東北大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Venture Business Laboratory Tohoku University センサ・マイクロマシンの研究開発 （マイクロ・ナノマシニング） Development of Sensors and Micromachines (Micro・Nano-Machining) ２００１年１月 設立経緯と目的 東北大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリーは、平成７年度政府補正予算による 「大学院を中心とした独創的研究開発推進経費」で発足した施設です。東北大学では「セ ンサ・マイクロマシンの研究開発（マイクロ・ナノマシニング）」を研究・教育テーマに 掲げ、全学的な協力体制でこの計画を推進しております。目的は次の3点です。 １） 新産業創出に結びつく実践的で独創的な研究開発プログラムの推進 ２） 高度の専門的職業能力を持ちベンチャー精神に富んだ創造的人材の育成 ３） 大学院専用の教育研究施設と大型特別設備の整備 施設の役割 「マイクロマシニング棟」は600m2のクリーンルームを持ち、2インチのシリコンウ ェハを処理して本格的に集積回路を実現できる環境です。「ナノマシニング棟」は150m2 のクリーンルームで、ナノマシニング関連の研究を中心に利用できます。大学院生を中心 とした若手研究者の自由な発想や創造性の養成、研究科・専攻の枠を越えた学際的な協同 による幅広い資質を持つ人材の育成、国内企業や他大学等の研究者を受け入れた共同研 究、特別招聘外国人研究員のような国外からの研究者の受入あるいは若手研究者による海 外調査のような国際交流などを積極的に実施し、その成果を世界中に発信します。 利用しやすいVBLを目指して ハイテク技術は大規模に集積した総合技術であるので、さまざまな設備や知識が必 要です。研究室がそれぞれ独自に高価な設備をかかえて研究すると無駄が多くなるので共 同で利用する工夫が必要です。「マイクロマシニング棟」１階のクリーンルームでは、維 持のし易さを優先して小さな2インチウェハを処理するようになっています。本格的な集 積回路を大学内で試作できる施設として整備しておりますので、大いに利用してくださ い。2階に分析や光学実験、測定評価などの実験室があります。3階の一部は「センサ・マ イクロマシン博物館」として、いろいろな所で作られたデバイスを集め展示しています。 「ナノマシニング棟」では、フォトマスク製造関係の他、レーザ描画装置や長焦点の投影 露光装置が設置されています。また走査型プローブ顕微鏡関係やナノマシニング関係の研 究に利用しやすい環境になっています． VBLの設備は全て共用であり、多くの人に実質的に利用されるように努めていま す。VBLは東北大の教職員であればどなたでも利用できます。また、外部の方（企業、他 大学、国立機関、外国の大学・研究所）も、東北大のどこかの研究室とコンタクトを取っ て利用いただければ、基本的にはどなたでも利用できます。設備の維持を研究者や学生の 手で行っているので、試作や分析の請負をするのではなく、装置担当者の指導を受けて直 接に装置を運転して研究していただく方針を基本にしています。従ってメンテナンスにも ご協力いただいています。利用申請はいつでも受け付け、すぐに利用できます。装置の状 況は電子メールにより関係者全員にお知らせしています。 大学で集積し整理した関連分野の情報を自由に利用できるようにオープン化に努めて います。企業からの施設の見学や技術的な相談にも応じています。情報提供による大学の 貢献が期待されるため、関係者にご案内してセミナーを開き、この分野の系統的な講義な ども行っています。 （利用にあたっての安全管理等についてはVBL安全マニュアルをご利用ください） 利用の方針 VBLでは半導体集積回路製作技術を中心としたハイテク技術をできるだけ多くの方々 が習得し、高いレベルの研究を具体化し、産業を生み出すような実用的なデバイスを実現 することに広く貢献できることを目指しています。このため、設備の使用においては利用 者自身が、使用方法を十分理解し、十分な性能を発揮するよう調節に心がけ、次の使用者 のことを考えて、後処理やメンテナンスに参加することを基本としています。相互の情報 交換と協力により、利用しやすい設備とレベルの高い研究を維持したいと考えています。 利用形態 基本的に制限はありませんが、企業の方は大学との共同研究 （どの方式でも可）の手続きを取っていただいてご利用いただ けます。 利用テーマ 大学での研究にふさわしければ基本的に制限はありません。テ ーマの審査等はVBLでは行っていません。 利用申請 随時受け付けています。利用者は必ずVBL利用登録手続きを行 ってください。 利用期間 基本的に制限はありません。いつでも開始し、終了できます。 利用経費 消耗品の利用者負担と機器使用料を基本にしています。 特許について 特許の取得を推奨しています。特許の申請については実施した 研究形態（共同研究，文部省科学研究等）の取り決めに従って ください。 ベンチャー指向の 創造的人材の育成 海外調査 （国際交流） 外国人 研究員 研究 グループ 研究 グループ 産業に結びつく 研究成果 東北大学 大学院 研究科，研究所 Ｈ 研究 グループ ベンチャー・ビジネス ラボラトリー Ｇ 研究 グループ ベンチャー ビジネス （ （ Ａ 研究 グループ マイクロマシニング棟 ナノマシニング棟 Ｂ Ｆ 研究 グループ Ｅ 研究 グループ 研究 グループ Ｃ Ｄ 他大学 国外企業 官 公 庁 研究機関 国内企業 利用の手順 学内利用者 学外利用者 東北大の研究室 へコンタクト VBL事務局へ連絡 安全講習会 （春開催） VBL3階共同研究室内 TEL:022-217-6256 Mail:inquire@vbl.mech.tohoku.ac.jp 登録手続き 十 分 習 熟 利 用 頻 度 大 ・デジカメによる顔写真の撮影 ・VBL入室カードの登録 (研究室利用責任者の登録) 安全マニュアルを受け取り、読む 装置担当 者となる 装置担当者に使い方を習う 装置の予約 メンテ ナンス 装置の利用 装置に 習熟した 新しい装置 を使いたい VBL利用に関するFAQ Q ベンチャービジネスラボラトリー(VBL)はだれでも利用できるのでしょうか？ 現在、約50の研究室が利用しています。基本的にどの研究室でもご自由にお使いになるこ とができます。学内の利用者はまず研究室の利用責任者を選任して下さい。原則として利 用責任者は本学教官から選任することになっています。利用者登録用の所定用紙はVBL３F の共同研究室で手に入れることができます。学外の利用者についても、学内の研究室を窓 口として利用することが可能です。詳細は、VBL３Fの共同研究室にて説明をうけることが できます。 Q 装置の使い方を学びたいのですが？ VBL内の装置には、それぞれ主担当と副担当の装置の管理者が選任されています。管理者は 利用頻度がもっとも高く、よく理解している方から選任されます。原則として、使用方法 はその担当者から学ぶことになっています。よく理解している方でも装置ごとの独自の使 用ルールがあるので、確認してから利用して下さい。担当者が認めた委任者から学んでも 結構です。 Q いつでも装置を利用できるのでしょうか？ VBLの装置の利用は予約が必要です。予約表はVBL３Fの共同研究室にあります。ただし、予 約すれば、１週間でも連続的に使用できるわけではありません。利用者は長期利用の場合 は、装置担当者と連絡、メーリングリストでの通知が必要です。他の利用者との調整が必 要になります。 Q プロセスを教えていただきたいのですが？ 利用登録している研究室の中には、マイクロマシン、センサを開発している研究室やLSIの 開発を行っている研究室があります。はじめてプロセスを学ばれる方は、そういう研究室 で一度相談されることをお勧めします。VBLの職員もどこで学ばれるのが適当かある程度相 談に応じます。 Q 使用可能なウエハーサイズは？ VBLで使用可能な標準的なウエハーサイズは20 mm角及び、２インチになっています。ただ し、装置ごとに固定可能なウエハーサイズ、枚数は異なるので担当者に確認することをお 勧めします。原則として、ウエハーはご自分で準備していただくことになっています。 Q 消耗品や物品がなくなったり装置が故障した場合はどうするのでしょうか？ 消耗品や物品がなくなった場合は、装置担当者に連絡下さい。消耗品の場合はなくなりそ うになった時点で連絡下さると助かります。装置故障の場合は、担当者と協力して修理し ていただくことになります。装置の修理やメンテナンス、使用法の指導はボランティアで 行われています。装置の維持に対しては、利用者も担当者と同等の責任があることを認知 して下さい。 問い合わせ先 多くの方々に利用していただきながら、特に異分野との交流を大切にした視野の広い研究 を目指しており、実質的で効率の良い運用方法を創っていきたいと思っております。定期的に「 マイクロ・ナノマシニングセミナー」を開催し、情報を提供いたしますので、学内外からの積極 的な御参加を期待しております。共同研究や研究テーマの提案あるいはお問い合わせなどがござ いましたら、御遠慮なく下記まで御連絡下さい。 〒980-8579 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉01 東北大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Tel. 022-217-6256,6257,6258 Fax. 022-217-6259 E-mail inquire@vbl.mech.tohoku.ac.jp URL: http://www.vbl.mech.tohoku.ac.jp 主な実験設備 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリーではマイクロ集積システムの設計、試作、評価といっ た一連の作業を一貫しておこなうことが可能です。又、装置担当者から使用方法を学ぶこと により、利用者は全ての装置を自由に利用することができます。 SX9000用ワークステーション セイコーインスツルメンツのSX9000のCAD 機能を利用してパターン設計を行った 後、 CAM機能を利用してパターンジェネ レータや、電子ビーム描画装置用の制御 コードに変換する。 設計装置 フォトマスク 作製装置 パターンジェネレーター(PG) 電子線描画装置 日本精工 TZ-310 CAMファイルに基づいて、Crマスク （分解能1µm,Hgランプ露光）、ガラ スマスク（分解能2 µm,Xeランプ露 光）の製作が可能。２∼４インチの マスクに対応している。 日立 HL-700 レジストを塗布したマスク上に電子線 を走査し、感光させることにより微細 回路パターンを形成できる。電子線分 解能は0.1µmであり、2.5 , 5インチ のマスクに対応している。 投影露光装置 i線描画装置 ウシオ電機 UX-2003SM-AGG01 平行光を用いて露光するため、焦点深 度が0∼50μmと大きく、段差部や立体 形状へのリソグラフプロセスが可能で ある。解像力は数μm であり、 マスクサイズ：2∼5インチ 試料サイズ：2cm角∼φ4インチ に対応している。 ニコン NSR-2205i11 Hgランプのi線（365 nm）を照射する ことで、フォトマスクの転写をおこ なう装置であり、最小線幅0.35 µmで 露光可能である。 マスクサイズ：2∼4インチ 試料サイズ：φ2インチ に対応している。 フォトマスク 転写装置 酸化、拡散炉 リケン製 炉内へ酸素ガスを導入し、高温にするこ とでシリコン表面へ酸化膜を形成する。 800∼1200℃の間で温度設定可能であり、 2φウェーハを25枚同時処理することがで きる。イオン注入後に高温雰囲気中に保 持することで拡散層の形成にも利用でき る。 酸化 拡散炉 中電流型イオン注入装置 日本真空技術 IMX-3500 アーク放電により電離することで得られ る注入イオンを高電界（5-180KeV）で加 速し、試料へ不純物を導入する。20mm角 ∼3φウェーハを処理することが可能であ り、注入イオンとしてSi、BF2、B、As、P などが利用できる。 イオン注入 装置 成膜装置 LP-CVD装置 液体ソースプラズマＣＶＤ装置 東京エレクトロン MARS-Ⅱ 低圧環境下で原料ガスを化学反応させ ることにより、ウェハ上に薄膜を堆積 させる。2cm角∼φ2inchの試料が利用 可能であり、Si3N4、TEOS-SiO2、多結 晶Siの成膜がおこなえる。 サムコインターナショナル研究所 ＰＤ−１０Ｃ TEOSを液体ソースとして用いること で、SiO2（30µm程度まで）を堆積させ る。低温で高速に成膜可能であり、 用途に合わせて、成膜温度や圧力を 変化させることができる。 高周波スパッタ装置 ＤＣ対向ターゲットスパッタ装置 日本電子 JEC-SP360R Au, Si, SiO2, Pt, Cr, Ti, PZT, Al といった材料の薄膜をスパッタ法で成 膜する。制限事項が少なく、多目的に 利用可能である。 大阪真空機器製作所 FTS-R3S 対向モードでスパッタを行うため、 磁性材料の厚膜形成が可能であり、 基板へのダメージが入りにくい。Ni, Al,CoFeといった材料の薄膜形成がで きる。 KrFエキシマレーザ Lambda Physik LPX120 このレーザ加工装置は、KrFエキシマレー ザとモータ駆動の精密位置決めステージ とで構成されている。KrFエキシマレーザ の波長は248 nm, 最大パルスエネルギは 300 mJであり、種々の樹脂の非熱的微細 除去加工に最適である。 レーザー加工 装置 急速熱処理装置 明純技術製 φ２インチの試料に対応しており、試料 に赤外線ランプを照射することにより、 温度を急速に上昇させる。イオン注入な どにより導入した不純物を急速加熱する ことで、非常に薄い拡散層を得ることが できる。 熱処理 装置 エッチング 装置 誘導結合形プラズマエッチング装置 XeF2エッチング装置 STS社(英), Multiplex Loadlocked Plasma System 低圧下において高密度プラズマが得ら れることから、高アスペクト比のエッ チングが可能であり、幅数µm で深さ 数百µmといった狭くて深い溝加工が できる。 自家製 シリコンを特異的にエッチングする XeF2ガスを利用することで、従来のエ ッチング法では製作が困難な極薄のダ イヤフラムなど特異な形状を製作でき る。 高速中性原子線エッチング装置 灰化装置 エバラ FAB60ML 高速中性原子を利用するためエッチ ング時に表面電荷の影響を受けずら く、良好な加工形状がえられる。 SF6, CH4, Cl2といったガスが利用可 能である。 samco PD-10S 試料表面の有機物をプラズマ中の酸 素ラジカルと反応させることで除去 できる。２インチウェハを最大7枚ま で一度に処理可能である。 評価装置 電界放出形走査電子顕微鏡(FE-SEM) 2次イオン質量分析装置(SIMS) 日立 S-4500 電界放出形の電子銃を使用している ため高解像度で鮮明な画像(分解能 1.5nm)が得られる。付属のEDSを用い ることで微小部位の元素組成が分析 可能となっている。 Atomica SIMS4000M セシウムや酸素イオンビームを試料に 投射することで得られる２次イオンを 質量分析装置によって検出する。試料 表面に存在する不純物の種類と量を定 量的に分析できる。 段差計 SPM 装置 日本真空技術 DEKTAK3ST 探針型の段差計であり、試料表面に接 触させた針を走査することで、表面形 状を定量的に測定できる。φ2インチ の試料に対応しており、最低5nmまで の段差を判別することができる。 オリンパス NV-2000 原子間力やトンネル電流を利用してサ ンプル表面の形状や特性をナノスケー ルで観測できる。プローブを開発する ことで様々な用途に応用が可能となっ ている。 赤外線カメラ 光ヘテロダイン微小振動測定装置 三菱電機 IR-M300 物体表面から放射される赤外線を赤外 線CCDで受光することで、モニター上 へ熱画像として表示する。検知波長帯 は3µm∼5µmであり、1/60秒ごとに画 像化することができる。 日本科学エンジニアリング MLD-102 レーザ光の干渉現象を利用すること で、試料の振動速度とその振幅を測定 できる。測定能可能な周波数帯域は 1Hz∼1.5MHzであり、変位測定の最小 分解能は10nmである。 VBL内設備の概要 暗室 Carbon CVD UHV STM/AFM ナノ マシニング棟 レーザ露光装置 露光装置 陽極接合装置 投影露光装置 EB露光装置 Photo repeater EB露光装置 SPM装置 ECR CVD Stepper/PG 縮小露光カメラ 「マイクロマシニング棟」は３階建で総床面積は２,０００㎡、１階は面積６００㎡のダウンフ ロー型クリーンルームになっており、２階は各種の実験室です。３階にはセミナー室の他、学内 外から来て設備を使う大学院生や研究者のための居室、センサ・マイクロマシンのミニ博物館な どがあります。 「マイクロマシニング棟」には、超高真空ＣＶＤ装置などを含む２インチ用の一連のＬＳＩ製 造設備、陽極接合装置や厚膜堆積用プラズマＣＶＤ装置などのマイクロマシニング設備、電界放 射透過電子顕微鏡などの分析設備、時間分解分光測光システムなどの光計測設備、赤外可視紫外 分光エリプソメトリなどのインプロセスモニタ設備のような最先端の各種設備が設置されており ます。なお、隣接して「ナノマシニング棟」が設置されておりますが、これは面積１５０㎡のク リーンルームで、超高真空走査型プローブ顕微鏡や各種表面分析装置を中心とした表面科学的な 研究が無振動空間で行える環境になっております。 VIM Atomos. AFM/STM 超高真空STM・AFM装置(日本電子 JSTM4500) ナノマシニング棟内暗室 X線光電子分光システム (アルバックファイ 1600CS) フォトマスク作成用 ESCA分析装置 (PHI 50C) パターンジェネレータ ECR-CVD装置(自家製) 走査型プローブ顕微鏡システム (オリンパス NV-2000、島津 SPM-9500) パターンジェネレータ・ステッパ(日本精工 TZ-310) VIMカメラ(浜松フォトニクス C2400-25) 縮小露光カメラ(自家製)、フォトリピータ(自家製) 電子線描画装置[EB] (エリオニクス ELS-3700S、 ELS-3300) レーザ露光装置(日本科学製) 露光装置(EVG EV-530) 陽極接合装置(EVG EV-520) 投影露光装置(ウシオ電機 UX-2003SM-AGG01) カーボンナノチューブCVD装置(自家製) UHV-STM/AFM装置 Draft マルチターゲット 高周波スパッタ スパッタ(JEOL) マルチターゲット スパッタ(EIKO) STS RIE エリプソ Case EB露光装置 ECR RIE RIE Ion Beam Sputter Meta RIE AP CVD CDE Asher Excimer Laser FAB ３次元ウェハー 接合装置 段差計 RTA レーザアブレーション スパッタ STS RIE EB蒸着 装置 高周波スパッタ 対向ターゲット スパッタ マルチターゲット スパッタ(Anelva) ECR I線 ステッパ PECVD P-CVD W-CVD 真空蒸着 装置 UHVCVD LPCVD EB露光装置 酸化拡散炉 Spinner リン拡散炉 顕微鏡 酸化拡散炉 顕微鏡 恒温槽 イオン注入装置 更衣室 EB露光装置(日立 HL-700、日本電子 JBX-5000SM) マイクロ Ｉ線ステッパ(ニコン NSR-2205i11) マシニング棟 スピンナ(ミカサ IH-DX)、ベーク炉(テクノファイン TL400,AT-S30) 酸化拡散炉(リケン製、国際電気製） １階 イオン注入装置 (日本真空 μP-150) 超高真空CVD装置 [UHV-CVD](日本真空 BC3217) プラズマCVD装置[PECVD](アネルバ PED-401、サムコ PD-10C) 減圧CVD装置[LPCVD](東京エレクトロン MODEL2400) 常圧CVD装置[APCVD](ケミトロニクス C-1100) タングステンCVD装置[W-CVD](日本真空 BC4969) プラズマアッシャー(サムコ PD-10S) ケミカルドライエッチャー[CDE](モリエンジニアリング ASA-010) ECRエッチング装置[ECR-RIE](日本真空 ECRE-2000、大日真空 TH9107B) ICP-反応性イオンエッチング装置(STS) 反応性イオンエッチング装置 [RIE](アネルバ L-2010D-L,L-201-D-L、エイコー ERI-10L） 高速中性原子線エッチング装置[FAB](荏原製作所 FAB60ML) マルチターゲットスパッタ装置(アネルバ SPC-350、日本電子 JEC-SP360R、エイコー ES-350) 高周波スパッタ装置(アネルバ SPF-210H、日本真空 MPS-2000-HC3) レーザーアブレーションスパッタ装置(日本真空 L-PVD-HC、ラムダフィジックス LPX-205ICC) 対向ターゲットスパッタ装置 (大阪真空 FTS-R3S) イオンスパッタ装置(日新電機 IVDS-800-SA) 真空蒸着装置(トクダ CU-6ST-40) 電子ビーム蒸着装置 (アネルバ VI-43N) 急速熱処理装置(明純技術製) 3次元ウェハアライナ(三菱重工製) 段差計(日本真空 DEKTAK3ST)、エリプソ(日本科学 EL-680W) 熱処理炉 赤外線CCD 顕微鏡 時間分解分光 測光システム 加速度 試験器 顕微CCD スペアナ 光スペアナ 熱処理炉 組立評価室 光学測定室 分析評価室 レーザ加工室 シャワー室 機械室 (レーザ加工室) マイクロ エキシマレーザ(ラムダフィジックス LPX120) 分子線エピキタシャル装置[MBE](RIBER MBE2300) マシニング棟 YAGレーザ (日本電気 SL115) ２階 (分析室) 電界放射走査電子顕微鏡 [FE-SEM](日立 S-4500)、イオンスパッタ(日立 E-1030) 環境制御走査電子顕微鏡 [N-SEM](ニコン ESEM-20) 低真空走査電子顕微鏡[SEM](日立 S-2250) YAGレーザ(SOLAR LF114) 二次イオン質量分析装置[SIMS](ATOMICA 4000) 集束イオンビーム装置 [FIB](セイコー電子 SMI8100) 蛍光X線微小部膜厚計[XRF](セイコー電子 SFT-8000) レーザ顕微鏡 (レーザテック 1LM21W) 2F 分析室 (光学測定室) XeF2エッチング装置(自家製) 分子線エッチング装置(自家製) FTIR (ニコレー Impact410) 分光エリプソメータ(Jobin-Yvon UVISEL、溝尻光学 DV-SST) 熱画像マイクロ計測システム (三菱 IR-M300) 波長可変レーザ(テクノリケン TSL-100) 時間分解分光測光システム (浜松ホトニクス製) 光パラメトリック発振装置 2F 光学測定室 近赤外可視紫外分光計 (日本分光 V570DS)、高速ビデオカメラ (フォトロン HVC) (組立評価室) メッキセット(自家製) 光スペクトルアナライザ(アドバンテスト Q8347)、光干渉計(FISO FTI-100) 光ヘテロダイン微小振動測定装置(日本科学 MLD-102-12)、HIPOS(オリンパス ZD-101) 分光器(光研工業 SG-100)、光ファイバ端面研磨装置(精工技研 SFP7062) ネットワークアナライザ(HP 4194A、アドバンテスト R3751B) インピーダンスメータ(HP 4284A、Solartron SI1260)、デジタルオシロ(横河電機 DL2700) 顕微CCD(ハイロックス KH-2400、スカラー VL-11SL) コンピュータ室 共同研究室 展示資料室 （センサ・ マイクロマシン 博物館） セミナー室 電気室 電子実験室 (展示・資料室) センサ・マイクロマシン博物館 (コンピュータ室) ULSI設計システム (セイコー電子 SX-9000) 構造解析シミュレーションシステム(ANSYS) (電子実験室) ICプローバ 各種オシロスコープ 各種電源 各種電圧計、電流計 各種ファンクションジェネレータ マイクロ マシニング棟 ３階 3F 展示室・資料室 3F コンピュータ室 2F 組立評価室 1F クリーンルーム 2F レーザ加工室 1F クリーンルーム 1F 金属蒸着室 VBL内の装置と同様の利用方針で、関連研究室において以下の装置が利用でき ます。詳しい事は担当研究室にご連絡下さい。 (江刺研究室) 江刺正喜 教授 TEL:022-217-6934 FAX:022-217-6935 esashi@cc.mech.tohoku.ac.jp スピンコーター(自家製)、露光装置(Karl Suss MA6、ミカサ MA-8) 膜厚測定装置(ナノメトリクス ナノスペック) 酸化炉(自家製)、拡散炉(自家製)、熱CVD装置(自家製) プラズマCVD装置(自家製)、パリレン蒸着装置(自家製) O2アッシング装置(自家製)、スパッタ装置(自家製) 真空蒸着装置(ULVAC YH-500A、昭和真空 EA-504) RTA装置(サーモ理工 IR-2000GVS) 反応性イオンエッチング装置(自家製) 陽極接合装置(自家製、Karl Suss SB6) 表面形状測定装置(Tencor P-10)、臨界点乾燥装置(日立 HCP-2) ダイシング装置(ディスコ DAD522)、サンドブラスト装置(自家製) アルカリエッチング設備(TMAH用、EPW用、ヒドラジン用) 研磨装置(ムサシ電子 MA-200、ナノファクター NVG-200A) 非接触深度測定機(UNION光学 HISOMET) 高速立形加工機(東芝機械 F-MACH442) ホットプレス装置(立花理工製)、真空封止装置(アユミ工業 ES-30D) ガスクロマトグラフィ装置(島津製作所 GC-1413) 液体クロマトグラフィ装置(BAS LC-4CE) オージェ分析装置(PHI 545SE)、分光光度計(日本分光 V-570) 赤外分光エリプソメトリ(Jobin-Yvon MB-100) LB膜製作装置(日本レーザ電子 LB240) 冷却高感度CCDカメラ(浜松フォトニクス C4742) Arレーザ(COHERENT INNOVA300C) フリップチップボンダ(完エレクトロニクス MODEL-6000) ワイヤーボンダー (完エレクトロニクス MODEL-7700C) スポット溶接装置(日本アビオニクス NRW-100A) (小柳研究室) 小柳光正 教授 TEL:022-217-6906 FAX:022-217-6907 koyanagi@sd.mech.tohoku.ac.jp マイクロプローバー装置(自家製)、C-V Plotter(HP 4280A) ロジックアナライザー(HP 16500C) 直流微小電流源(HP 4140B)、キャパシタンスメータ(HP 4278A) 半導体パラメータアナライザー(HP 4156A) B0版対応カラーインクジェットプリンタ(EPSON PM-9000C) (羽根研究室) 羽根一博 教授 TEL:022-217-6962 FAX:022-217-6963 hane@hane.mech.tohoku.ac.jp スプレー塗布システム(自家製)、転動露光装置(自家製) 熱CVD装置(VICインターナショナル TVC-5000) マイクロプローバ装置(自家製)、真空蒸着装置(ULVAC VPC-260) デジタルマイクロスコープ(Keyence VH-7000) (新妻研究室) 新妻弘明 教授 TEL 022-217-7398 FAX:022-217-7398 ni@ni4.earth.tohoku.ac.jp 基板加工装置(ミッツ FP-7) 光ファイバ用レーザ光源(ニューフォーカス 6328-P) 光ファイバ用LED光源(アドバンテスト Q81207) 光ファイバ用光パワーメータ(ニューオプト OPM-130-Ge) B0版対応カラーインクジェットプリンタ(EPSON PM-9000C) (破壊制御システム研究施設) 庄子哲雄 教授 TEL:022-217-7517 FAX:022-217-7518 tshoji@rift.mech.tohoku.ac.jp 電界放射透過電子顕微鏡[FE-TEM](日立 HF-2000) 関連研究室で 利用可能な 設備 機械・知能系共同棟 クリーンルーム 江刺研実験室 小柳研実験室 羽根研実験室 新妻研実験室 主な研究成果 30nmの微小発熱体を先端部に形 成したマルチマイクロプロー ブ。微小発熱体を多数配置する ことにより、高密度かつ高速な データ記憶装置への応用を目指 す。 血管内計測に使用する目的で開 発された直径125µmの光ファイバ ー圧力センサ。光ファイバー先 端に形成したダイヤフラムの変 位と圧力の関係を光の干渉現象 を用いて検出する。 地下弾性波計測のために、製作 した容量型マイクロ加速度セン サ。広い帯域にわたり高感度か つ平坦な位相特性を有する弾性 波検出器となっている。VBLの設 備を用いることで従来品の 1/15000程度の体積となった。 EMC対策などに用いるため製作し た、近傍磁界計測用シールディ ドループコイルの磁界検出部。 電界誘起電圧除去機能や、平衡 不平衡変換機能など高周波磁界 計測に必要な機能も備えてい る。 光軸の調節などに用いるために 開発した透過型の光ビームポジ ションセンサ。入射光の大部分 を透過させ、一部の光でビーム の位置を測定するため、多段に センサを配置して、多数の光部 品の光軸あわせに用いることが できる。 精度の高い光学的干渉センサと 精度の粗い光強度センサを組み 合わせた集積型光学式距離セン サ。干渉センサでは40nmの薄膜 光検出器を用いた定在波検出方 式を提案している。 開発した原子層吸着拡散法を用 いて製作したゲート長0.05µmの トランジスタのSEM断面写真。こ の拡散法はシリコン表面上に不 純物原子層を吸着した後、拡散 させ、極浅接合を形成できる。 開発した三次元集積化技術によ り、三枚のウェハーを張り合わ せた三次元集積回路テストチッ プのSEM断面写真。CMOS回路を含 む集積された３層のウェハが精 度よく張り合わせられているの が確認できる。 耳の手術中に，耳小骨の変位と 反力の関係を計測する目的で開 発された耳小骨可動性計測用容 量型力センサ の上面図。中央部 にかかる荷重を，センサの容量 変化として検出する。 施設所在地 東北大学・工学部 東北大学 通り 国分町 西公園通 り 仲ノ瀬橋 通り 番丁 東二 り 定禅寺通 広瀬通り 川 広瀬 南町通 大橋 仙台駅 青葉通り 至宮城教育大 り 青葉城跡 ナノマシニング棟 仙 台 駅 バス停「工学部前」 （ マイクロマシニング棟 東北大学ベンチャー・ ビジネス・ラボラトリー 交通：タクシー 仙台駅から約15分 1,500円程度 バス 仙台駅前9番乗り場から 工学部、宮教大、青葉台行き または、工学部経由 青葉城址循環 「工学部前」下車 ）
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