHz スルーレート 350V/μs <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 10 年度 精度0.1% 入力電圧 0から±10VDC,or peak AC <設置場所> 入力インピーダンス50kohm 本館 C棟1F:メカトロニクス研究室Ⅰ ノイズ5.0V p-p <主担当> 久住 孝幸 内線 560 寸法432×223×585mm 重量32Kg 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> 小型切削動力計 H26リストNo 185 <仕様・品質等> 9256C2 <製造元> 日本キスラー株式会社 <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) 水晶板を用いたセンサ素子により直交3成分の動力測定 する計測装置。微細工具や機能性流体により切削、研削、 研磨等の加工実験を行い、それぞれの加工動力を測定し、 影響を受けた付加変動や加工特性の解析に用いることで、 最適な加工条件を解明する。 <詳細仕様> 動力計本体 測定範囲:Fx/Fy/Fz -250~250N 過負荷:-300~300N 動的分解能:<0.002N 使用温度範囲:0~70℃ <使用料>490 <設置場所> 本館 <主担当> (円/時間) <導入年度>平成 C棟1F:メカトロニクス研究室Ⅰ 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 <副担当> 16 年度 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 三脚 H26リストNo 186 <仕様・品質等> プロフェッショナルデザインⅡ <製造元> スリック <用途等> 設備分類: メカトロニクス技術 <詳細仕様> <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 12 年度 C棟1F:メカトロニクス研究室Ⅰ 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> 自動研磨ヘッド H26リストNo <仕様・品質等> オートメット2000 60‐1970 <製造元> ビューラー <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) 荷重を精密に制御できる研磨機 <詳細仕様> ・加工荷重の設定:3kgから25kgまで設定可能 ・回転方向:時計回り、反時計回り選択可能 ・試料ホルダー径:120~130mm <使用料>100 <設置場所> 本館 <主担当> (円/時間) <導入年度>平成 C棟1F:メカトロニクス研究室Ⅰ 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 <副担当> 20 年度 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 183 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 除振台 H26リストNo 184 <仕様・品質等> AYA-1809K4 <製造元> 明立精機 <用途等> 設備分類: その他 外部の振動の影響を抑えるために振動を減衰させるエアー サスペンションを採用した除振台 <使用料>100 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> ・サイズ:1800×900mm ・材質と厚み寸法:着磁性ステンレスまたはスチール、厚 み200mm以上 ・定盤上面:上面に50mm以下の間隔でM6タップ加工を施し ていること。 (円/時間) <導入年度>平成 21 年度 ・除振機構:供給圧搾空気によりX,Y,Z方向に対して除振 ・固有振動数Hz:垂直1.1、水平0.8以下 ・水平維持:水平維持機構により、自動水平維持 C棟1F:メカトロニクス研究室Ⅰ ・耐荷重:300kg以上の最大荷重 久住 孝幸 内線 560 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> 電源装置 H26リストNo <仕様・品質等> MODEL609D−6 <製造元> トレックジャパン(株) <用途等> 設備分類: メカトロニクス技術 入力信号を高電圧に変換する高圧電源 <使用料>190 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> C棟1F:医工連携実験室 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 <副担当> <詳細仕様> 入力電圧 0から±4V 入力インピーダンス10kohm 出力電圧範囲 0から±4kV 出力電流 0から±20mA rms 利得帯域幅 15MHz最小 7 年度 スルーレート 35V/μs 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 190 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 15MHzファンクションウェーブジェネレータ <製造元> 日本ヒューレットパッカード H26リストNo 187 <仕様・品質等> 33120A <用途等> 設備分類: 回路評価等の信号源や基準信号として,交流電場の任意信 号源として,用いることが可能. <詳細仕様> ○15MHzの正弦波/方形波を出力 ・標準波形;正弦波、三角波、方形波、ランプ波、ノイズ などの種々の波形を生成 DCボルト ・振幅分解能;12ビット、サンプルレート;40Mサンプル /s、波形の長さ8〜16,000ポイントの任意波形を生成 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 11 年度 ・不揮発性メモリ;16k波形4個 ○周波数特性 <設置場所> ・正弦波,方形波 100μHzから15MHz 本館 C棟1F:医工連携実験室 ・三角波,ランプ波 100μHzから100kHz <主担当> 久住 孝幸 内線 560 ○信号特性; 方形波;立ち上がり/立ち下り時間:≦20ns 素形材プロセス開発部 先進プロセス・医工連携Gr 三角波,ランプ波,≦100ns 内線 ○出力特性 振幅;50mVp-pから10Vp-p <副担当> <名称等> オシロスコープ H26リストNo <製造元> 日本ヒューレットパッカード 191 <仕様・品質等> HP-54645A <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) オシロスコープは,2chデジタル方式のオシロスコープ で,電気回路などの状態を電圧波形として捉える測定器で ある.本器は,データを自動トリガモードでデータを検査 しトリガを設定する機能があり,波形を容易に観察・測定 できます. <使用料>100 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> チャンネル数;2CH レンジ;1mV/divから5V/div ダイナミック入力レンジ;±8divまたは±32V未満 最大入力400V 入力インピーダンス;1MΩ,±1%,から13pF (円/時間) <導入年度>平成 11 年度 メモリ容量;最大1M グリッジ・トリガリング(自動トリガ検出機能); 波形最小持続時間8ns C棟1F:医工連携実験室 波形最大持続時間100秒 久住 孝幸 内線 560 素形材プロセス開発部 <副担当> 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 安全キャビネット H26リストNo 178 <仕様・品質等> BHC-1006ⅡA/B3 <製造元> エアーテック <用途等> 設備分類: その他 HEPAフィルターで濾過した排気を行うことにより, 作業台 内を常に陰圧に保ち, 実験操作中に発生した気体等が外部 へ拡散させない機構を有した作業者への安全保護設備 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> ・HEPAフィルターを有し粒子サイズ0.3μmを99%以上除 去が可能 ・排気(m3/min):6以上 ・吹き出し風速(m/sec):0.3v0.4 ・流入風速(m/sec):0.5から0.6 20 年度 ・庫内寸法:1000W×600D×640H(以上)mm C棟1F:医工連携実験室 久住 孝幸 内線 素形材プロセス開発部 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> 核酸増幅システム H26リストNo 192 <仕様・品質等> MDF~192 <製造元> 三洋電機バイオメデイカ㈱ <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) 遺伝子の保存、遺伝子の増幅、試薬の滴下、試薬との混 合、細胞等の培養、培養物の観察など、生体試料等の観 察・測定に用いる装置。 <詳細仕様> DNA保存用超低温フリーザー 遺伝子増幅用グラジエント機能付サーマルサイクラー 微量高速冷却遠心機 恒温槽培養ミニCO2インキュベータ <使用料>310 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> C棟1F:医工連携実験室 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 <副担当> 17 年度 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 蛍光顕微鏡 H26リストNo 193 <仕様・品質等> E400~RFL 1 <製造元> ニコン <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) <詳細仕様> 励起波長:450~490nm 510~560nm 365nm 590-650nm 倍率:10倍、20倍、40倍、400倍 <使用料>200 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 15 年度 C棟1F:医工連携実験室 久住 孝幸 内線 素形材プロセス開発部 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> 材料物性測定装置 H26リストNo 188 <仕様・品質等> 1260~MAS(ソーラートロン) <製造元> 東陽テクニカ <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) ポテンショ・ガルバノスタット、インピーダンスアナラ イザ、誘電率測定用イインターフェイスを組み合わせ、材 料の低周波から高周波域の交流インピーダンス測定、直流 分極測定等を全自動で行うことが出来る解析装置。 <詳細仕様> 測定周波数範囲:10μHzから32MHz AC印加振幅範囲:50μVから3V インピーダンス測定範囲:10mΩから100TΩ 分解能:1μA,1pA <使用料>690 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> C棟1F:医工連携実験室 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 <副担当> 18 年度 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> CCDカラーカメラ H26リストNo 194 <仕様・品質等> CS5270i-S <製造元> 東京電子 <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) <詳細仕様> <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 12 年度 C棟1F:医工連携実験室 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> ゼータ電位測定装置 H26リストNo <仕様・品質等> Nano Z <製造元> Sysmex <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) ナノ粒子やコロイドの特性評価 <使用料>330 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> Measurement range: 3.8nm ~ 100 microns* Measurement principle: 電気泳動光散乱 Minimum sample volume: 150~L (円/時間) <導入年度>平成 19 年度 Accuracy: 0.12~m.cm/V.s for aqueous systems using C棟1F:医工連携実験室 NIST SRM1980 standard reference material 久住 孝幸 内線 560 素形材プロセス開発部 <副担当> 先進プロセス・医工連携Gr 内線 195 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 砥粒挙動モニタ用レンズ H26リストNo 196 <仕様・品質等> ML-Z07545他 <製造元> モリテックス <用途等> 設備分類: 設計技術 <詳細仕様> <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 12 年度 C棟1F:医工連携実験室 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> 誘電率測定用サンプルホルダー H26リストNo 189 <仕様・品質等> SH2-Z <製造元> 東陽テクニカ <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) ソーラトロン社製1260型インピダンスアナライザ用サンプ ルホルダー <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> C棟1F:医工連携実験室 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 <副担当> <詳細仕様> ソーラトロン社製1260 型 インピーダンスアナライザと4 端子、BNCで接続動作 ・抵抗測定範囲100mΩから1TΩ ( ※電極短絡時、< 10mΩ) ・周波数応答範囲DCから1MHz 25 年度 ・最大使用電圧< 500Vpp 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 ・材質 ベリリウム銅 表面に金メッキ ・上電極直径 φ25mm ・下電極直径 φ10mm ・誘電率測定用ガード電極を具備 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 研磨装置 H26リストNo 197 <仕様・品質等> SLM-140 <製造元> 不二越機械工業 <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) 電界下にて砥粒を含むスラリーの配置制御技術を実現し、 より合理的な研磨加工技術の確立を目指す研磨実験装置 <使用料>480 <設置場所> 本館 <主担当> (円/時間) <導入年度>平成 <詳細仕様> ○研磨試料サイズ4インチ(φ100mm)以上 ○揺動機構 ・揺動幅:±10から50 mm ・揺動周期:2から10(往復/ min) ・ポリシングプレート回転数:100rpm以上 22 年度 ・最大加工荷重:40kgf以上 C棟1F:加工メカニズム実験室 久住 孝幸 素形材プロセス開発部 内線 560 先進プロセス・医工連携Gr 内線 <副担当> <名称等> 片面研磨装置 H26リストNo 198 <仕様・品質等> SLM-140改 <製造元> 不二越機械工業 <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) 電界下にて砥粒を含むスラリーの配置制御技術を実現し、 より合理的な研磨加工技術の確立を目指す研磨実験装置 <使用料>550 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> 定盤径:φ560 定盤回転数:10rpmから200rpm 定盤回転精度:面ぶれ10μm 上部定盤径φ180mm 上部定盤回転数:10から300rpm (円/時間) <導入年度>平成 25 年度 上部定盤揺動機構揺動幅:±35mm 定盤設定温度:10から25℃ C棟1F:加工メカニズム実験室 中村 竜太 素形材プロセス開発部 <副担当> 久住 孝幸 内線 278 先進プロセス・医工連携Gr 内線 560 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 高速引張試験機 H26リストNo 200 <仕様・品質等> HITS-T10 <製造元> 島津製作所 <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) 最大速度20m/S(時速72Km/h)で材料試験が可能な油圧制御 式高速引張試験機 <使用料>2,350 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> ・容量20kN(ピストン静的)以上 ・衝撃試験力は10kN以上 ・最大速度20m/S(時速72Km/h)以上で衝突時の材料試験が 可能、かつ低速0.1mm/Sからも設定可能 ・最大ストロークは300mm以上 (円/時間) <導入年度>平成 21 年度 ・測定精度は荷重:設定レンジフルスケールの±1%以内 ・ストロークは設定レンジフルスケールの±1%以内 ・恒温槽は-40℃から150℃制御できる恒温槽 C棟1F:コンポジットセンター(B) 木村 光彦 素形材プロセス開発部 内線 551 複合材料Gr 内線 <副担当> <名称等> 落錘衝撃試験機 H26リストNo 201 <仕様・品質等> 9205HV <製造元> INSTRON <用途等> 設備分類: 評価技術(製品性能など) 樹脂、CFRP、アルミ合金、鋼板等材料の耐衝撃特性の評価 をする <使用料>1450 <設置場所> 本館 <主担当> (円/時間) <導入年度>平成 C棟1F:コンポジットセンター(B) 木村 光彦 素形材プロセス開発部 <副担当> <詳細仕様> ・ASTM D-3763、NASA ST-1、ASTM D-244 Method C Penetration,ASTM D-5420 geometries GA,GB,GC、 Boeing 7260P Penetration Specに準拠した試験が可能 ・衝撃エネルギーは2.6~945J ・最大衝突速度は20m/S(時速72Km/h)以上 21 年度 ・位置精度は±0.02mm以内または±0.05%以下 ・速度精度は設定値の±2%以内 内線 551 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 材料試験高速解析システム H26リストNo 202 <仕様・品質等> FASTCAM SA-X <製造元> (株)フォトロン <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 高速度カメラ 樹脂、CFRP、アルミ合金、鋼板等材料の耐衝撃特性や機械 的特性試験の高速解析評価を行うために用いる。 <詳細仕様> 高速度カメラ FASTCAM SA-Xmodel ASU-N(モノクロ) 照 明:メタルハライドランプ,ファイバー 画像解析ソフ ト:TEMA 2D <使用料>780 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> C棟1F:コンポジットセンター(B) 木村 光彦 素形材プロセス開発部 <副担当> 24 年度 藤嶋 基 内線 551 複合材料Gr 内線 501 <名称等> 立形マシニングセンタ用集塵防塵装置 H26リストNo 203 <仕様・品質等> PiE-30SD <製造元> アマノ <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) 立形マシノングセンタ(ファナックα-T14iD)に接続して 使用し、切削屑を吸引しながら集塵する装置です。 <詳細仕様> 電動機の出力は1.5kW以上 集塵機本体の最大風量は20m3/min以上、 最大静圧は2.5kPa以上 <使用料>760 <設置場所> 本館 <主担当> (円/時間) <導入年度>平成 C棟1F:コンポジットセンター(A) 加藤 勝 素形材プロセス開発部 <副担当> 22 年度 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 立形マシニングセンタ H26リストNo 204 <仕様・品質等> α-T14iD <製造元> ファナック <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) エンドミルやドリルなどの工具を回転させ、工作物との相 対位置を変えながらの工作物の切削の切削加工を行う装置 です。主に複合材料やプラスチック等の加工を行います。 <詳細仕様> 移動量(X×Y×Z):400mm×400mm×300mm、 主軸回転速度:24,000rpm、 一方向位置決め精度:0.006/300mm、 ATC:14本 ドライ切削専用 <使用料>460 <設置場所> 本館 <主担当> (円/時間) <導入年度>平成 16 年度 C棟1F:コンポジットセンター(A) 加藤 勝 素形材プロセス開発部 内線 573 先進プロセス・医工連携Gr <副担当> 内線 <名称等> 超臨界発泡射出成形機 <製造元> 日精樹脂工業株式会社 H26リストNo 205 <仕様・品質等> NEX180Ⅲ 25E <用途等> 設備分類: 加工技術(素形材成形) 熱可塑性プラスチックを超臨界発泡によって微細中空孔の発現と 炭素繊維の切断が極力少なくなるように長炭素繊維を混合・射出 成形する装置。 <詳細仕様> ○標準樹脂用スクリュー:逆止弁付き標準樹脂対応デザイ ン スクリュー径:40mm 耐腐食、耐摩耗性材料 ○長繊維樹脂用スクリュー:逆止弁付き長繊維樹脂対応デ ザイン <使用料>3000 (円/時間) <導入年度>平成 24 年度 スクリュー径:40mm 耐腐食、耐摩耗性材料 ○加熱筒:最高温度:400℃(±0.1℃の制御)空圧シャッ <設置場所> トオフノズル 本館 C棟1F:コンポジットセンター(A) 射出圧力:最大200MPa 射出速度:最大180mm/sec <主担当> 工藤 素 内線 583 射出体積:最大200cm3 回転数:最大250rpm 型締め力:最大1765kN 使用型厚:250mmから500mm 素形材プロセス開発部 複合材料Gr タイバー間隔:560×500mm タイバープレート: 内線 800×750mm <副担当> 最小金型寸法:395×395mm 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 複合材硬化成形用オートクレーブ H26リストNo 206 <仕様・品質等> φ850 x 1500L <製造元> 株式会社 羽生田鉄工所 <用途等> 設備分類: 加工技術(素形材成形) CFRPプリプレグの加圧加熱硬化成形、あるいはVaRTM(真 空樹脂含浸製造法)成形等を行い、複合材料の力学特性等 の評価のための試験片作製、及び輸送機に関わる自動車部 品、航空機部品を試作試験のために使用 <詳細仕様> ・缶内有効寸法:φ600mm×(L)1000mm以上 ・開閉方式:手動・減速機付きハンドル ・加圧能力:最大圧力が0.95MPa(第2種圧力容器構造規 格) ・圧力制御:設定圧力に対して±0.02MPa以内で制御 <使用料>1450 (円/時間) <導入年度>平成 21 年度 ・昇圧速度:0.025MPa以上 ・使用温度:最大温度220℃ <設置場所> ・昇温速度は、0.1℃/minから5℃/minで0.1℃単位によ 本館 C棟1F:コンポジットセンター(A) る昇温制御が可能 <主担当> 藤嶋 基 内線 501 ・缶内温度分布:±3.0以内 素形材プロセス開発部 複合材料Gr 内線 <副担当> <名称等> 複合材料切断機 H26リストNo 207 <仕様・品質等> AC-300CF <製造元> (株)丸東製作所 <用途等> 設備分類: 加工技術(素形材成形) CFRP等複合材料の機械的特性評価のために使用する試験片 作製時の切断 <詳細仕様> ・切断精度は0.05mm以下 ・試料切断寸法は300mm×300mm×t10mm以下 <使用料>570 <設置場所> 本館 <主担当> (円/時間) <導入年度>平成 C棟1F:コンポジットセンター(A) 藤嶋 基 素形材プロセス開発部 <副担当> 22 年度 内線 501 複合材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> フラットベット切断機 H26リストNo 208 <仕様・品質等> CF2-1215RC-S <製造元> (株)ミマキエンジニアリング <用途等> 設備分類: 加工技術(素形材成形) 複合材料の原材料およびプラスチック材料、エラスト マー、フィルム材を任意形状へ切断する装置 <使用料>750 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> X方向の有効切断範囲:1470mm Y方向の有効切断範囲:1200mm 1mm以下の切断が可能 切断速度:500mm/s 距離精度:0.1mm 25 年度 反復精度:0.1mm C棟1F:コンポジットセンター(A) 藤嶋 基 素形材プロセス開発部 内線 501 複合材料Gr 内線 <副担当> <名称等> 耐候性試験機 H26リストNo 209 <仕様・品質等> UV-W161 <製造元> 岩崎電気(株) <用途等> 設備分類: 評価技術(製品性能など) 紫外線照射に対して、機器及び部品・材料がどのような変 化を起こすかを試験する装置。 <使用料>1500 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> 温度:照射時50から85℃、休止時35から75℃、(精度 ±3℃) 湿度:照射時40から70%RH、休止時50から90%RH、(精度 ±5%RH) 紫外線照度150±8mW/㎠以上、均斉度が90%以上 (円/時間) <導入年度>平成 25 年度 295から450nmの紫外線が照射可 有効放射エリア:422mm×190mm ランプ平均寿命:1,500時間 C棟1F:電気電子開放研究室(C) 近藤 康夫 電子光応用開発部 <副担当> 内線 542 電子・通信Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 重量級プラットホーム型電子天秤 H26リストNo 210 <仕様・品質等> FW-300KA4 <製造元> エー・アンド・ディ <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 乾電池を電源としたコードレスタイプの台秤. 約100時間の連続動作可能. 防滴構造で、水分を含んだ被計量物の計量が可能. <使用料>100 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> 最大秤量 :300Kg 使用温度範囲:ー5℃から35℃ 最小表示 : 50g(199.95Kgまで) 100g(200Kg以上) 電池寿命 :高性能マンガン乾電池 約100H 9 年度 計量皿寸法 :600×700mm 重量 :45Kg (円/時間) <導入年度>平成 C棟1F:電気電子開放研究室(C) 沓澤 圭一 内線 531 素形材プロセス開発部 内線 <副担当> <名称等> 放射電磁界イミュニティ試験システム H26リストNo 211 <仕様・品質等> TC2000C <製造元> アンプリファイヤーリサーチ社 <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 現「日本オートマティックコントロール株式会社」社製 <詳細仕様> IEC61000-4-3準拠 周波数:1MHzから1GHz 最大電界強度:10V/m <使用料>1050 <設置場所> 本館 <主担当> (円/時間) <導入年度>平成 C棟1F:電気電子開放研究室(C) 佐々木 信也 電子光応用開発部 <副担当> 電界センサーのバッテリが劣化しており,1から2時間程 15 年度 度であれば連続稼働可能. 内線 564 電子・通信Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> プリント基板加工システム H26リストNo 212 <仕様・品質等> Protomat C100HF <製造元> 日本LPKF株式会社 <用途等> 設備分類: メカトロニクス技術 CAD設計データを基に表面パターンの作成、穴あけ及 び外形カット等を銅箔基盤等の材料に直接加工し、開発設 計環境でプリント基板作成を行うための装置。 <詳細仕様> 最大加工範囲:340×200mm以上 分解能:±3.9685μm 最大加工速度:40mm/秒 最高穴あけ速度:120穴/分 モーター回転数:10,000~100,000rpm <使用料>450 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 16 年度 C棟1F:電気電子開放研究室(C) 佐々木 大三 電子光応用開発部 <副担当> 内線 505 電子・通信Gr 内線 <名称等> パワーマルチメーター H26リストNo 213 <仕様・品質等> WT1030 <製造元> 横河電気 <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) (1 )基本性能 基本確度が0.2 %で電圧,電流の測定帯域がDC およ び0.5Hz 〜300kHz (電力測定は200kHz )である。0.5Hz の有効電力の測定を可能と している。このときの表示更新周期は5 秒である。 また,最大電圧レンジを従来の600V から1000V と し,に必要な高電圧の測定を可能に <詳細仕様> 周波数特性:DC、0.5Hzから300kHz(0.5から10Hz、100kHz 以上は設計値) 基本確度:0.2%(45Hzから66Hz) 1000Vrmsの高電圧測定 10データ/100msの高速通信、100msのデータ更新 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 8 年度 入力電圧、電流の波形出力が可能(オプション) モータ評価機能(トルク、回転速度入力)によるトータル <設置場所> モータ効率を測定可能な特別モデルを用意(モデルWT1030M 本館 C棟1F:電気電子開放研究室(C) のみ) <主担当> 小笠原 雄二 内線 541(252) 約426(W)×132(H)×400(D)mm WT1010:約9kg、WT1030:約 10kg 電子光応用開発部 <副担当> 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 磁気抵抗効果測定用電磁石 H26リストNo 214 <仕様・品質等> ヘルムホルツコイルM-HD31型 <製造元> マイテック <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 磁気抵抗効果測定用磁界発生 <使用料>210 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> 最大直流磁界:24 kA/m(但し、8 kA/m以上では別途電源が 必要) コイル間隔:200mm 均一磁場領域: 中心1インチφ内±1% 磁界周波数: 直流磁場 6 年度 磁界方向: 1方向 (円/時間) <導入年度>平成 C棟1F:電気電子開放研究室(C) 丹 健二 電子光応用開発部 内線 543 電子・通信Gr 内線 <副担当> <名称等> 高出力増幅器 H26リストNo <仕様・品質等> 150A100B-150W1000 <製造元> 日本オートマチックコントロール <用途等> 設備分類: エレクトロニクス技術 高周波電気信号の入力により、大電力電気信号を発生 <詳細仕様> 周波数範囲:10KHz-1000MHz、最大出力:150W <使用料>360 <設置場所> 本館 <主担当> (円/時間) <導入年度>平成 C棟1F:電気電子開放研究室(C) 丹 健二 電子光応用開発部 <副担当> 16 年度 内線 543 電子・通信Gr 内線 215 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> バイポーラ電源 H26リストNo 216 <仕様・品質等> BWS80-30G <製造元> 高砂製作所 <用途等> 設備分類: エレクトロニクス技術 1象限から4象限の全領域で動作可能な電源 <詳細仕様> 最大電圧:±80V、最大電流:±30A <使用料>190 <設置場所> 本館 <主担当> (円/時間) <導入年度>平成 16 年度 C棟1F:電気電子開放研究室(C) 丹 健二 電子光応用開発部 内線 543 電子・通信Gr 内線 <副担当> <名称等> ワイヤーボンダー H26リストNo <仕様・品質等> モデル16 <製造元> TPT <用途等> 設備分類: 加工技術(表面処理改質) 微小電極間を金属ワイヤにより接続 <詳細仕様> ウェッヂ・ボールボンディング可能 バンプ形成可能 使用可能ワイヤ径:17から50μm <使用料>270 <設置場所> 本館 <主担当> (円/時間) <導入年度>平成 C棟1F:電気電子開放研究室(C) 丹 健二 電子光応用開発部 <副担当> 16 年度 内線 543 電子・通信Gr 内線 217 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 雷サージ試験システム H26リストNo 218 <仕様・品質等> LSS~15AX~C1/S <製造元> ㈱ノイズ研究所 <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) EN/IEC61000-4-5 規格準拠 サージ波形:コンビネーションウェーブ(1.2/50μs、 8/20μs)、10/700μs(テレコムサージ) 最大出力電圧:15kV、最大出力電流:7500A <詳細仕様> <使用料>100 <設置場所> 本館 <主担当> (円/時間) <導入年度>平成 13 年度 C棟1F:電気電子開放研究室(B) 近藤 康夫 電子光応用開発部 内線 542 電子・通信Gr 内線 <副担当> <名称等> 静電気試験システム H26リストNo <仕様・品質等> ESS~2000 <製造元> ノイズ研究所 <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) <詳細仕様> EN/IEC61000-4-2 規格準拠 出力電圧:0.20~30kV±5% <使用料>100 <設置場所> 本館 <主担当> (円/時間) <導入年度>平成 C棟1F:電気電子開放研究室(B) 近藤 康夫 電子光応用開発部 <副担当> 14 年度 内線 542 電子・通信Gr 内線 219 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> グローワイヤー試験機 H26リストNo 220 <仕様・品質等> TA03.35(付属チャンバBT-07) <製造元> Physics tecnics Lab <用途等> 設備分類: 評価技術(製品性能など) グローヤー試験 IEC 60695-2-10(JIS C60695-2-10)試験対応 <詳細仕様> IEC 60695-2-10(JIS C60695-2-10)試験対応 500℃から960℃ 150mm×120mmまで試験が可能 <使用料>310 <設置場所> 本館 <主担当> (円/時間) <導入年度>平成 25 年度 C棟1F:電気電子開放研究室(B) 近藤 康夫 電子光応用開発部 <副担当> 内線 542 電子・通信Gr 内線 <名称等> 雑音総合評価試験機 <製造元> (株)ノイズ研究所 H26リストNo <仕様・品質等> MODEL <用途等> 221 EMC−5000S 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 本機は、雑音許容度試験機INS、電源電圧変動許容度試験 機VDS、静電気許容度試験機ESSを一体化し、さらに電源ラ イン観測装置NDR-552を加え、EMC耐力測定の統合化ならび に能率化を図ることを目的としたものである。 <詳細仕様> ○雑音許容度試験機INS-410 「インパルス幅」・・・50nsec、100nsec、200nsec、 250nsec、400nsecおよびその組合せ。最大幅1μsec。 「インパルス電圧」・・・59.9Ω負荷にてAC100V入力時 2000VMAX <使用料>870 (円/時間) <導入年度>平成 1 年度 ----------------------------------------------○電源電圧変動許容度試験機VDS-220SB <設置場所> 「被試験機電源」・・・70Vから240V 50Hzまたは60Hz 本館 C棟1F:電気電子開放研究室(B) 「異常電圧出力」・・・0Vから入力電圧の120% <主担当> 佐々木 信也 内線 564 ----------------------------------------------○静電気許容度試験機ESS-625S 電子光応用開発部 電子・通信Gr 「出力電圧」・・・本体電圧出力端にて0から25KV MAX 内線 ±10% <副担当> 「印加方式」・・・プローブ放電式 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 低温恒温高湿器 H26リストNo 222 <仕様・品質等> PSL-2K <製造元> エスペック <用途等> 設備分類: 評価技術(製品性能など) 周囲の温度や湿度を一定にした雰囲気中に試料を置き,試 料の経時変化等を確認するための装置. <使用料>240 <設置場所> 本館 <主担当> (円/時間) <導入年度>平成 <詳細仕様> 温度範囲:-70から+100℃ 湿度範囲:20から98%rh ※ただし制御可能範囲があります 変動幅:+0.3℃/±2.5%rh 温度上昇時間:-70→+100℃まで35分以内 19 年度 温度下降時間:+20→-70℃まで70分以内 内寸:W600×H850×D600[mm] C棟1F:電気電子開放研究室(B) 佐々木 大三 電子光応用開発部 <副担当> 内線 505 電子・通信Gr 本設備のお問い合わせは次のアドレスへ QSKN@rdc.pref.akita.jp ( soudanshitu@rdc.pref.akita.jp でも可) 内線 <名称等> 冷熱衝撃装置 H26リストNo 223 <仕様・品質等> TSA~71S~W <製造元> エスペック㈱ <用途等> 設備分類: 評価技術(製品性能など) 電子機器や部品に高温と低温を短時間で交互に繰り返し 与え、急激な温度変化に伴う膨張と収縮が原因で機器や部 品に発生する破壊や材料の疲労を評価する装置。 <詳細仕様> 環境試験方法:JIS C0025、EIAJ ED-2531A 方式:ダンパ切り替え方式(2ゾーン,常温込み3ゾー ン) 高温さらし温度範囲:+60~+200℃ 低温さらし温度範囲:-70~ 0℃ <使用料>590 (円/時間) <導入年度>平成 17 年度 温度変動幅:±0.5℃ 高温槽温度上昇時間:常温から+200℃まで15分以内 <設置場所> 低温槽温度下降時間:常温から-70℃まで40分以内 本館 C棟1F:電気電子開放研究室(B) テストエリア荷重:30kg(等分布荷重) <主担当> 佐々木 大三 内線 505 試料かご耐荷重:5kg(等分布荷重) テストエリア寸法(WxHxD [mm]):410x460x370 電子光応用開発部 電子・通信Gr <副担当> 内線 (ご参考)試料無しでのテストエリア温度の変化速度: -40→+90℃ および +90→-40℃ : 2分程度 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 空圧落下衝撃試験装置 H26リストNo 224 <仕様・品質等> SM−110−MP型 <製造元> ボクスイ・ブラウン(株) <用途等> 設備分類: 評価技術(製品性能など) 電気電子部品・機器等に、規定のピーク加速度と作用時間 を持つ正弦半波パルスの機械的衝撃を加える装置。 <詳細仕様> 試験条件: 「100G,6msec」「50G,11msec」「30G,11msec」 「30G,18msec」「500G、1msec」 <使用料>100 <設置場所> 本館 <主担当> (円/時間) <導入年度>平成 3 年度 C棟1F:電気電子開放研究室(A) 近藤 康夫 電子光応用開発部 内線 542 電子・通信Gr 内線 <副担当> <名称等> 衝撃解析システム H26リストNo <仕様・品質等> lansmont TP3etcキット for Win <製造元> エア・ブラウン社 <用途等> <詳細仕様> <使用料>190 <設置場所> 本館 <主担当> (円/時間) <導入年度>平成 C棟1F:電気電子開放研究室(A) 近藤 康夫 電子光応用開発部 <副担当> 13 年度 内線 542 電子・通信Gr 内線 設備分類: 評価技術(製品性能など) 225 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 振動試験機 H26リストNo 226 <仕様・品質等> F-03000BM/FA <製造元> エミック株式会社 <用途等> 設備分類: 評価技術(製品性能など) 製品が輸送中及び使用中に受ける振動を再現発生させる 装置。宇宙航空機器、自動車機器、エレクトロニクス製 品、精密機器などの製品開発における耐久性評価、輸送環 境における梱包等輸送方法の評価に使用。 <詳細仕様> 周波数範囲:(DC)から2500Hz 最大変位:30mm 最大加速度:68G <使用料>1200 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 16 年度 C棟1F:電気電子開放研究室(A) 佐々木 信也 電子光応用開発部 内線 564 電子・通信Gr 内線 <副担当> <名称等> 真空乾燥器 H26リストNo 227 <仕様・品質等> VOS-450SD <製造元> EYELA <用途等> 設備分類: 加工技術(素形材成形) 本装置は、粉体等の固体サンプルを真空下及び他の不活性 ガス雰囲気下で乾燥させるものです。 真空下で乾燥することにより、乾燥時間が短縮され、サン プルの酸化を防ぐことができます。 <使用料>120 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 <副担当> 内線 582 <詳細仕様> ・設定温度範囲 40から240℃ ・到達真空度 133Pa(1Torr) ・プログラム機能 オートスタート、オートストップ、2ステップ繰り返し、 ステップ運転(8ステップ以内) 9 年度 ・庫内寸法 450幅×450奥行×450高さ ・内容積 91ℓ ・不活性ガス 窒素など 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 自動研磨装置 H26リストNo 228 <仕様・品質等> AUTOMET2&ECOMET3 <製造元> ビューラー社 <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) 粉体、金属等の表面を研磨する装置である。 <詳細仕様> ・研磨器回転数:10から500rpm ・研磨圧力:0.45kgから27kgまで0.45kgで設定可能 <使用料>170 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 9 年度 D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 <副担当> <名称等> スクラバー付ドラフトチャンバー H26リストNo 229 <仕様・品質等> GNE-1500N <製造元> オリエンタル技研工業(株) <用途等> 設備分類: その他 本装置は、抽出等の有害ガス等が発生する場合に、安全に 実験を行うためのドラフトチャンバーである。スクラバー が付いているので、有害ガスはそこで捕集される。 <詳細仕様> 作業スペース:1500幅×750奥行×750高さ㎜ <使用料>170 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 <副担当> 9 年度 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 発熱量測定装置 H26リストNo 230 <仕様・品質等> CA-4PJ <製造元> (株)島津製作所 <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) 本装置は、各種燃料の発熱量測定、有機・無機化合物等燃 焼熱測定を行う装置です。 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> ・方式:燃研式断熱法 ・サンプル量:0.1から1g ・測定範囲:4,000から32,000J(1,000から7,500cal) ・測定精度:±80J(±20cal) ・測定時間:約30分(1サンプル) 10 年度 ・データ記憶:最大50サンプルまで可能 ・(財)日本品質保証機構による検定証付 D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 <副担当> <名称等> 粉塵ドラフト H26リストNo 231 <仕様・品質等> GNS-1800S <製造元> オリエンタル技研(株) <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) 本ドラフトは、粉体を扱う場合に発生する粉塵が人体に入 らないように、安全かつクリーンに作業を行うためのもの である。 <詳細仕様> ・方式:防爆仕様集塵機による捕集 ・作業容積:1800間口×750奥行き×750高さ ・捕集効率:1μm以上の粒子99.97% 0.2μm以上の粒子99.7% ・作業面:レプシン(エポキシ無垢材32mm厚) <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 <副担当> 10 年度 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 排ガス分析装置 H26リストNo 232 <仕様・品質等> GC-17A <製造元> (株)島津製作所 <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) 本装置は、FID(水素炎イオン化検出器)、TCD(熱伝導度検 出器)、FPD(炎光光度検出器)付きのキャピラリー・パックド併 用のガスクロマトグラフである。 <詳細仕様> カラムオーブン ・温度範囲:室温+4℃から450℃(1℃ステップ) ・プログラム段数:5段 ・昇温(降温)速度:0.1から±100℃/min(0.1℃ステップ) 試料注入部 <使用料>110 (円/時間) <導入年度>平成 10 年度 ・独立温度制御方式 ・温度範囲:室温+4℃から450℃(1℃ステップ) <設置場所> ・注入ユニット:スプリット/スプリットレス注入ユニット 本館 D棟1F:素材分析測定室 検出器 <主担当> 遠田 幸生 内線 582 FID(水素炎イオン化検出器) ・方式:ワイドレンジまたはリニア 素形材プロセス開発部 環境・エネルギーGr ・温度範囲:〜450℃(1℃ステップ) 内線 TCD(熱伝導度検出器) <副担当> ・方式:2フィラメント定電流方式 <名称等> 有害金属測定装置 H26リストNo 233 <仕様・品質等> イオンクロマトグラフィーDX-120 <製造元> 日本ダイオネクス(株) <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) 本装置は 溶液中の陰イオン、陽イオンを測定するもので ある。 <詳細仕様> サンプル量:25μℓ 測定可能イオン 陽イオン:Li+,Na+,NH4+,K+,Mg2+,Ca2+ 陰イオン:F-,Cl-,NO2-,Br-,NO3-,PO43-,SO42測定限界:10ppb以下 <使用料>360 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 <副担当> 9 年度 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> CHN元素分析装置 H26リストNo 234 <仕様・品質等> 24002CHNS/0 <製造元> (株)パーキンエルマージャパン <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) 本装置は、固体・液体サンプルの炭素・水素・窒素・硫黄 含有量を簡単にかつ迅速に測定する装置 <詳細仕様> ・分析範囲:炭素、水素、窒素、硫黄いずれも0.3から 100wt% ・サンプル量:0から500mg(通常有機物は1〜3mg) ・燃焼管温度:100から1100℃(助燃剤の使用により、 サンプル温度は1800℃以上) <使用料>210 (円/時間) <導入年度>平成 10 年度 ・分析時間:6〜8分(1サンプル) ・サンプル導入:オートサンプラーにより60サンプルまでの自動導入が <設置場所> 可能 本館 D棟1F:素材分析測定室 ・キャリブレーション:1点検量線法、多点検量線検量線法が可 <主担当> 遠田 幸生 内線 582 能。 素形材プロセス開発部 環境・エネルギーGr 内線 <副担当> <名称等> 燃焼灰品質評価装置 H26リストNo 235 <仕様・品質等> マイクロトラックHRA-X-100 <製造元> 日機装 <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) 本装置は、粉体の粒度を迅速かつ簡単に測定する粒度分布 計です。自動試料循環器がついていますので、測定は、誰 でも簡単に行うことができます。 <使用料>970 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 <副担当> <詳細仕様> ・測定原理:レーザー回折・散乱法 ・粒度測定範囲:0.12から704μm ・粒度出力区分:100ch ・サンプル所要量:0.05から2g ・出力データ:平均粒度、ヒストグラム、Rosin-Rammler 9 年度 線図、対数正規分布、データ合成など 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 焼成挙動評価装置 H26リストNo 236 <仕様・品質等> DMRXP <製造元> ライカ <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) 本装置は、燃焼灰等の粉体サンプルを加熱昇温する加熱装 置とその加熱挙動をリアルに観察する顕微鏡、並びに加熱 挙動を解析するための画像解析装置から構成されていま す。 <詳細仕様> ・顕微鏡倍率:50から500倍 ・加熱温度範囲:常温から1750℃ ・画像解析:ライン長計測、区間長計測、角度計測、任意 形状計測、抽出領域形状計測、濃度断面計測、個数カウン ト、ポイント位置計測、ピーク間距離計測、ピーク幅計測 <使用料>590 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 9 年度 D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 <副担当> 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 <名称等> ガス吸着量測定装置 H26リストNo 237 <仕様・品質等> AUTOSORBI-MP/VP <製造元> ユアサアオイニクス <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) 本装置は、ガス吸着等温線を作成することにより、固体表 面と気体との相互作用を定量化し、表面積、細孔分布等固 体性能を支配する因子を測定するものです。 <詳細仕様> ・測定範囲 比表面積 0.05㎡/g以上(窒素吸着) 細孔容積検出限界 0.0001㏄/g 細孔径分布 3.5~から5000~ ・サンプル所要量 0.1から10g <使用料>1200 (円/時間) <導入年度>平成 9 年度 ・測定点数 吸着脱離等温線で最大200 ・吸着ガス N2、Ar、CO2など <設置場所> ・物理吸着による測定項目 本館 D棟1F:素材分析測定室 BET比表面積(多点法) <主担当> 遠田 幸生 内線 582 Langmuir、B.J.H法、D.H法等による細孔容積と比表面積分 布など 素形材プロセス開発部 環境・エネルギーGr <副担当> 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 波長分散型蛍光X線装置 H26リストNo 238 <仕様・品質等> XRF-1700(4KW) <製造元> 島津製作所 <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) 固体、液体等の廃棄物や無機化合物の化学組成を分析する 装置である。測定表面上の0.5mm間隔のマッピングも可能 である。 <使用料>900 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> ・測定可能な固体サンプル形状:直径50mm以下×高さ35mm 以下 ・測定可能な粉体サンプル量:1g以上 ・測定可能元素:ホウ素からウランまで ・測定時間:10分以上 11 年度 ・測定限界:10ppm(条件によっては1ppmまで可) ・視野絞り:1、3、10、20、30mm D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 内線 素形材プロセス開発部 582 環境・エネルギーGr 内線 <副担当> <名称等> ガスクロマトグラフ質量分析装置 H26リストNo <仕様・品質等> Agirent 5973W <製造元> 横河アナリティカルシステムズ <用途等> <詳細仕様> <使用料>170 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 <副担当> 12 年度 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 設備分類: 評価技術(化学組成など) 239 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> GC用熱分解装置 H26リストNo 241 <仕様・品質等> PY-2020iD <製造元> (株)島津製作所 <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) 熱分解させた試料をガスクロマトグラフに導入するための 前処理装置で、木材などの有機物の熱分解ガスの測定、基 板等の有機物から加熱等で発生する炭化水素系ガスなどの 測定が可能となる <詳細仕様> 1-15-02-04-999-000001 排ガス分析装置と同時使用 <使用料>520 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 分解加熱炉 ・40℃から800℃以上。(1℃毎)昇温可能で4段階昇温可能 21 年度 ・昇温速度:1から100℃/min(1℃/min毎)以上 ・熱分解時間:1から999.9 min(0.lmin毎)以上 D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 内線 素形材プロセス開発部 582 環境・エネルギーGr 内線 <副担当> <名称等> サイクロンサンプルミル H26リストNo 242 <仕様・品質等> CSM-F1 <製造元> 静岡精機(株) <用途等> 設備分類: 加工技術(素形材成形) 約10mmの木片、草木、稲わらなどを0.5mm以下に粉砕す る装置 <詳細仕様> ・数十mmの木片、草木、稲わらなどを0.5mm以下に粉砕 可能 ・ボール、ロッド等の粉砕媒体を使用しない粉砕方法 ・木材の場合、1分間に50g以上処理 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 <副担当> 20 年度 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> ハロゲン化合物測定自動前処理装置 H26リストNo 243 <仕様・品質等> AQF-100 <製造元> 三菱化学(株+D102) <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) イオンクロマトグラフにより有機物・無機物中の塩素、 臭素、硫黄を測定するため、前処理として試料を燃焼し各 元素を吸収液に捕集する装置。 <詳細仕様> 吸収ユニット オートボートコントローラ <使用料>720 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 18 年度 D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 内線 素形材プロセス開発部 582 環境・エネルギーGr 内線 <副担当> <名称等> ビード作製装置 H26リストNo 244 <仕様・品質等> TK-4100型 <製造元> 東京科学㈱ <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) 波長分散型蛍光X線装置で精度良く測定するため、サン プルを溶解しビードにする必要があり、そのビードを作成 するための装置。 <詳細仕様> 温度範囲:150から1300℃ 溶融、振動の各時間を任意に設定可 <使用料>790 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 <副担当> 16 年度 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> ハンディ型燃焼排ガス分析計 H26リストNo 245 <仕様・品質等> t350システムXL <製造元> (株)テストー <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) 小型ボイラー・燃焼炉から排出されるガス中のO2、NOx、SOx、 CO、CO2濃度を測定する装置 <使用料>120 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> O2 0から25Vol.% (分解能 0.01Vol.%) CO(H2補償) 0から10,000ppm (分解能 1ppm) NO 0から3,000ppm (分解能 1ppm ) NO2 0から500ppm (分解能 0.1ppm ) SO2 0から5,000ppm (分解能 1ppm ) (分解能 0.1ppm ) 23 年度 H2S 0から300ppm CO2(IR) 0~50Vol.% (分解能 0.1Vol.%) D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 内線 素形材プロセス開発部 582 環境・エネルギーGr 内線 <副担当> <名称等> 粒度分布測定装置 H26リストNo 246 <仕様・品質等> MT3300EX2-SDC-H <製造元> 日機装(株) <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) 本装置は、粉体の粒度を迅速かつ簡単に測定する粒度分布 計です。自動試料循環器がついていますので、測定は、誰 でも簡単に行うことができます。 <詳細仕様> ・測定原理:レーザー回折・散乱法 ・粒度測定範囲:0.02から2000μm ・出力データ:平均粒度、ヒストグラム、Rosin-Rammler 線図、対数正規分布、データ合成など <使用料>570 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> D棟1F:素材分析測定室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 <副担当> 25 年度 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 低温恒温恒湿器 H26リストNo 247 <仕様・品質等> PL−3SP型 <製造元> タバイエスペック(株) <用途等> 設備分類: 評価技術(製品性能など) 温湿度変化に対して、機器及び部品・材料がどのような変 化を起こすかを試験する装置。 <詳細仕様> 温湿度範囲:-40から+100℃/20〜98%RH (2013.5月現在) 対応可能温度は0から+100℃。 <使用料>170 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 5 年度 D棟1F:環境評価試験室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 <副担当> <名称等> 分光光度計 H26リストNo 248 <仕様・品質等> U-3000 <製造元> (株)日立製作所 <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 溶液試料の紫外・可視領域の透過率、吸光度を高感度、高 精度、迅速に測定し、定量分析を行う。 <使用料>340 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> 波長範囲:190から900nm 分光器:瀬谷−波岡形分光器 検知器:光電子増倍管 光源:紫外域;重水素ランプ 可視域;ヨウ素タングステンランプ (円/時間) <導入年度>平成 10 年度 光源切り替え:波長に連動した自動切り替え 測光方式:ダブルビーム直接比率測光方式 測定モード:吸光度、透過率、反射率、リファレンス側 D棟1F:環境評価試験室 エネルギー、サンプル側エネルギー 遠田 幸生 内線 582 素形材プロセス開発部 <副担当> 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 卓上遠心分離機 H26リストNo 249 <仕様・品質等> H−900 <製造元> 国産遠心器株式会社 <用途等> 設備分類: 加工技術(素形材成形) 微粒子の含まれる溶液試料の分離において、普通のろ過操 作で分離困難な場合や少量の沈殿物の分離のため、遠心力 を用いた分離操作を行う。これによって、沈殿と溶液との 分離が速やかに行われ、溶液中の沈殿物の観察や沈殿物の 化学分析等が可能である。 <詳細仕様> 試料量:100ml×8本 回転数:100から6000rpm 遠心力:10から7000g <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 3 年度 D棟1F:環境評価試験室 遠田 幸生 内線 素形材プロセス開発部 582 環境・エネルギーGr 内線 <副担当> <名称等> ICP質量分析装置 H26リストNo 250 <仕様・品質等> Agirent 7500 Series ICP-MS <製造元> アジレント・テクノロジー(株) <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) アルゴンガスの誘導結合プラズマによって、溶液中の元 素をイオン化した後、四重極質量分析計に取り込み、質量 別に分別後、元素濃度を検出する装置である。多元素を同 時に分析でき、かつ元素濃度を、ppt(1兆分の1)まで 測定する装置。 <詳細仕様> ダイナミックレンジ:9桁(1桁pptから100ppt オーダーの同時定量が可能) 定性半定量分析が可能 <使用料>1650 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> D棟1F:環境評価試験室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 <副担当> 18 年度 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> イオンクロマトグラフ(陰イオン・陽イオン・糖分析システム) H26リストNo 251 <仕様・品質等> ICS~3000+2100型 <製造元> ダイオネクス <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) 水溶液中の陰イオン(塩素イオン、硝酸イオン、硫酸イオ ン、リン酸イオンなど)、陽イオン(アンモニウムイオ ン、ナトリウムイオン、カリウムイオンなど)、糖成分 (グルコース、マンノース、キシロース等)を測定する装 置 <使用料>1550 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> ①送液機能:4溶媒以上のグラジェント送液機能 ②送液方法:ダブルプランジャー方式 ③流量範囲:0.001から10 mL/min以上、0.01 mL/min毎に 設定可能 ④流量精度:1mL/minのとき±0.1%以内 22 年度 ⑤動作圧力:0.1から35 MPa(15~5000 psi)の範囲で動 作 D棟1F:環境評価試験室 遠田 幸生 内線 素形材プロセス開発部 582 環境・エネルギーGr ⑥糖検出モード:電気化学検出器と金電極による測定 ⑦糖質分析用四電位パルス測定が可能なインテグレーテッ ドパルスドアンペロメトリ(以下 IPAD) 内線 <副担当> <名称等> 吸着性能評価装置 H26リストNo 252 <仕様・品質等> ChemBET-3000型 <製造元> Quantachrome社 <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) 炭化物などの吸着がアンモニア等のガスをどの程度吸着 するかを測定する装置。 <詳細仕様> 比吸着質体積:0.0001ml/g以上 使用可能ガス:Nox系、Sox系、アンモニア系 <使用料>690 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> D棟1F:環境評価試験室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 <副担当> 16 年度 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> バイオシェーカー H26リストNo 253 <仕様・品質等> BR-43FL-MR <製造元> タイテック(株) <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) 一定温度で溶液を振盪もしくは旋回させ、酵素糖化や発酵など を行う培養器 <詳細仕様> ○温度:+ 4 ℃~+ 70℃ ○往復・旋回振盪が切り替え可能 ・振盪速度:20から300rpm ○500ml三角フラスコを6本以上装着可能 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 23 年度 D棟1F:環境評価試験室 遠田 幸生 内線 素形材プロセス開発部 582 環境・エネルギーGr 内線 <副担当> <名称等> 分子量分布測定装置 H26リストNo 254 <仕様・品質等> ProminenceGPCシステム <製造元> 島津製作所 <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC) <使用料>380 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> D棟1F:環境評価試験室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 <副担当> <詳細仕様> オートサンプラー注入量(μL):0.1から100 並列ダブルプランジャポンプ:並列 検出器:示差屈折率 ガードカラム:分析カラム、標準試料 リグニン測定:可 25 年度 カラムオーブン温度:室温+10から65℃ 出力内容:数平均分子量、重量平均分子量、Z平均分子量 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 微粉砕機 H26リストNo 255 <仕様・品質等> MB-1 <製造元> 中央化工機(株) <用途等> 設備分類: 加工技術(表面処理改質) 10mm前後のフェライト、金属、アルミナ、石膏、石炭等を 数十〜数ミクロンまで粉砕可能な振動ミルである。 <詳細仕様> ・1バッチ当たりの標準粉砕量約0.8ℓ×2(ポット2個) ・粉砕時間は粉砕物よって変わる。 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 9 年度 D棟1F:粉砕評価試験室 遠田 幸生 内線 素形材プロセス開発部 582 環境・エネルギーGr 内線 <副担当> <名称等> 粗粉砕機 H26リストNo 256 <仕様・品質等> SR-2 <製造元> 三田村理研工業(株) <用途等> 設備分類: 加工技術(粉体焼結接合) 50mm前後のフェライト、金属、アルミナ、石膏、石炭等を 数百ミクロンまで粉砕可能な振動ミルである。 <詳細仕様> 粉砕量:1時間当たり約100から200kg 環状スクリーン孔径:0.25、0.5、1.0、2.0、3.0mm <使用料>130 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> D棟1F:粉砕評価試験室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 <副担当> 9 年度 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 凍結粉砕器 H26リストNo 257 <仕様・品質等> JFC~1500型 <製造元> 日本分析工業 <用途等> 設備分類: 加工技術(素形材成形) <詳細仕様> ・振動回転数1700rpm以上 ・振幅8mm以上 ・液体窒素連続注入式 ・タイマー0から60min <使用料>300 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 15 年度 D棟1F:粉砕評価試験室 遠田 幸生 内線 素形材プロセス開発部 582 環境・エネルギーGr 内線 <副担当> <名称等> 小型タンデムリング粉砕機 H26リストNo 258 <仕様・品質等> TR-LM <製造元> 中央化工機商事(株) <用途等> 設備分類: 新・省エネルギー バイオマス、化学原料などの固体物質を短時間で粉砕し、かつ固 体内部の構造を変化させる(メカノケミカル効果)衝撃式粉砕 機。 <詳細仕様> ・振動数を1000から1500rpm ・試料ポットの容量は3.4L ・メカノケミカル効果を短時間で発揮する粉砕媒体を装備 ・200V3相、防音箱装備 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> D棟1F:粉砕評価試験室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 <副担当> 24 年度 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> アスファルトミキサー H26リストNo 259 <仕様・品質等> 北大型30k練2Hp <製造元> <用途等> 設備分類: 加工技術(素形材成形) <詳細仕様> <使用料>150 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 本館 <主担当> 2 年度 D棟1F:アスファルト評価室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 <副担当> <名称等> アスファルト用乾燥機 H26リストNo <製造元> <仕様・品質等> <用途等> <詳細仕様> <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 S46 年度 <設置場所> 本館 D棟1F:アスファルト評価室 <主担当> 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 <副担当> 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 設備分類: 加工技術(素形材成形) 260 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> ガスコンロ H26リストNo <製造元> 261 <仕様・品質等> <用途等> 設備分類: その他 <詳細仕様> <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 S55 年度 <設置場所> 本館 D棟1F:アスファルト評価室 <主担当> 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 <副担当> <名称等> ローラーコンパクター H26リストNo 262 <仕様・品質等> TR−323C <製造元> 谷藤 <用途等> 設備分類: 加工技術(素形材成形) 各種試験評価用アスファルト供試体作成 <使用料>130 <設置場所> 本館 <主担当> <詳細仕様> 実際に舗装される道路のアスファルト混合物と同様の荷重 を与えて、アスファルト混合物の供試体を作成する装置。 供試体作成の最大寸法は、40×30cm、最大荷重は、線圧 で40kg/cm。 転圧開始温度の設定や転圧回数の設定により、自動で転圧 (円/時間) <導入年度>平成 S47 年度 を開始し、離形材の散布の自動のほかランプ点灯時に表面 部の成形などを指示する自動転圧システム。 D棟1F:アスファルト評価室 遠田 幸生 素形材プロセス開発部 <副担当> 内線 582 環境・エネルギーGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 3連式自動ホイールトラッキング試験機 H26リストNo 263 <仕様・品質等> HKA-110A3D-CW15 <製造元> ニッケン <用途等> 設備分類: 評価技術(製品性能など) 動的安定度評価試験(D.S) <詳細仕様> 夏季等におけるアスファルト舗装の耐流動特性を評価する 試験機で、供試体を60℃の状態で大型車と同様の接地圧を 与え供試体表面をゴム輪を走行させながらわだち深さを測 定する。 試験に用いる供試体は30×30×5cmの供試体で、1時間/ <使用料>740 (円/時間) <導入年度>平成 8 年度 1サイクルに3枚試験でき6サイクル連続で18枚の試験 ができる。 <設置場所> 1日で6サイクル×2回の試験ができ、36枚/1日当り 本館 D棟1F:供試体準備室 の試験ができる。 <主担当> 遠田 幸生 内線 582 試験および計測は、全自動システムとなっている。 素形材プロセス開発部 環境・エネルギーGr 内線 <副担当> <名称等> 蛍光X線膜厚計 H26リストNo 264 <仕様・品質等> SEA-5120 <製造元> セイコー電子工業 <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) 多層膜の膜厚及び元素分析の非破壊測定 <詳細仕様> 測定可能元素:AlからU、薄膜:最大5層、各層10成分の 膜厚X線検出部:Si(Li)半導体検出器、測定可能膜厚:1 nm <使用料>1400 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:X線解析室400 岡田 紀子 技術イノベーション部 <副担当> 6 年度 内線 *114 技術コーディネート班 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 薄膜構造評価用高輝度X線回折装置 H26リストNo 265 <仕様・品質等> ATX-G <製造元> 理学電機 <用途等> 設備分類: 解析技術 定格出力:18Kw、X線源:Cu、5軸ゴニオメータ 用途:単結晶薄膜、エピタキシャル薄膜の結晶構造評価・ 解析に用いる。 <詳細仕様> 測定試料の大きさ:1インチ角以上3インチ丸以内、厚み: 1mm以下 <使用料>5900 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 12 年度 1F:X線解析室400 鈴木 淑男 先端機能素子開発部 内線 *271 スピン・ナノデバイスGr 内線 <副担当> <名称等> 電子スピン共鳴測定装置 H26リストNo 266 <仕様・品質等> EMXplus型(マイクロ波ブリッジ含) <製造元> ブルカー・バイオスピン社 <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 磁場中で試料にマイクロ波を照射し、試料に存在する格子 欠陥や表面の欠陥(ダングリングボンド)を評価する装置 <詳細仕様> 検出限界: 2×10^9 spin/G 周波数帯: Xバンド マイクロ波出力:200 mW 円筒型TE011共振器を装備 <使用料>1800 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:X線解析室400 鈴木 淑男 先端機能素子開発部 <副担当> 25 年度 神田 哲典 内線 *271 スピン・ナノデバイスGr 内線 *201 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 電子顕微鏡用引伸機 H26リストNo 267 <仕様・品質等> L1200 <製造元> ダースト <用途等> 設備分類: その他 電子顕微鏡写真の引き伸ばし <詳細仕様> フィルムサイズ 1×5inchから35mm判,電顕フルサイ ズ・ハーフサイズ使用可 <使用料>790 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 5 年度 1F:暗室 岡田 紀子 技術イノベーション部 内線 *114 技術コーディネート班 内線 <副担当> <名称等> イオンスパッタ装置 H26リストNo 268 <仕様・品質等> JUC-5000 <製造元> 日本電子 <用途等> 設備分類: 薄膜技術 電子顕微鏡での観察の際に試料表面に導電膜をコーティン グ <詳細仕様> マグネトロン方式、タ-ゲット:Pt,Au,Pt-Pd,C,Al <使用料>2000 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:走査型電子顕微鏡室401 岡田 紀子 技術イノベーション部 <副担当> 4 年度 内線 *114 技術コーディネート班 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> マイクロオージェ電子分光装置 H26リストNo 269 <仕様・品質等> JAMP-7830F <製造元> 日本電子㈱ <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) 試料の微小領域における元素分析、深さ方向分析、化学結 合状態分析 <詳細仕様> 電子銃:ショットキーフィールドエミッションタイプ、プ ローブ径:4nm(二次電子像)、10nm(オージェ)、エネル ギー範囲:0-3000eV <使用料>9100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 14 年度 1F:走査型電子顕微鏡室401 岡田 紀子 技術イノベーション部 内線 *114 技術コーディネート班 内線 <副担当> <名称等> 断面試料作製装置 H26リストNo 270 <仕様・品質等> クロスセクション・ポリッシャ9010 <製造元> 日本電子 <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) 試料サイズ 7mm角×2mm厚以上、加工イオンビーム径 >φ100ミクロン、エッチングレート >20ミクロン/時、加 工面積 >1mm <詳細仕様> <使用料>620 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:走査型電子顕微鏡室401 岡田 紀子 技術イノベーション部 <副担当> 17 年度 内線 *114 技術コーディネート班 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 実体顕微鏡 H26リストNo 271 <仕様・品質等> SZH-141 <製造元> オリンパス <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 試料の立体観察 <詳細仕様> ズ-ム比:8.5倍 透過・落射型照明 <使用料>340 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 4 年度 1F:透過型電子顕微鏡室402 岡田 紀子 内線 技術イノベーション部 *114 技術コーディネート班 内線 <副担当> <名称等> 光電子分光装置 (ESCA) H26リストNo <仕様・品質等> 5600MC <製造元> アルバックファイ <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) 材料表面の組成・化学状態の分析、深さ方向の分析 <詳細仕様> X線源:Al/Mg、分解能(eV)-感度(kcps) (φ0.075mm) <使用料>17600 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:表面分析室403 田口 香 技術イノベーション部 <副担当> 4 年度 内線 550 技術コーディネート班 内線 :1.4eV-10kcps 273 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 2次元光検出器 H26リストNo 274 <仕様・品質等> BQ-73LN <製造元> ビットラン <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 試料の反射像や磁化像などの2次元像を2次元光検出器で測 定・観察する <詳細仕様> ・電子冷却型CCDカメラ ・波長特性 検出波長帯域が400から650 nm以上 ・撮像面積:20 mm×20 mm以上 ・1フレームの画像取得に要する時間が1秒以内 <使用料>110 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 22 年度 1F:磁気測定室404 近藤 祐治 先端機能素子開発部 内線 *209 スピン・ナノデバイスGr 内線 <副担当> <名称等> 紫外分光式磁気特性評価装置 H26リストNo 275 <仕様・品質等> BH-M800UV-HD-10 <製造元> ネオアーク <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 磁性材料の磁気特性を紫外域から可視域波長範囲にて評 価する装置。 <詳細仕様> カー効果測定装置 <使用料>1400 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:磁気測定室404 山根 治起 電子光応用開発部 <副担当> 波長範囲:250nmから900nm 波長送りピッチ:10nm 最大発生磁場:25k0e 17 年度 試料サイズ:φ65mmおよび10mm角以内 測定スポット径:約3x10mm 内線 *207 オプトエレクトロニクスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 高感度マグネットメータ H26リストNo 277 <仕様・品質等> MicroMag2900 <製造元> プリンストンメジャメンツ社 <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 微小試料(薄膜)の磁気特性測定 <詳細仕様> 測定レンジ:0.000001から5emu/FS、最大感度:10-8emu、分解 能:0.005%、磁界レンジ:30から30kOe 測定試料(基板)大きさ:約2mm角、0.5mm厚 <使用料>4400 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 5 年度 1F:磁気測定室404 鈴木 淑男 先端機能素子開発部 内線 *271 スピン・ナノデバイスGr 内線 <副担当> <名称等> ディンプルグラインダ H26リストNo <仕様・品質等> D-500 <製造元> VCR <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) 主に透過型電子顕微鏡用試料の研磨薄膜加工 <詳細仕様> 最終厚さ:10μm以下 <使用料>1700 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:化学実験室405 岡田 紀子 技術イノベーション部 <副担当> 4 年度 内線 *114 技術コーディネート班 内線 278 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> ダイヤラップ研磨システム H26リストNo 279 <仕様・品質等> ML-150P <製造元> マルトー <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) 主に透過型電子顕微鏡用試料の研磨加工 <詳細仕様> ラップ盤サイズ:φ150mm、回転数:30から190rpm <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 5 年度 1F:化学実験室405 岡田 紀子 技術イノベーション部 内線 *114 技術コーディネート班 内線 <副担当> <名称等> 低速切断機 H26リストNo 280 <仕様・品質等> SBT650 <製造元> サウスベイテクノロジー <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) 主に透過型電子顕微鏡用試料の精密切断加工 <詳細仕様> 回転数:0~300rpm、試料サイズ:φ33mm最小切断厚さ:0.2mm <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:化学実験室405 岡田 紀子 技術イノベーション部 <副担当> 5 年度 内線 *114 技術コーディネート班 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 純水・超純水製造装置 H26リストNo 281 <仕様・品質等> RFU655DA・RFP543RA <製造元> アドバンテック <用途等> 設備分類: その他 めっき成膜を行う際の器具洗浄および試料洗浄等 <使用料>240 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:化学実験室405 田口 香 技術イノベーション部 内線 <詳細仕様> ・純水の製造能力が10リットル/時以上 ・純水の純度(水質)が比抵抗値で3MΩ・cm(at 25℃)以上 ・純水のタンク容量が 50リットル以上 ・超純水の純度(水質)が比抵抗値で18MΩ・cm(at 22 年度 25℃)以上,或いは電気伝導率で0.06μS/cm(at 25℃)以下 ・超純水の水質がTOC 0.05mg/リットル以下 550 技術コーディネート班 内線 <副担当> <名称等> 恒温恒湿槽 H26リストNo 282 <仕様・品質等> AGX-224 <製造元> ADVANTEC <用途等> 設備分類: 評価技術(製品性能など) 高温高湿耐環境試験 <詳細仕様> 温度:-20から100℃、湿度:30から98%、温度分布:±0.5℃: 湿度分布:±3%、w400×D400×H500 <使用料>310 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:化学実験室405 櫻田 陽 電子光応用開発部 <副担当> 7 年度 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 静電容量微小変位計 H26リストNo 283 <仕様・品質等> PS-Ⅲ-5D <製造元> ナノテックス <用途等> 設備分類: メカトロニクス技術 測定分解能:5nm、測定範囲:0から50μm、プローブ外 径:4mm、応答周波数:1KHz <詳細仕様> <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 16 年度 1F:化学実験室405 櫻田 陽 電子光応用開発部 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 <副担当> <名称等> 金属顕微鏡 H26リストNo 284 <仕様・品質等> XPF-UNRB <製造元> ニコン <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 試料表面の観察及び撮影 <詳細仕様> 明視野、暗視野、微分干渉観察機能、最高倍率:1,000倍、写真 カメラ付き <使用料>950 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:精密加工室406 伊勢 和幸 先端機能素子開発部 <副担当> 4 年度 内線 590(245) 機能性材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 静電式パターニング装置 H26リストNo 285 <仕様・品質等> QDX500-V-XC <製造元> エンジニアリングシステム(株) <用途等> 設備分類: 薄膜技術 金属微粒子や有機物質などを分散・溶解させた液材と、こ の液材の吐出対象である基板との間に電圧を印加すること で生じる静電引力を用いて液材を吐出し、微小形状膜を直 接形成する装置 <使用料>1100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> <詳細仕様> 液材吐出方式:静電方式 液材吐出先端口径:標準10から200 μm 点描画形成ドット径:20μm以下 線描画形成ライン幅:30μm以下 常温時対応液材粘度:5 Pa・s 25 年度 描画範囲:XY:50 mm Z軸高さ方向調整量:100 mm 1F:精密加工室406 伊勢 和幸 内線 590(245) 先端機能素子開発部 機能性材料Gr 内線 <副担当> <名称等> 揺動式片面精密研磨機 H26リストNo <仕様・品質等> LPS-38A <製造元> 不二越 <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) 高精度研磨 <詳細仕様> エアースピンドル定盤回転数:10から300rpm <使用料>730 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:精密加工室406 山川 清志 内線 上級主席研究員 <副担当> 内線 *210 5 年度 286 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> ハイトゲージ H26リストNo 287 <仕様・品質等> CERTO-CT60M <製造元> ハイデンハイン <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 基板、部品などの厚さ、高さの計測 <詳細仕様> 最小表示:0.05μm、 ストロークでのバラツキ:±0.1μm以内、 ストローク:60mm、操作:電動 <使用料>420 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 6 年度 1F:精密加工室406 山川 清志 内線 *210 上級主席研究員 内線 <副担当> <名称等> 揺動式片面精密研磨機 H26リストNo 288 <仕様・品質等> SPL15 <製造元> ラップマスターSF <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) 基板の鏡面加工 <詳細仕様> エアーベアリング定盤回転数:1から400rpm、最小切込量:1μmテー ブル上面水平度:2.0μm/380mm、フェーシング真直 度:0.4μm/140mm、ワーク強制回転:0~280rpm <使用料>1500 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:精密加工室406 山川 清志 内線 上級主席研究員 <副担当> 内線 *210 6 年度 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> ダイシング・ソー H26リストNo 289 <仕様・品質等> DAD320 <製造元> ディスコ <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) ガラスやシリコンなどの薄板の精密切断 <詳細仕様> 最大ワークサイズ:φ<160mm、厚さ<2.5mm、回転数:20000rpm、X 軸送り速度:0.1から300mm/sec、最小移動単位:Y軸 0.2μm,Z軸 1μm <使用料>1450 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 7 年度 1F:精密加工室406 内田 勝 電子光応用開発部 内線 *204 オプトエレクトロニクスGr 内線 <副担当> <名称等> バッチ式多元スパッタ装置 H26リストNo 290 <仕様・品質等> SPM506 <製造元> トッキ <用途等> 設備分類: 薄膜技術 電子デハイス用薄膜作製全般。特に、磁性材料薄膜。 <詳細仕様> プレーナマグネトロン方式φ4インチカソード6基(RFx2、DCx4)、スパッ タアップ、基板6枚まで可、基板加熱:ターンテーブル 300℃,ブロッ クヒータ 500℃、到達圧力2×10-5Pa <使用料>3750 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:CR薄膜作製409 新宅 一彦 先端機能素子開発部 <副担当> 7 年度 内線 *208 スピン・ナノデバイスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> イオンビームガン H26リストNo 291 <仕様・品質等> EMIS-212 <製造元> アリオス <用途等> 設備分類: 加工技術(表面処理改質) イオンビームを薄膜作製前の基板に照射し、薄膜の密着 性向上などの表面活性化や、作製した薄膜に照射し酸化・ 窒化など薄膜の改質を行う装置。 <詳細仕様> ECRイオンガン(2.45 GHz)、Arなどの不活性イオン種、N2, O2などの活性イオン種が使用可能、イオン電流密度 >1.5 mA/cm2、有効ビーム径 >φ50mm <使用料>430 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 17 年度 1F:CR薄膜作製409 内田 勝 電子光応用開発部 内線 *204 オプトエレクトロニクスGr 内線 <副担当> <名称等> スパッタリング用パルス電源 H26リストNo 292 <仕様・品質等> RPG-50A-00 <製造元> 日本MKS <用途等> 設備分類: 薄膜技術 スパッタの際の電力を供給する電源として、特に酸化膜 を高品位に作製できるようにするためのパルス電源。 <詳細仕様> パルス周波数 50-250 kHz、出力デューティ比 0-40%、 最大出力 5kW、逆バイアス印加 <使用料>290 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:CR薄膜作製409 内田 勝 電子光応用開発部 <副担当> 17 年度 内線 *204 オプトエレクトロニクスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> スパッタ・蒸着複合装置 H26リストNo 293 <仕様・品質等> SPS506 <製造元> トッキ <用途等> 設備分類: 薄膜技術 スパッタリング方式と蒸着方式の両方で成膜 <詳細仕様> カソード:φ4インチプレーナマグネトロン方式、スパッタアップ6基(EB蒸発源: 出力10Kw)、基板加熱:スパッタホルダ 600℃,蒸着ホルダ 300℃、 排気時間:10-4Pa台まで10分以内、到達圧力1×10-5Pa 成膜用基板の大きさ:1インチ角 <使用料>3900 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 7 年度 1F:CR薄膜作製409 鈴木 淑男 先端機能素子開発部 内線 *271 スピン・ナノデバイスGr 内線 <副担当> <名称等> 分子線エピタキシー装置 H26リストNo 294 <仕様・品質等> EW-100S <製造元> エイコー・エンジニアリング <用途等> 設備分類: 薄膜技術 原子一層の堆積を制御し、高品位の超格子・規則格子薄 膜や磁気・半導体デバイス用薄膜を作製するための装置。 <詳細仕様> エフュージョンセル:2基、電子ビーム:4基、基板最大 加熱温度:800℃、到達真空度:3×10-8Pa、RHEED装備 基板:1インチ角、0.5mm厚 <使用料>4800 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:CR薄膜作製409 鈴木 淑男 先端機能素子開発部 <副担当> 17 年度 内線 *271 スピン・ナノデバイスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> ディスクスパッタ装置 H26リストNo 301 <仕様・品質等> SSH-4S <製造元> 日本真空技術 <用途等> 設備分類: 薄膜技術 ディスク媒体用薄膜試料の作製 <詳細仕様> チャンバ構成:仕込取出、前処理、第1スパッタ、第2スパッタ室基板 サイズ:φ1.8から3.5インチ取付基板枚数:8枚最高加熱温 度:650°静止、回転成膜 <使用料>12300 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 5 年度 1F:CR薄膜作製410 山根 治起 内線 電子光応用開発部 *207 オプトエレクトロニクスGr 内線 <副担当> <名称等> 光学式表面解析装置 H26リストNo 302 <仕様・品質等> OSA5100-200SQ <製造元> Candela Instruments <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 金属基板、ガラス基板などの表面形状(スクラッチ、 パーティクル、粗さ、残渣、欠陥など)や磁区構造などを 非接触で測定する装置。 <詳細仕様> 最小スクラッチサイズ:深さ<5 nm、幅<100 nm、最小パーティ クルサイズ:<200 nm、磁気像(カー回転角):<±50 mdeg、表面 トポグラフィ(微小粗さ、うねり)感度:<0.1 nm <使用料>1100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:CR薄膜作製410 山根 治起 電子光応用開発部 <副担当> 16 年度 内線 *207 オプトエレクトロニクスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> イオンミリング装置 H26リストNo 303 <仕様・品質等> ミラトロンⅣ <製造元> コモンウェルス <用途等> 設備分類: 加工技術(表面処理改質) アルゴンイオンによる表面の微細加工 <詳細仕様> ビーム径:φ4″、基板サイズ:最大φ3″、加速電圧:200から 2,000V、最大ビーム電流:250mA <使用料>1900 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 4 年度 1F:CR薄膜作製410 山川 清志 内線 *210 上級主席研究員 内線 <副担当> <名称等> 超高真空多元スパッタ装置 H26リストNo 305 <仕様・品質等> MPS-4000-C6 <製造元> アルバック <用途等> 設備分類: 薄膜技術 ロードロック室、酸化物製膜室(φ2インチカソード2基)、メタル製膜室 (φ2インチカソード6基)、基板加熱各室600℃、磁場印加機構、 到達圧力1.3×10-7Pa(メタル製膜室) <詳細仕様> <使用料>6000 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:CR薄膜作製410 新宅 一彦 先端機能素子開発部 <副担当> 15 年度 内線 *208 スピン・ナノデバイスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> リークデテクター H26リストNo 307 <仕様・品質等> ASM120HS <製造元> 日電アネルバ <用途等> 設備分類: 評価技術(化学組成など) 真空容器の漏れ測定 <詳細仕様> 測定範囲:10-9~10-1mbarl/sec、ビッグリークモード10 -8から1mbarl/sec、応答時間<1sec、分析管感度:3×10 -4A/mbar <使用料>810 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 4 年度 1F:CR薄膜作製410 内田 勝 電子光応用開発部 内線 *204 オプトエレクトロニクスGr 内線 <副担当> <名称等> MEMS対応型マスクアライナ H26リストNo 308 <仕様・品質等> MA6BSA <製造元> ズース・マイクロテック <用途等> 設備分類: 薄膜技術 紫外線レジストへの露光 <詳細仕様> 基板サイズ:からφ4″、露光モード:プロキシミティ、コンタクト、等、 光源:Hgランプ(g線)、解像度:1.0μm以下、裏面アライメント 対応、アライメント精度:±1μm以下 <使用料>1950 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:CR微細加工411 伊勢 和幸 先端機能素子開発部 <副担当> 15 年度 内線 590(245) 機能性材料Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> レーザー直接描画装置 H26リストNo 309 <仕様・品質等> DWL 200UV <製造元> ハイデルベルク社 <用途等> 設備分類: 薄膜技術 フォトマスクの作製、およびマスクレスフォトリソグラ フィ <詳細仕様> 標準レジスト(i,g線)の露光、最大基板サイズ:200mm 角、最小描画線幅:0.6μm、自動フォーカス・位置合わせ 機能 <使用料>270 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 10 年度 1F:CR微細加工411 高橋 慎吾 内線 *113 先端機能素子開発部 内線 <副担当> <名称等> 工場顕微鏡システム H26リストNo 310 <仕様・品質等> MM-11U <製造元> ニコン <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 大寸法試料表面の観察 <詳細仕様> Z軸ストローク:80mm、WD:8.5(×20)、微分干渉、多重干渉 デジタルスケール付き(0.001mm単位) <使用料>2950 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:CR微細加工411 田口 香 技術イノベーション部 <副担当> 4 年度 内線 550 技術コーディネート班 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 超音波洗浄装置 H26リストNo 311 <仕様・品質等> W118 <製造元> 本多電子 <用途等> 設備分類: その他 基板等の洗浄 <詳細仕様> 最大出力:1200W、発振周波数:28kHz、45kHz、100kHz <使用料>440 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 7 年度 1F:CR微細加工411 田口 香 内線 技術イノベーション部 550 技術コーディネート班 内線 <副担当> <名称等> 純水・超純水製造装置 H26リストNo 312 <仕様・品質等> Milli-Q Integral 10 <製造元> 日本ミリポア株式会社 <用途等> 設備分類: その他 成膜前の基板洗浄およびレジスト現像後の洗浄用(CR 内) <使用料>230 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:CR微細加工411 田口 香 技術イノベーション部 <副担当> 内線 <詳細仕様> ・純水の製造能力が10リットル/時以上 ・純水の純度(水質)が比抵抗値で 3MΩ・cm (at 25℃)以上 ・純水のタンク容量が 50リットル以上 ・超純水の純度(水質)が比抵抗値で 18MΩ・cm 21 年度 (at 25℃)以上,或いは電気伝導率で 0.06μS/cm (at 25℃)以下 ・超純水の水質がTOC 0.05mg/リットル以下 550 技術コーディネート班 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> サンプリングオシロスコープ H26リストNo 313 <仕様・品質等> 9354TM <製造元> レクロイジャパン <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 波形信号の観察・収集・演算処理 <詳細仕様> サンプリングレート:100MS/s、チャンネル数:4ch、ストレージ長:2MW/ch、最 小垂直レンジ:2mV、HD,FD,ICカード、プリンタ付き <使用料>150 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 7 年度 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 <副担当> <名称等> 高速スペクトラムアナライザ H26リストNo 314 <仕様・品質等> E4401B <製造元> HP <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 電気信号の周波数特性の測定 <詳細仕様> 周波数帯域:9kHz~1.5GHz,掃引レンジ: 5ms-2000s,最 小分解能帯域幅: 10Hz ,タイムゲート及びトラッキング ジェネレータ付 <使用料>280 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 <副担当> 11 年度 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 高速パルスジェネレータ H26リストNo 315 <仕様・品質等> HP81110A <製造元> HP <用途等> 設備分類: エレクトロニクス技術 任意の信号パターンの発生 <詳細仕様> 周波数:1mHz~165MHz、出力チャンネル数:2CH、発 生パタン長:2~16384 <使用料>240 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 11 年度 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 <副担当> <名称等> ルビジウム周波数標準発振器 H26リストNo 316 <仕様・品質等> FS725 <製造元> スタンフォードリサーチ <用途等> 設備分類: エレクトロニクス技術 基準信号出力数: 6出力(10MHz), 1出力(5MHz). 基準信号 振幅: 0.5Vrms以上.GPSと同期可能. <詳細仕様> <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 <副担当> 17 年度 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 電波暗室・EMI測定システム H26リストNo 317 <仕様・品質等> ESIB26a <製造元> Rohde&Schwars <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 放射電磁妨害波等の測定 <詳細仕様> 測定種目:放射ノイズ,伝導ノイズ(雑音端子電圧)、レシーバ 測定周波数:1~26.5GHz、対応規格:CISPL,FCC, EN,ANSI,VCCI、アンテナレンジ:30MHz~300MHz~1GHz~18G Hz <使用料>9550 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 16 年度 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 <副担当> <名称等> 電波暗室用センサスキャナ H26リストNo <仕様・品質等> DM3423AV1/0 <製造元> デバイス <用途等> <詳細仕様> <使用料>210 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 <副担当> 19 年度 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 318 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 発振器 H26リストNo 319 <仕様・品質等> WF1973 <製造元> エヌエフ回路設計ブロック <用途等> 設備分類: エレクトロニクス技術 <詳細仕様> <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 19 年度 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 <副担当> <名称等> ロックインアンプ H26リストNo <仕様・品質等> LI5640 <製造元> エヌエフ回路設計ブロック <用途等> <詳細仕様> <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 <副担当> 19 年度 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 設備分類: エレクトロニクス技術 320 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 低ノイズアンプ H26リストNo 321 <仕様・品質等> MLA-00118-B01-35 <製造元> TSJ <用途等> 設備分類: エレクトロニクス技術 アンテナで受信した散乱波信号を増幅するために使用 <詳細仕様> ・周波数帯域1GHz~18GHz の信号を増幅 ・利得:23dB 以上 ・雑音指数:2.8dB 以下 ・入出力インピーダンス:50 Ω <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 20 年度 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 <副担当> <名称等> 高利得マイクロ波アンテナ H26リストNo 322 <仕様・品質等> EM-6969 <製造元> Electro Metrics <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 電波暗室におけるEMC評価において,1 GHzを越えるマイ クロ波領域の周波数の測定を行うために使用 <詳細仕様> ・6 GHzから18 GHz ・ゲイン:30 dB以上(典型値) ・雑音指数:3.0 dB以内(典型値) ・アンテナ単体のゲインは14 dBi以上(特定周波数) <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 <副担当> 21 年度 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 自動車用直流電源インピーダンス安定化回路網 H26リストNo 323 <仕様・品質等> NNBM8125 <製造元> Schwarzbeck Mess Elektronik <用途等> 設備分類: 評価技術(製品性能など) 国際規格に準拠した自動車電装品のEMI 試験を行うための 自動車用直流電源インピーダンス安定化回路網 <詳細仕様> ・CISPR 25 規格に準拠したインピーダンス特性 ・電圧最大定格42V 以上 ・電流最大定格40A 以上 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 21 年度 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 <副担当> <名称等> CISPR22対応電波吸収体 H26リストNo 324 <仕様・品質等> IS-030A <製造元> TDK <用途等> 設備分類: その他 電波暗室におけるEMC評価において,1 GHzを越えるマイ クロ波領域の周波数の測定を行うために使用 <詳細仕様> CISPR22に定めるSVSWR特性を下記周波数範囲で満たす吸収 特性 ○1 GHzから6 GHz <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 <副担当> 22 年度 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 電磁シールド特性評価システム H26リストNo 325 <仕様・品質等> KEC法測定システム <製造元> テクノサイエンスジャパン <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) KEC(関西電子工業振興センター) 法を用いたシールド特性 の評価に使用 <詳細仕様> ・周波数150 kHz{1 GHz の範囲でシールド特性を評価可能 ・4. 60dB 以上の測定ダイナミックレンジ ・外形50mm × 50mm、厚さ3 mm の試料を評価可能 <使用料>110 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 22 年度 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 <副担当> <名称等> 雑音電力測定システム H26リストNo <仕様・品質等> MAC600A-AJ , EPS/RFP-AJ <製造元> 東陽テクニカ <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) LED照明等の雑音電力測定装置。 <詳細仕様> 吸収クランプを自動で移動,位置設定可能 吸収クランプ走行台の高さ:0.8m 吸収クランプの走行長:5.6m <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 <副担当> 25 年度 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 326 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 雑音測定用疑似通信回路網 H26リストNo 327 <仕様・品質等> KNW-2208, KNW-441, およびF-51 <製造元> 協立電子工業(株) <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 電気用品安全法(PSE),VCCI,その他EMC規制で制定され た通信ポート,負荷端子,あるいは補助端子の伝導妨害波 を測定するための装置 <詳細仕様> <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:電波暗室408 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 <副担当> インピーダンス安定化回路網(ISN) ・平衡4対線(8線)の測定が可能 ・150kHz-30MHzで150±20Ωのコモンモードインピーダンス ・150kHz-30MHzで0°±20°のコモンモードインピーダンスの 位相角 ・150kHz-1.5MHzで35-55dB以上の対向機器からの妨害波分離 25 年度 度 ・1.5MHz-30MHzで55dB以上の対向機器からの妨害波分離度 木谷 貴則 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 *213 <名称等> 超微小硬度計 H26リストNo 328 <仕様・品質等> MHA-400 <製造元> 日本電気 <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) 薄膜の硬さ測定 <詳細仕様> 荷重:0.1mg~10g、膜厚:0.1μm以上 <使用料>14700 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:精密測定室407 経徳 敏明 素形材プロセス開発部 <副担当> 内線 4 年度 <試料の準備> ・針の位置を確認するのに試料表面に写る反射像を 利用しますので、試料表面が鏡面である必要があります。 585 環境・エネルギーGr 内線 ・正しい測定のため、 試料形状は平板であること、 試料の測定面だけではなく、天秤皿に接する面もバリ等 が無いこと 、が必要です。 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 触針式表面形状測定装置 H26リストNo 329 <仕様・品質等> DEKTAK150 <製造元> アルバック <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 薄膜の厚さ、材料表面の粗さ、エッチングの深さなどの測 定に用いる <詳細仕様> ・垂直方向の測定分解能:0.1 nm以下 ・表面段差の測定再現性:1σが1 nm以下 ・走査距離:10 mm以上 ・ステージサイズ:100 mm径以上 ・サンプル観察倍率:50倍以上 <使用料>250 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 21 年度 1F:精密測定室407 千葉 隆 技術イノベーション部 内線 540 技術コーディネート班 内線 <副担当> <名称等> 走査型プローブ顕微鏡 (走査型トンネル顕微鏡) H26リストNo <仕様・品質等> ナノスコープⅢ <製造元> デジタル・インスツルメンツ <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 表面微細構造及び磁区の観察 <詳細仕様> 機械分解能(垂直、水平):0.01nm、 AFM,MFM機能 <使用料>7850 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:精密測定室407 田口 香 技術イノベーション部 <副担当> 4 年度 内線 550 技術コーディネート班 内線 330 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 大型サンプルSPM観測ステージ H26リストNo 331 <仕様・品質等> D3000 <製造元> デジタル・インスツルメンツ <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 走査型プローブ顕微鏡に付随した6インチまでの基板等の 表面観察用ステージ <詳細仕様> ノイズレベル:0.5Årms(誤差)、試料サイズ:φ150mm、厚 さ:12mm、ステージ可動範囲:125mm×100mm、AFM.MFM機能付き <使用料>2200 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 7 年度 1F:精密測定室407 田口 香 技術イノベーション部 内線 550 技術コーディネート班 内線 <副担当> <名称等> 走査型プローブ顕微鏡用駆動システム H26リストNo 332 <仕様・品質等> RDS-F/DSP <製造元> Veeco <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 走査型プローブ顕微鏡に付随し,装置の駆動およびデータ 解析,処理を行う <詳細仕様> <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:精密測定室407 田口 香 技術イノベーション部 <副担当> 13 年度 内線 550 技術コーディネート班 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> MTF評価装置 H26リストNo 333 <仕様・品質等> Image Master HR LP <製造元> トライオプティクス <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 撮像用レンズの画質の評価の性能指標であるMTF値を評価・ 測定する装置 <使用料>540 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:精密測定室407 梁瀬 智 内線 電子光応用開発部 <詳細仕様> ・被検レンズの焦点距離:10~200mmを含む ・像高移動量:±25mm以上 ・軸外角度:±90度 ・入射瞳:φ15mm ・MTF基本測定:軸上および軸外で、SagおよびTangの測定 21 年度 ・補助測定および解析:EFL測定、周辺光量比解析、像面湾 曲解析、焦点深度解析、非点収差解析、色収差測定 ・測定空間周波数:500LP/mm以上 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 <副担当> <名称等> 自動エリプソメータ H26リストNo 334 <仕様・品質等> DVA-FZVW <製造元> 溝尻光学工業所 <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 光学定数(屈折率、吸光定数)及び膜厚の測定 <詳細仕様> 測定波長範囲:350~850nm、測定分解能:△=±0.02゜,ψ= ±0.01゜ <使用料>1150 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:精密測定室407 梁瀬 智 電子光応用開発部 <副担当> 4 年度 内線 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 金属顕微鏡システム H26リストNo 335 <仕様・品質等> BH3-MJL <製造元> オリンパス <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 超解像ピンホールによる高倍率観察。CCDカメラによるビ デオ映像観察およびポラロイド写真の撮影。 <詳細仕様> 接眼レンズ:超広視野タイプ、超長作動タイプ、x50~x2500、明・暗・ 微分干渉切換、2/3"CCD3板式TVカメラ・カラ-モニタ-・ポラロイド・ 35MMカメラ撮像アダプター付き <使用料>1500 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 6 年度 1F:精密測定室407 梁瀬 智 内線 電子光応用開発部 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 <副担当> <名称等> ナノ加工用イオンビーム装置 H26リストNo 336 <仕様・品質等> SMI2050 <製造元> セイコーインスツルメンツ㈱ <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) SIM像観察(分解能5nm)、マスクレス任意形状加工、任意形状 カーボン堆積機能 <詳細仕様> イオン源: Ga液体金属 加速電圧: 30 kV 最大プローブ電流: 20 nA 試料サイズ: 50 mm角以下,12 mm厚以下 試料ステージ: xyz並進,R回転,T回転 <使用料>4000 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:試験室(メカトロA)414 近藤 祐治 先端機能素子開発部 <副担当> 14 年度 田口 香 内線 *209 スピン・ナノデバイスGr 内線 550 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> クリーンブースB(H17導入) H26リストNo 337 <仕様・品質等> ECB02-22D5 <製造元> 日本エアーテック <用途等> 設備分類: その他 磁気ディスクなどの性能検査用の装置等を清浄雰囲気で 収納し、作業を行うための装置。 <詳細仕様> 清浄度:クラス100 HEPAフィルター 蛍光灯:40w×2 内寸法:2000(W)x2000(D)x2300(H) mm <使用料>120 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 17 年度 1F:試験室(メカトロA)414 近藤 祐治 先端機能素子開発部 内線 *209 スピン・ナノデバイスGr 内線 <副担当> <名称等> 電子ビーム描画装置 H26リストNo 338 <仕様・品質等> ELS-7500 <製造元> エリオニクス <用途等> 設備分類: 薄膜技術 平面基板上に塗布したレジストに電子線走査により露光す ることで、ナノメートル~マイクロメートルサイズの任意 形状パターンを形成することができる。 また、基板上に形成した微小パターンの観察を行なうため の電子顕微鏡としても使用できる。 <使用料>3050 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:試験室(メカトロA)414 近藤 祐治 先端機能素子開発部 <副担当> <詳細仕様> 走査方法: ベクター方式, 最小ビームサイズ: φ2 nm 加速電圧: 50 kV ビーム電流: 5 pA~50 nA 電子線走査領域: 75 μm~1.2 mm 19 年度 基板サイズ: φ3インチ以下 重ね合せ精度: 150 nm 内線 *209 スピン・ナノデバイスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> FFTアナライザ H26リストNo 339 <仕様・品質等> HP35670A <製造元> HP <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 制御系の周波数応答や機器振動成分を測定 <詳細仕様> 周波数レンジ:122μHz~102.4kHz、ダイナミックレンジ:90dB、確度: ±0.15dB <使用料>1150 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 5 年度 1F:試験室(メカトロB)413 森 英季 内線 電子光応用開発部 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 <副担当> <名称等> 加速度センサ H26リストNo 340 <仕様・品質等> JA-5VC3 <製造元> 日本航空電子工業 <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 低周波の加速度を高精度に測定 <詳細仕様> 測定範囲:±2G、測定分解能:0.1mG以下、応答周波数:DC ~300Hz <使用料>350 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:試験室(メカトロB)413 森 英季 電子光応用開発部 <副担当> 5 年度 内線 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> ディジタルオシロスコープ H26リストNo 341 <仕様・品質等> HP54542A <製造元> HP <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 磁気ヘッドのサーボ、制御信号の測定 <詳細仕様> バンド巾:500MHz、サンプリング速度:2GS/S(4CH同時) <使用料>760 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 5 年度 1F:試験室(メカトロB)413 森 英季 内線 電子光応用開発部 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 <副担当> <名称等> 任意波形発生器 H26リストNo 342 <仕様・品質等> AG4100 <製造元> 横河電機 <用途等> 設備分類: エレクトロニクス技術 制御系に加わる外乱信号を模擬する信号源 <詳細仕様> 出力チャンネル数:3ch、出力振幅分解能:12bit、クロックレート:400M Hz、設定分解能:1Hz <使用料>1850 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:試験室(メカトロB)413 森 英季 電子光応用開発部 <副担当> 5 年度 内線 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 光マイクロメータ H26リストNo 343 <仕様・品質等> MTI-2000 1157 <製造元> MTI <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 微少な変位量を非接触で高精度に測定 <詳細仕様> 測定分解能:0.25nm、測定範囲:0~5mm、スポットサイズ: φ0.483mm応答速度:1.3mm/s <使用料>610 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 5 年度 1F:試験室(メカトロB)413 森 英季 電子光応用開発部 内線 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 <副担当> <名称等> 微小変位計光マイクロメータ H26リストNo <仕様・品質等> MTI-2000 1165 <製造元> MTI <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 微少な変位量を非接触で高精度に測定 <詳細仕様> 測定分解能:0.25nm、測定範囲:0~5mm、スポットサイズ: φ0.483mm応答速度:1.3mm/s <使用料>330 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:試験室(メカトロB)413 森 英季 電子光応用開発部 <副担当> 5 年度 内線 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 344 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> レーザードップラー振動計 H26リストNo 345 <仕様・品質等> LV-1500 <製造元> 小野測器 <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 微小部及び2点間の相対的な振動を非接触で測定 <詳細仕様> 測定周波数帯域:1Hz~1.5MHz、測定速度範囲:10μm/s ~5m/s、レーザスポットサイズ:φ100μm以下相対振動測定機能有 り <使用料>1150 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 5 年度 1F:試験室(メカトロB)413 森 英季 内線 電子光応用開発部 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 <副担当> <名称等> FFTサーボアナライザ H26リストNo 346 <仕様・品質等> HP35670A <製造元> HP <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 制御系の周波数応答や機器振動の周波数成分を分析・評価 <詳細仕様> 周波数レンジ:122μHz~102.4kHz、ダイナミックレンジ:90dB、確 度:0.25dB <使用料>630 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:試験室(メカトロB)413 森 英季 電子光応用開発部 <副担当> 7 年度 内線 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> タイムインターバルアナライザ H26リストNo 347 <仕様・品質等> HPE1725B <製造元> HP <用途等> 設備分類: メカトロニクス技術 モータ等の回転ムラ、回転ブレや偏心の解析 <詳細仕様> 入力数:2ch,最大測定レート:80MHz,最小サンプリング間 隔:25nsec,測定項目:周波数、周期、時間偏差、位相偏差、 ヒストグラム、測定分解能:50psec,メモリ:256k個 <使用料>1400 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 7 年度 1F:試験室(メカトロB)413 森 英季 電子光応用開発部 内線 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 <副担当> <名称等> 高分解能光ファイバー式変位計 H26リストNo 348 <仕様・品質等> ATW-01 +ATP-A20 <製造元> フォトニクス <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 測定範囲:20μm、感度:2nm/mV、測定スポット 径:φ0.1mm <詳細仕様> <使用料>220 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:試験室(メカトロB)413 森 英季 電子光応用開発部 <副担当> 12 年度 内線 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 高周波連続可変フィルタ(H13導入) H26リストNo 349 <仕様・品質等> 3660A <製造元> エヌエフ回路設計ブロック <用途等> 設備分類: エレクトロニクス技術 100MHzの高周波ローパスフィルタ、減衰傾度48dB/oct、遮断周 波数範囲:1MHz~100MHz、入力アンプ利得:1,2,5,10倍 切換え可 <詳細仕様> <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 13 年度 1F:試験室(メカトロB)413 森 英季 内線 電子光応用開発部 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 <副担当> <名称等> FFTアナライザー H26リストNo 350 <仕様・品質等> 35670A <製造元> アジレントテクノロジー <用途等> 設備分類: メカトロニクス技術 アクチュエータ等の制御系の設計及び評価を行うため、 動特性を周波数領域で解析し、制御系の設計に必要な機械 系のモデル化と制御性能を評価するための測定器。 <詳細仕様> 入力チャンネル:4チャンネル サーボアナライズ機能あり 最小周波数分解能:10mHz以下 <使用料>170 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:試験室(メカトロB)413 森 英季 電子光応用開発部 <副担当> 17 年度 内線 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 5ch 静電容量変位計 H26リストNo 351 <仕様・品質等> PS-Ⅲ-5D <製造元> ナノテックス <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 高速・高精度なアクチュエータの微小で高速な動作を、 高温・高湿環境において測定することができる装置。 <詳細仕様> 測定分解能:5nm、測定範囲:0~50μm、プローブ外径: 4mm、応答周波数:1KHz <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 17 年度 1F:試験室(メカトロB)413 森 英季 内線 電子光応用開発部 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 <副担当> <名称等> オートコリメータ H26リストNo 352 <仕様・品質等> 6B <製造元> ニコン <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 高精度なステージを評価するため、ステージ本体または 各構成部品の直角度,平面度、真直度等を評価するのに用 いられる、光学式の高精度測定装置。 <詳細仕様> 測定範囲:30分 最小読取範囲:0.1秒 <使用料>220 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:試験室(メカトロB)413 森 英季 電子光応用開発部 <副担当> 18 年度 内線 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 高速・高精度制御装置 H26リストNo 353 <仕様・品質等> NMC 7880 <製造元> MED <用途等> 設備分類: メカトロニクス技術 高速・高精度位置決めに不可欠な高分解能なインター フェースと高速な演算処理用のCPUで構成されるアクチュ エータ制御装置。 <詳細仕様> CPU動作周波数:400MHz 入出力AD,DA分解能:16bit ディジタル入力:DB96-T02 (SONY)に対応 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 18 年度 1F:試験室(メカトロB)413 森 英季 電子光応用開発部 内線 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 <副担当> <名称等> 超高分解能光学スケール H26リストNo <製造元> Sony Manufacturing Systems Corporation 354 <仕様・品質等> BH20 <用途等> 設備分類: メカトロニクス技術 半導体製造装置の位置決め機構などに用いる超精密ス テージの研究開発に適用する位置フィードバック用の反射 型光学スケール装置。 <詳細仕様> 31.25pm分解能光学スケール 測定分解能:0.03125nm 測定範囲:10mm 光源:半導体レーザ <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:試験室(メカトロB)413 森 英季 電子光応用開発部 <副担当> 18 年度 内線 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 平面検出型光学スケール H26リストNo <製造元> Sony Manufacturing Systems Corporation 355 <仕様・品質等> BZ <用途等> 設備分類: メカトロニクス技術 半導体製造装置用に平面モータのX-Y平面内の高速で高 精度な位置決め機構の位置フィードバックに用いられる反 射光学型2次元スケール。 <詳細仕様> 40nm分解能平面検出型光学スケール 測定分解能:0.0625nm 測定範囲:0.5×0.5mm 光源:半導体レーザ <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 18 年度 1F:試験室(メカトロB)413 森 英季 内線 電子光応用開発部 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 <副担当> <名称等> FFTアナライザー H26リストNo <仕様・品質等> DS-2100 <製造元> 小野測器 <用途等> <詳細仕様> <使用料>220 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:試験室(メカトロB)413 森 英季 電子光応用開発部 <副担当> 19 年度 内線 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 設備分類: メカトロニクス技術 356 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> スペクトラムアナライザ H26リストNo 357 <仕様・品質等> HP4396B <製造元> HP <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 電気的な検出信号の周期と振幅を測定し、解析する機器 <詳細仕様> 周波数範囲:2Hz~1.8GHz、周波数分解能:0.001Hz、周 波数基準確度:1.3×10-7/年 <使用料>920 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 9 年度 1F:試験室(メカトロB)413 櫻田 陽 電子光応用開発部 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 <副担当> <名称等> 高分解能オシロスコープ H26リストNo <仕様・品質等> HP54540C <製造元> HP <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 微小変位等の信号波形測定 <詳細仕様> バンド巾:500MHz、サンプリングレート:2G、サンプル/s (1ch),500Mサンプル/s(4ch)、測定感度:1mV~5V/div <使用料>390 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:試験室(メカトロB)413 櫻田 陽 電子光応用開発部 <副担当> 7 年度 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 358 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> マイクロスコープ H26リストNo 359 <仕様・品質等> KH-7700 <製造元> ハイロックス <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) <詳細仕様> <使用料>230 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 19 年度 1F:試験室(メカトロB)413 櫻田 陽 電子光応用開発部 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 <副担当> <名称等> 高分解能・光学スケール H26リストNo <製造元> ソニーマニュファクチュアリングシステムズ 360 <仕様・品質等> BH20 <用途等> 設備分類: メカトロニクス技術 被測定物体から反射、散乱された光ビームの位置変化を光 の回折と干渉を利用して、明暗の縞(しま)を作り出し、 この明暗の変化をカウントして位置検出する <使用料>100 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> <詳細仕様> ①測定分解能:0.1nm以下 ②測定範囲:10mm以上 ③スケール精度:±100nm以下 ④繰り返し精度:位置決め制御目標値±1nm以下 ⑤光源:半導体レーザー (円/時間) <導入年度>平成 20 年度 ⑥検出原理:格子干渉式の反射型 ⑦応答速度:100mm/sec以上 ⑧スケール荷重:5g以下 1F:試験室(メカトロB)413 櫻田 陽 電子光応用開発部 <副担当> 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> ロジックアナライザ H26リストNo 361 <仕様・品質等> 16804A <製造元> アジレントテクノロジー㈱ <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 被測定回路にプローブと呼ばれる端子を用いて接続し、信 号を読み取ってデジタル化して記録し、ディスプレイにそ の波形をグラフィックス表示したりすることができる <詳細仕様> ・ロジックアナライザー:チャンネル数は116以上 ・最大タイミング・サンプリング・レート:フルチャネル で500MHz以上 ・最大ステート・クロック・レート:400MHz以上 ・最大メモリ長は32MB以上 <使用料>240 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 20 年度 1F:試験室(メカトロB)413 櫻田 陽 電子光応用開発部 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 <副担当> <名称等> オシロスコープ H26リストNo <仕様・品質等> DSO7104A <製造元> アジレントテクノロジー㈱ <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 高速な電気信号の時間的変化をグラフとして表示 <使用料>100 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> <詳細仕様> ・測定周波数帯域が1GHz以上 ・サンプリングレートが4GSa/s以上 ・測定チャンネルが4ch以上 ・メモリ長が全チャンネル測定時,4Mpts以上 ・垂直軸測定レンジの下限が2mV/div 以下 (円/時間) <導入年度>平成 21 年度 ・垂直軸測定レンジの上限が5V/div 以上 ・時間軸測定レンジの下限が500ps/div 以下 ・時間軸測定レンジの上限が50s/div 以上 1F:試験室(メカトロB)413 櫻田 陽 電子光応用開発部 <副担当> 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 362 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 高分解能・光学スケール H26リストNo 363 <仕様・品質等> BH25, BD96-B1400HC特 <製造元> ソニーマニュファクチュアリングシステムズ <用途等> 設備分類: メカトロニクス技術 被測定物体から反射、散乱された光ビームの位置変化を光 の回折と干渉を利用して、明暗の縞(しま)を作り出し、 この明暗の変化をカウントして位置検出する <使用料>110 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> <詳細仕様> ①測定分解能:0.05nm以下 ②測定範囲:100mm以上 ③スケール精度:±100nm以下 ④繰り返し精度:位置決め制御目標値±1nm以下 ⑤光源:半導体レーザー (円/時間) <導入年度>平成 21 年度 ⑥検出原理:格子干渉式 ⑦応答速度:100mm/sec以上 ⑧スケール荷重:50g以下 1F:試験室(メカトロB)413 櫻田 陽 電子光応用開発部 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 <副担当> <名称等> ファンクションジェネレータ(2ch出力) H26リストNo 364 <仕様・品質等> AFG3252 <製造元> テクトロニクス株式会社 <用途等> 設備分類: エレクトロニクス技術 テスト信号を生成する汎用発振器の一種で、正弦波や矩形 波を始め任意の波形を出力 <使用料>100 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> <詳細仕様> ・出力チャンネルは,2ch以上 ・周波数レンジは,パルス出力(方形波)で120MHz以上 ・パルス出力時,100psの分解能 ・出力可能な波形は,正弦波/方形波/パルス/三角波/ラン プ波/任意波 (円/時間) <導入年度>平成 21 年度 ・変調機能は,AM/FM/PM/FSK/PWM/掃引/バースト ・最小出力振幅は,50mVpp以下 ・最大出力振幅は,5Vpp以上 1F:試験室(メカトロB)413 櫻田 陽 電子光応用開発部 <副担当> 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> レーザ干渉変位計システム H26リストNo 365 <仕様・品質等> LV-2100 <製造元> 株式会社小野測器 <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) わずかに周波数が異なる信号光と,参照光のレーザ光を重 ね合わせて,そのビート(うなり)信号を検出する測定手 法 <使用料>120 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:試験室(メカトロB)413 櫻田 陽 電子光応用開発部 <副担当> <詳細仕様> ①測定分解能は,0.5nm以下 ②測定時の測定物までの設置距離は,100mm以上が可能 ③測定にスケールやミラーなどを用いない非接触測定が可 能 ④測定値のアナログの出力リップルノイズは,10mVpp以下 21 年度 ⑤測定可能周波数は,50kHz以上 荒川 亮 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 *262 <名称等> 除振台 <製造元> 明立精機 H26リストNo 366 <仕様・品質等> MAPS~008A~G1010 <用途等> 設備分類: その他 精密測定における外部の振動の影響を抑えるために振動を 減衰させる装置 <詳細仕様> ・定盤の材質は黒御影石(1級)以上 ・定盤のサイズは1000mm×1000mm×200mm以上 ・除振機構:定盤に対するアクティブ制御機構を有し,水 平XY方向,鉛直Z方向およびその回転方向を制御する6自 由度制御可能 <使用料>270 (円/時間) <導入年度>平成 22 年度 ・固有周波数:垂直,水平とも1Hz以下 ・除振性能:パッシブ除振とアクティブ除振含む除振機構 <設置場所> において,鉛直Z方向の外乱10nm以下の振幅,DC~500Hzま 高度技術研究館 1F:試験室(メカトロB)413 での振動に対して除振可能 <主担当> 櫻田 陽 内線 *265 ・位相特性:アクティブ制御範囲内にて位相遅れが90度以 下 電子光応用開発部 ナノメカニカル制御Gr ・水平維持:水平の位置決め精度は,定盤(水平XY方向) 内線 に対して鉛直Z方向の振動をアクティブ制御範囲内で <副担当> ±10μm以下に自動水平維持可能 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> レーザドップラ振動計 H26リストNo 368 <仕様・品質等> LV-1800 <製造元> 小野測器 <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 微小部及び2点間の相対的な振動を非接触で測定 <詳細仕様> 測定周波数帯域:0.3Hz~3MHz 測定速度範囲:0.3μm/s~10m/s レーザスポットサイズ:φ20μm以下 相対振動測定機能有り <使用料>140 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:試験室(メカトロB)413 櫻田 陽 内線 電子光応用開発部 <副担当> 25 年度 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 荒川 亮 *262 <名称等> 振動周波数分析器 H26リストNo 369 <仕様・品質等> FRA5097 <製造元> 株式会社エヌエフ回路設計ブロック <用途等> 設備分類: メカトロニクス技術 アクチュエータ等の制御系の設計及び評価を行うため、 動特性を周波数領域で解析し、制御系の設計に必要な機械 系のモデル化と制御性能を評価するための測定器。 <詳細仕様> ・信号入力チャンネルは2ch ・周波数帯域:0.1mHz~15MHz ・測定用信号源出力は、-10V~10V <使用料>120 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:試験室(メカトロB)413 櫻田 陽 電子光応用開発部 <副担当> 25 年度 荒川 亮 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 *262 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> GMR評価高磁界用マグネット電源 H26リストNo 370 <仕様・品質等> PBX20~20 <製造元> 菊水電子工業 <用途等> 設備分類: その他 バイポーラ出力:最大±20V,±20A、誘導性・容量性負荷 の駆動、任意波形出力、GPIBインターフェイス <詳細仕様> <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 10 年度 1F:試験室(新材料B)412 山川 清志 内線 *210 内線 *207 上級主席研究員 <副担当> 山根 治起 <名称等> 発振器 H26リストNo 371 <仕様・品質等> HP81110A <製造元> HP <用途等> 設備分類: エレクトロニクス技術 任意の信号パターンを発生させる <詳細仕様> 周波数:1MHz~165MHz、出力チャンネル数:2CH、 発生パタン長:2~16384 <使用料>240 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:試験室(新材料B)412 木谷 貴則 先端機能素子開発部 <副担当> 11 年度 内線 *213 スピン・ナノデバイスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> スポットUV照射装置 H26リストNo 372 <仕様・品質等> トスキュア250 <製造元> 東芝ライテック <用途等> 設備分類: その他 紫外線硬化樹脂の光源 <詳細仕様> 超高圧水銀ランプ:250W、UV強度:3000mW/cm2 <使用料>290 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:試験室(新材料B)412 木谷 貴則 先端機能素子開発部 <副担当> 5 年度 内線 *213 スピン・ナノデバイスGr 内線 梁瀬 智 <名称等> クリーンブースC(H17導入) H26リストNo <仕様・品質等> ACB-352C-特型 <製造元> 日本エアテック <用途等> 設備分類: その他 簡易型の清浄スペース <詳細仕様> クラス100、有効寸法 <使用料>120 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:試験室(新材料B)412 木谷 貴則 先端機能素子開発部 <副担当> 7 年度 内線 *213 スピン・ナノデバイスGr 内線 mm× mm× mm 373 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 光学顕微鏡 H26リストNo 374 <仕様・品質等> MM-11U <製造元> ニコン <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 金属や薄膜素子の表面観察 <詳細仕様> 接眼レンズ:視野数20、10×、 対物レンズ:超長作動タイプ、~ 100×、明・暗・微分干渉、ポラロイド撮影機能 マイクロメータステージ付き <使用料>580 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 7 年度 1F:試験室(新材料B)412 木谷 貴則 先端機能素子開発部 内線 *213 スピン・ナノデバイスGr 内線 <副担当> <名称等> ローパスフィルタ H26リストNo <仕様・品質等> 3660A <製造元> エヌエフ回路設計ブロック <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 高周波の不要雑音の除去 <詳細仕様> 遮断周波数の可変範囲:1MHz~100MHz 減衰傾度48dB/oct 入力アンプ利得:1,2,5,10倍切換え可 <使用料>430 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:試験室(新材料B)412 木谷 貴則 先端機能素子開発部 <副担当> 9 年度 内線 *213 スピン・ナノデバイスGr 内線 375 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> ロングメモリオシロスコープ H26リストNo 377 <仕様・品質等> LC574AL <製造元> レクロイ <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 電気信号波形の計測 <詳細仕様> 入力: 4ch, アナログ帯域幅:1GHz サンプリング速 度:4GS/s(1ch),2GS/s(2ch同時) ストレージ長:8Mワード (1ch),4Mワード(2ch同時) <使用料>670 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 11 年度 1F:試験室(新材料B)412 木谷 貴則 先端機能素子開発部 内線 *213 スピン・ナノデバイスGr 内線 <副担当> <名称等> オシロスコープ H26リストNo 378 <仕様・品質等> 54622A <製造元> AgilentTechnologies <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 電気信号波形の計測 <詳細仕様> 入力: 2ch, アナログ帯域幅: 100MHz, サンプリング速度: 200MS/s (2ch同時), ストレージ長: 2Mワード(2ch同時) <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:試験室(新材料B)412 木谷 貴則 先端機能素子開発部 <副担当> 12 年度 内線 *213 スピン・ナノデバイスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> スペクトラムアナライザ H26リストNo 379 <仕様・品質等> E4411B <製造元> AgilentTechnologies <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 電気信号の周波数特性の測定 <詳細仕様> 周波数帯域:9kHz~1.5GHz 掃引レンジ: 4ms-4000s 最小分解能帯域幅: 1kHz <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:試験室(新材料B)412 木谷 貴則 先端機能素子開発部 <副担当> 12 年度 内線 *213 スピン・ナノデバイスGr 内線 丹 健二 543 <名称等> 高精度スピンスタンド H26リストNo 380 <仕様・品質等> LS1000/500PS-ⅡK <製造元> 協同電子システム <用途等> 設備分類: 評価技術(製品性能など) 磁気ディスクおよび磁気ヘッドの記録再生特性評価。 <詳細仕様> スピンドル回転数:1600~20000rpm、スピンドル回転振れ(非同 期成分):5nm以下、微動ステージ移動精度:0.5nm、ステージ位 置繰り返し精度:10nm以下、トラックサーボ機能有 <使用料>2450 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 1F:試験室(新材料B)412 木谷 貴則 先端機能素子開発部 <副担当> 16 年度 内線 *213 スピン・ナノデバイスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> GPIB直流電源装置 H26リストNo 381 <仕様・品質等> PB×40-5 <製造元> 菊水電子 <用途等> 設備分類: その他 記録信号電源及び計測機の制御 <詳細仕様> 電流範囲:±5A(バイポーラ)、電圧範囲:±40V(バイポーラ)、電 流電圧誤差:0.01% <使用料>260 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 5 年度 2F:高機能開放研究室D 240 神田 哲典 先端機能素子開発部 内線 *201 スピン・ナノデバイスGr 内線 <副担当> <名称等> 磁気抵抗測定装置 H26リストNo 382 <仕様・品質等> MRMS-10K <製造元> ハヤマ <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 磁場中で磁性薄膜および半導体薄膜の電気特性を評価する ために用いる <詳細仕様> 測定試料:1インチ角、0.5mm厚 <使用料>3700 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 2F:高機能開放研究室D 240 鈴木 淑男 先端機能素子開発部 <副担当> 磁場印加システム ○バイポーラ電源により、最大10 kOe以上、最小-10 kOe 以下の磁場を測定試料に印加可能 20 年度 磁場の測定の分解能が0.1 Oe以下 内線 *271 スピン・ナノデバイスGr 内線 ○プローバー DCから最大3 GHzの周波数帯域を測定できるプローブを4 基以上備えている 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> バランシングマシン H26リストNo 384 <仕様・品質等> RI00/RI0/RS1 <製造元> 長浜製作所 <用途等> 設備分類: メカトロニクス技術 モータの回転子など高速・高精度に回転する部品を実際 に回転させ、その回転時にアンバランス(不釣合い)によっ て発生する振動を測定し、回転体の有する微小な不釣合い 量とその位置を正確に検出する装置。 <詳細仕様> 釣合い良さの等級:G0.4以下、釣り合い良さの上限値: 0.4 mm/s以下、許容残留比不釣合い:0.1 g mm/kg (10,000rpm時) <使用料>320 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 16 年度 2F:試験室(メカトロC)453 森 英季 内線 電子光応用開発部 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 <副担当> <名称等> スポット溶接機 H26リストNo 385 <仕様・品質等> YG501SPF <製造元> 松下電器 <用途等> 設備分類: 加工技術(表面処理改質) 金属板同士を小さなスポットで溶接 <詳細仕様> 溶接能力:Sus,Bs,Fe、板厚0.5mm×2枚以下のスポット溶接 <使用料>300 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 2F:試験室(メカトロC)453 丹 健二 電子光応用開発部 <副担当> 内線 543 電子・通信Gr 内線 5 年度 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 小型旋盤 H26リストNo 386 <仕様・品質等> コンパクト8 <製造元> エムコ社 <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) 治具の作製(旋盤、フライス、中ぐり、ねじ切り加工) <詳細仕様> センター間距離:450mm、センターハイト:105mm主軸回転数:100~ 1,700rpm、モータ:100V,0.5ps <使用料>580 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 5 年度 2F:試験室(メカトロC)453 櫻田 陽 電子光応用開発部 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 <副担当> <名称等> 立型帯鋸盤 H26リストNo <仕様・品質等> VWS-55 <製造元> ラクソー <用途等> 設備分類: 加工技術(機械除去など) 金属および脆弱性材料の切断加工 <詳細仕様> 切断能力:H190mm×D500mm、テーブルサイズ:500mm×400mm、モー タ:200V,400W <使用料>280 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 2F:試験室(メカトロC)453 櫻田 陽 電子光応用開発部 <副担当> 5 年度 内線 *265 ナノメカニカル制御Gr 内線 387 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 偏光顕微鏡 H26リストNo 388 <仕様・品質等> BHS−751−P型 <製造元> オリンパス光学工業(株) <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 試料の偏光像を観察することにより、結晶状態や微細構造 を解析する装置 <詳細仕様> 対物レンズ:×4,×10,×20、×40 接眼レンズ:×10 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 S62 年度 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 2F:試験室(メカトロB)452 梁瀬 智 電子光応用開発部 内線 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 <副担当> <名称等> ワードジェネレーター H26リストNo <仕様・品質等> HP8110A <製造元> HP <用途等> 設備分類: エレクトロニクス技術 任意の信号パターンを発生させる <詳細仕様> データ速度:150MHz、出力チャンネル数:2ch、ワード長:2~ 65536bit <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 2F:試験室(メカトロB)452 梁瀬 智 電子光応用開発部 <副担当> 7 年度 内線 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 389 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 顕微鏡用デジタルカメラ H26リストNo 390 <仕様・品質等> DS-Fi1 <製造元> ニコン <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 顕微鏡観察画像の取り込み、解析、保存 <詳細仕様> 2/3 カラーCCD 524万画素 12bit Cマウント 自動、補正等の調節可能 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 19 年度 2F:試験室(メカトロB)452 梁瀬 智 内線 電子光応用開発部 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 <副担当> <名称等> 高フレームレートカメラ H26リストNo 391 <仕様・品質等> Dragonfly Express DX-BW-CS <製造元> Point Grey Research <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 高フレームレートのモノクロデジタルカメラユニットと、 パソコンにデータ転送を行うインターフェースボードとそ の制御ソフトから構成 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 2F:試験室(メカトロB)452 梁瀬 智 電子光応用開発部 <副担当> <詳細仕様> ・フレームレート:最大200 fps ・有効画素数:640×480 ・グレースケール:8 bit ・Cマウント ・露光時間:可変が可能 20 年度 ・三脚取り付け:固定用ねじ穴 内線 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 高性能LD光源 H26リストNo 392 <仕様・品質等> 56RCS002/HV <製造元> メレスグリオ <用途等> 設備分類: エレクトロニクス技術 液晶レンズの光学性能の評価に使用する短波長(405nm)の 高品位のレーザ光源 <詳細仕様> ・光源波長:400~410nm ・最大光出力:60mW ・ビーム径:φ2.9mm ・ビーム広がり:0.3mrad以下 ・ビーム楕円率:1.05以下 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 21 年度 2F:試験室(メカトロB)452 梁瀬 智 内線 電子光応用開発部 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 <副担当> <名称等> 色彩輝度計 H26リストNo 400 <仕様・品質等> 分光フィッテイング方式 CS-200 <製造元> コニカミノルタ <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 照明機器や発光型のディスプレイ機器、各種光源用部品、 製品などに対して、放射される光(反射光を含む)の輝度 (人間の目が感じる明るさの量)と色情報(色度や色温度 など)を調べるために使用 <使用料>130 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 2F:試験室(メカトロB)452 梁瀬 智 電子光応用開発部 <副担当> <詳細仕様> ○最小測定径(φ0.1mm) ○測定輝度:(0.01~20,000,000 cd/m2) ○繰り返し精度(2cd/m2において) 輝度LV:0.5% 色度xy:0.002 25 年度 ○測定項目:輝度、xy色度、u’v’色度、XYZ三刺激値、T 相関色温度 内線 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 高速カメラ H26リストNo 401 <仕様・品質等> HAS-D3M <製造元> (株)ディテクト <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 高速な切り替え速度を持つ液晶レンズおよび液晶マイクロ レンズアレイの評価する装置。 <詳細仕様> ・VGA(640x480)、モノクロ→3,000FPS <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 2F:試験室(メカトロB)452 梁瀬 智 内線 電子光応用開発部 <副担当> 25 年度 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 内田 勝 *204 <名称等> 液晶配向シミュレータ H26リストNo 393 <仕様・品質等> LCD MASTER 3D <製造元> シンテック(株) <用途等> 設備分類: 解析技術 電極形状や配置、液晶層厚み、基板表面の配向条件、液 晶材料の物性値などを任意に設定し、時間変化を含めた液 晶分子の配向状態をシミュレートするソフトウエアプログ ラム。 <詳細仕様> 液晶分子3次元動解析シュミレーション <使用料>190 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 2F:試験室(メカトロA)451 梁瀬 智 電子光応用開発部 <副担当> 18 年度 内線 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> ラビング装置 H26リストNo 394 <仕様・品質等> MR-100 <製造元> E.H.C(株) <用途等> 設備分類: 加工技術(表面処理改質) ガラス基板上の液晶分子を一定の方向に向かせる(配向 させる)ために、基板上に塗布された高分子膜をラビング 布で一方向に擦る(ラビングする)装置。 <詳細仕様> 対応基板サイズ:~100mm×100mm ローラ回転数:0~1400rpm テーブル移動速度:0~600mm/min <使用料>270 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 18 年度 2F:試験室(メカトロA)451 梁瀬 智 内線 電子光応用開発部 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 <副担当> <名称等> UV加圧硬化装置 H26リストNo 395 <仕様・品質等> MLP-320G <製造元> E. H. C <用途等> 設備分類: その他 液晶パネル等の貼り合せ工程で,均一加圧状態を保ったま までUV照射によりシール材等を硬化させる。 <詳細仕様> 対応サイズ:150mm×150mm、0.3~2.0t 加圧範囲:0.003Pa~0.1Mpa 光源:365nmLED(330mW) <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 2F:試験室(メカトロA)451 梁瀬 智 電子光応用開発部 <副担当> 19 年度 内線 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> シール剤塗布装置 H26リストNo 396 <仕様・品質等> Ez-ROBO5/ACCURA DG <製造元> 岩下エンジニアリング <用途等> 設備分類: その他 小型X-Y-Zロボットに吐出制御付きのディスペンサと基板 固定用の吸着ステージを搭載した装置 <詳細仕様> ・対応基板サイズ:250mm(x)×200mm(y)の範囲で、z 方向に70mmのストローク ・位置分解能:0.005mm以下 ・塗布デザイン:円弧を含む任意形状の塗布に対応 ・吐出圧力:5kPa~490kPa、1kPaで設定可 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 20 年度 2F:試験室(メカトロA)451 梁瀬 智 電子光応用開発部 内線 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 <副担当> <名称等> アッベ屈折計 H26リストNo <仕様・品質等> DR-M4/1550 <製造元> アタゴ <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 液晶材料の屈折値やアッベ数を種々の波長領域で測定 <詳細仕様> ・屈折率測定範囲:1.4700~1.8700 (589nmにおいて) ・対応測定波長:450nm~1550nm ・屈折率最小表示:0.001 ・測定精度:±0.0002 ・恒温液循環:対応 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 2F:試験室(メカトロA)451 梁瀬 智 電子光応用開発部 <副担当> 21 年度 内線 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 397 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> ヘッド観察用顕微鏡セット(ボアスコープ) H26リストNo 398 <仕様・品質等> G080- 034-090-55 <製造元> オリンパス <用途等> 設備分類: 評価技術(製品性能など) 通常のカメラがら入らない狭い個所や隙間などの中を顕微 観察が可能。 <詳細仕様> 倍率:60倍(WD5mm)、視野:φ7mmファイバー式 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 5 年度 2F:試験室(メカトロA)451 梁瀬 智 電子光応用開発部 内線 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 <副担当> <名称等> 光スペクトラムアラナイザ H26リストNo 399 <仕様・品質等> AQ-6315B <製造元> 横河電機 <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 光学フィルター、プリズムなどの光コンポーネントを伝 達する光信号の透過伝達特性や、LEDや白熱ランプから放 射される光の波長成分の分布特性などの評価を行う装置。 <詳細仕様> 測定波長: 400-1700 nm 最小波長分解能: 50 pm 測定感度: -75dBm以下 白色光源波長: 400-1800 nm <使用料>330 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 2F:試験室(メカトロA)451 梁瀬 智 電子光応用開発部 <副担当> 16 年度 内線 *200 オプトエレクトロニクスGr 内線 光ファイバーへの光入力(SMF、MMF、大口径ファイバあ り) フィルター透過率評価用の平行ビームマウントを装備 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> B-Hループメータ(解析装置付き) H26リストNo 402 <仕様・品質等> MODEL4800(解析装置: マイテック: 高感 度 M-VSM500R) <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) <製造元> テスラ 軟磁性薄膜の磁化曲線の測定 <詳細仕様> 印加磁界:80 Oe以下、感度:10-4emu、検出磁束:1×10 -10wb/Fs、サンプルサイズ:1inch角以下、膜厚測定能力:10nm以 上、精度:1%以内 <使用料>1350 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 4 年度 2F:試験室(新材料A)450 山川 清志 内線 *210 上級主席研究員 内線 <副担当> <名称等> ズーム顕微鏡 H26リストNo <仕様・品質等> DZ2-SH <製造元> ユニオン光学(株) <用途等> 設備分類: 計測技術(形状寸法など) 研削・研磨等加工を行う際の位置決め <詳細仕様> 対物レンズ部:F14.0対物レンズ5×~50×、F46.6対物レンズ 1.5×~15×、ズーム部:ズーム比10 <使用料>230 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 2F:試験室(新材料A)450 山川 清志 内線 上級主席研究員 <副担当> 内線 *210 9 年度 403 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> 軟磁性用振動試料型磁力計 H26リストNo 404 <仕様・品質等> 高感度 M-VSM500R <製造元> マイテック <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 軟磁性薄膜の磁化曲線の測定 <詳細仕様> 最大磁界500Oe、試料寸法:10mm角以下、測定部:ノイズレベル ±1×10-5emu以下、感度±1×10-6emu <使用料>360 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 7 年度 2F:試験室(新材料A)450 新宅 一彦 先端機能素子開発部 内線 *208 スピン・ナノデバイスGr 内線 <副担当> <名称等> LCRメータ H26リストNo <仕様・品質等> HP4284A <製造元> HP <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 各種電子部品の動作特性や電気的特性の計測 <詳細仕様> 最高分解能:0.01mΩ,0.01nH,0.01fF,0.001゜、基本確 度:0.1%、測定周波数:20Hz~1MHz、分解能:1MHz <使用料>600 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 2F:試験室(新材料A)450 森 英季 電子光応用開発部 <副担当> 7 年度 内線 *264 ナノメカニカル制御Gr 内線 405 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> ファンクションゼネレータ H26リストNo 406 <仕様・品質等> AFG2020 <製造元> ソニーテクトロニクス <用途等> 設備分類: エレクトロニクス技術 各種電気信号波形の発生 <詳細仕様> 周波数範囲:0.5Hz~100MHz(正弦波):0.5Hz~31.2MH z(その他)、波形作成機能 <使用料>590 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 4 年度 2F:試験室(新材料A)450 神田 哲典 先端機能素子開発部 内線 *201 スピン・ナノデバイスGr 内線 <副担当> <名称等> 標準電圧電流発生器 H26リストNo <仕様・品質等> R6161 <製造元> アドバンテスト <用途等> 設備分類: エレクトロニクス技術 各種計測器の校正用基準信号源 <詳細仕様> 直流電圧:±1200V、直流電流:±120mA、確度:±0.0055% <使用料>230 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 2F:試験室(新材料A)450 神田 哲典 先端機能素子開発部 <副担当> 5 年度 内線 *201 スピン・ナノデバイスGr 内線 407 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> マルチメータ H26リストNo 408 <仕様・品質等> HP3458A <製造元> HP <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 抵抗、電圧電流の測定 <詳細仕様> 電圧分解能:10nV、電流分解能:1pA、抵抗分解能:10μΩ、 4端子抵抗測定 <使用料>330 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 5 年度 2F:試験室(新材料A)450 神田 哲典 先端機能素子開発部 内線 *201 スピン・ナノデバイスGr 内線 <副担当> <名称等> アンプ付き電流プローブ H26リストNo 409 <仕様・品質等> AM503S+op05 <製造元> ソニーテクトロニクス <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 電流値の計測 <詳細仕様> 測定周波数:DC~100MHz 測定レンジ:1mA, 2mA, 5mA, 10mA, 20mA, 50mA, 100mA, 200mA, 500mA, 1A, 2A, 5A/div 最大測定電流:20A(連続)、50A(ピークパルス) <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 2F:試験室(新材料A)450 木谷 貴則 先端機能素子開発部 <副担当> 11 年度 黒澤 孝裕 内線 *213 スピン・ナノデバイスGr 内線 *214 型番: TM502:ケース AM503B:電流プローブアンプ A6312:電流プローブ 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> デジタルオシロスコープ H26リストNo 410 <仕様・品質等> WR6051A <製造元> LeCroy <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 電気信号波形の計測・解析 <詳細仕様> 周波数帯域幅500MHz、最大サンプリングレート5GS/s、 最大メモリ長24Mポイント、チャンネル数2ch、最小垂直レ ンジ2mV、GPIB、100Base-T搭載 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 16 年度 2F:試験室(新材料A)450 木谷 貴則 先端機能素子開発部 内線 *213 スピン・ナノデバイスGr 内線 <副担当> <名称等> インピーダンスアナライザ H26リストNo <仕様・品質等> HP4291A <製造元> HP <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) インピーダンス測定及び電子回路の振幅・位相の周波数測定 <詳細仕様> 測定周波数範囲:1MHz~1.8GHz、周波数分解 能:0.001Hz、インピーダンス確度:0.8%DCバイアス機能:有り <使用料>1650 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 2F:電子計算機室447 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 <副担当> 6 年度 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 411 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> カオス解析システム H26リストNo <製造元> コンピュータコンビニエンス 412 <仕様・品質等> <用途等> 設備分類: 解析技術 アトラクター、ポアンカレセクション、ローレンツプロッ ト表示、リアプノフスペクトル、フラクタル次元の計算 <詳細仕様> <使用料>140 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 12 年度 2F:電子計算機室447 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 <副担当> <名称等> 誘電率測定フィクスチャ H26リストNo 413 <仕様・品質等> 16453A <製造元> Agilent <用途等> 設備分類: 評価技術(材料特性など) 3 次元電界マッピングシステムで使用される散乱体材料の 誘電率を測定 <詳細仕様> ・インピーダンスアナライザ(HP 4291A) に接続して比誘 電率を測定可能 ・30MHz-1GHz の範囲の任意の周波数で比誘電率が測定可 能 ・比誘電率の実部が30 以下の誘電体を測定可能 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 20 年度 ・比誘電率の実部の測定誤差が50%以下 ・室温から80 ℃の温度範囲で測定可能 <設置場所> ・直径20mm の円板試料を測定可能 高度技術研究館 2F:電子計算機室447 ・±10V の直流バイアス電圧を印加可能 <主担当> 黒澤 孝裕 内線 *214 先端機能素子開発部 <副担当> スピン・ナノデバイスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> ディジタルオシロスコープ H26リストNo 414 <仕様・品質等> 9354L <製造元> レクロイジャパン <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 電気信号波形の計測 <詳細仕様> バンド巾:500MHz、サンプリング速度 :1GS/s(2CH同時)、 ストレージ長:4MW(2CH同時) <使用料>230 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 5 年度 2F:電子計算機室447 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 <副担当> <名称等> 大規模データ処理用並列分散計算クラスタリングシステム <製造元> IBM H26リストNo <仕様・品質等> eServer325 <用途等> 設備分類: 情報処理 415 CPU:Opteron250,2.4GHz,dual×4台、総メモリ容量:12GB、 OS:Debian/GNU Linux、ノード間接続:1000Base-T×2、 バックアップ用テープドライブ: LTO Ultrium2 <詳細仕様> <使用料>140 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 2F:電子計算機室447 黒澤 孝裕 先端機能素子開発部 <副担当> 16 年度 内線 *214 スピン・ナノデバイスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> スペクトラムアナライザ H26リストNo 416 <仕様・品質等> R3361A <製造元> アドバンテスト <用途等> 設備分類: 計測技術(電磁光音など) 信号の周波数特性の測定 <詳細仕様> 周波数範囲:9kHz~2.6GHz、トラッキングジェネレーター機能 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 2F:電子計算機室447 木谷 貴則 先端機能素子開発部 <副担当> 4 年度 内線 *213 スピン・ナノデバイスGr 内線 黒澤 孝裕 *214 <名称等> 高周波連続可変フィルタ(H11導入) H26リストNo <仕様・品質等> 3660A <製造元> エヌエフ回路設計ブロック <用途等> 設備分類: エレクトロニクス技術 高周波の不要雑音の除去 <詳細仕様> 遮断周波数の可変範囲:1MHz~100MHz 減衰傾度48dB/oct 入力アンプ利得:1,2,5,10倍切換え可 <使用料>170 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 2F:電子計算機室447 木谷 貴則 先端機能素子開発部 <副担当> 11 年度 内線 *213 スピン・ナノデバイスGr 内線 376 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> フォトリソグラフ用クリーンオーブン H26リストNo 417 <仕様・品質等> CSO-402BF <製造元> 榎本化成 <用途等> 設備分類: その他 フォトレジストの乾燥や精密部品、光学部品などの塵埃を 嫌う部品、材料のベーキング <詳細仕様> 温度設定範囲:60~200℃、温度調節精度:±0. 5℃、温度分布:±3℃、室内清浄度:クラス100、室 内容量:400(mm)3 <使用料>150 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 12 年度 2F:セミナールーム441 内田 勝 内線 電子光応用開発部 *204 オプトエレクトロニクスGr 内線 <副担当> <名称等> アライナ用クリーンブース H26リストNo 418 <仕様・品質等> SCB-2-201520 <製造元> 三基計装株式会社 <用途等> 設備分類: その他 比較的環境の良い一般室にてフォトマスクパターンの転写 を行うマスクアライナを無塵状態で用いるために使用 <詳細仕様> ○外形寸法 ・幅: 2000mm 以上、 2500mm 以下 ・奥行き: 1500mm 以上、 2000mm 以下 ・高さ: 2000mm 以上、 2500mm 以下 ○室内清浄度がクラス1000 <使用料>100 (円/時間) <導入年度>平成 <設置場所> 高度技術研究館 <主担当> 2F:セミナールーム441 内田 勝 電子光応用開発部 <副担当> 21 年度 内線 *204 オプトエレクトロニクスGr 内線 秋田県産業技術センター 機械設備台帳(カタログ) <名称等> スピンコータ H26リストNo 419 <仕様・品質等> MS-A150 <製造元> ミカサ株式会社 <用途等> 設備分類: 薄膜技術 アライナでマスク形状を転写するのに用いるレジストの処 理を行う <詳細仕様> ○スピンコータ ・搭載可能な最大ウェーハサイズは、φ6インチ以上 ・回転数は、最低が50rpm以下、最大が6000rpm以上 ○装備品 ・用卓上ドラフト <使用料>130 (円/時間) <導入年度>平成 21 年度 ・ホットプレート:温度調節範囲:室温~200℃以上 ・超音波洗浄機:500mlビーカー <設置場所> ・クリーン温風循環乾燥機:クラス1000以上 高度技術研究館 2F:セミナールーム441 ・オートドライデシケータ <主担当> 内田 勝 内線 *204 電子光応用開発部 <副担当> オプトエレクトロニクスGr 内線
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