富士通カンタムデバイス DS02–23216–5 DATA SHEET 光半導体 受光素子 APD プリアンプモジュール 2.5 Gbit/s 光伝送用，1310 nm/1550nm 帯 光伝送用， FRM5W231DR ■ 概 要 この製品は , 2.5 Gbit/s の長距離大容量光伝送用として開発された , プリアンプ IC 内蔵のアバランシェホトダイオード モジュールです。 ■ 特 長 ・ InGaAs - アバランシェホトダイオード ・ トランスインピーダンス型 GaAs プリアンプ内蔵 ・ 難燃性マルチモードファイバ付き ・ 高受光感度 1.0 A/W ・ 最小受信感度 : −32.5 dBm (NRZ, 2.488 Gbit/s) ・ 最大光入力 : −5 dBm ■ 用 途 2.5 Gbit/s 光伝送用 ■ パッケージ DR 注 意 GaAs 当製品にはガリウムヒ素 (GaAs) が使用されています。 危険防止のために，下記の事項を厳守してください。 ・当製品を口にいれないでください。 ・当製品を焼いたり，砕いたり，化学処理を行い気体や粉末にしないでください。 ・廃棄する場合は，関係法令と貴社の社内廃棄物処理規定に従ってください。 注 意 け が ファイバの破片でけがをする恐れがあります。 ファイバが折れたり , 破損したときは , 破片に直接手を触れないでください。 FRM5W231DR ■ 絶対最大定格 (TC (OP) = +25 °C) 項 目 保存温度 動作時ケース温度 記 号 条 件 定 格 値 単 位 Tstg −40 ∼ +85 °C TC (OP) −20 ∼ +70 °C 電源電圧 VSS −6 ∼ 0 V APD 逆電圧 VR ＊ 0 ∼ VB V APD 逆電流 IR Pulse(peak) 2 mA CW 1 mA ＊：APD の降伏電圧は素子ごとに異なります。 ＜注意事項＞ 絶対最大定格を超えるストレス ( 電圧 , 電流 , 温度など ) の印加は , 半導体デバイスを破壊する可能性があ ります。したがって , 定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。 ■ 付属ファイバの規格 項 目 定 格 値 単 位 GI50 マルチモードファイバ モードフィールド径 50 ± 3 µm クラッド径 125 ± 3 µm コア非円率＊ 1 5 以下 % 2 以下 % 4 以下 % 0.21 ± 0.02 % 2 次コーティング外径 0.9 mm 最小曲げ半径 30 mm ファイバ種類 クラッド非円率＊ 1 コア・クラッド偏心率 N.A. ＊2 ＊ 1：非円率 = ( 最大径 − 最小径 ) / ( 最大径 + 最小径 ) / 2 × 100 % ＊ 2：偏心率 = ( コア中心とクラッド中心間の距離 ) / 標準クラッド径 (125 µm) × 100 % 2 FRM5W231DR ■ 電気的・光学的特性 (TC (OP) = +25 °C, VSS = 5.2 V, λ = 1310 / 1550 nm) 項 目 記号 R15 APD 受光感度 R13 条 件 M=1 規 格 値 単位 最小 標準 最大 λ = 1550 nm 0.9 1.0 A/W λ = 1310 nm 0.9 1.0 A/W 40 50 65 V APD 降伏電圧 VB ID = 10 µA APD 降伏電圧の温度係数 Γ ＊1 0.09 0.12 0.15 V/°C トランスインピーダンス Zt AC − 結合 , RL = 50 Ω, f = 100 MHz 400 600 800 Ω BW AC − 結合 , RL = 50 Ω, M = 10 1.8 2.0 GHz 入力換算雑音電流密度 in AC − 結合 , RL = 50 Ω, 帯域内 (BW) 平均 6.5 8 pA/Hz 最小受信感度 Pr NRZ, 2.488 Gbit/s , PRBS = 223 − 1, BER = 10−10 APD 逆電圧は最適点にセット。 −34 −32.5 dBm NRZ, 2.488 Gbit/s, M = 3 PRBS = 223 − 1, BER = 10−10 APD 逆電圧は最適点にセット。 −5 dBm ＊ 2 ，M = 3 −7 dBm 50 mA −3 dB バンド幅 最大光入力パワー Pmax 電源電流 ISS VSS = − 5.2 V ± 5 % 奨励電源電圧 VSS −5.46 −5.2 −4.94 V サーミスタ抵抗 Rtr 9.5 10 10.5 kΩ ＊ 1：Γ = [∆VB / ∆TC (OP) ] ＊ 2：最大光入力パワーは以下のように波形歪み量で規定する。パルス幅は AC 結合時の GND レベルで規定 [ 出力パルス幅 （高出力時）− 出力パルス幅 （低入力時）] / 出力パルス幅（低入力時）× 100 = 10 (%) 3 FRM5W231DR ■ 推奨動作条件 項 目 記号 規 格 値 最小 標準 最大 単位 APD 逆電圧 VR VR (M ＝ 3) VB V APD 逆電流 IR 1 mA APD 増倍率 M 3 15 ビットレート 2488.320 Mbit/s ＜注意事項＞ 推奨動作条件は電気的・光学的特性の規格値を保証する条件です。また , 長期信頼度を維持するため , 推奨動 作条件で使用してください。 データシートに記載されていない項目 , 使用条件 , 論理の組合せでの使用は , 保証していません。記載され ている以外の条件での使用をお考えの場合は , 必ず事前に当社営業担当部門までご相談ください。 ■ 実装についての注意事項 電気的・光学的特性の規格値を保証するため , 以下の推奨条件で使用してください。 ・ビス固定はトルクドライバーを使用し , M2 で 14.7 N・cm 以内で固定してください。 ・ホトダイオードモジュールと取付け面の間に異物が付着しないように目視確認してください。 ・固定の際 , トルクドライバーがホトダイオードモジュールのゴムキャップに接触しないように十分注意ください。 ■ 光学系に関する注意事項 ファイバおよび光学系の破損を避けるため , 取扱いには以下の点にご注意ください。 ・デバイスゴムキャップ部に応力を加えないでください。 ・ファイバを最小曲げ半径以下に曲げたり , 引っ張ったりすることは避けてください。 4 FRM5W231DR ■ 代表的特性 周波数応答特性 入力換算雑音電流密度 (pA/ Hz) 相対出力 (dB) +6 M = 17 M = 10 0 M=5 −6 −12 λ = 1550 nm VSS = −5.2 V AC coupled RL = 50 Ω −18 0 入力換算雑音電流密度 周波数特性 10 1.0 5 AC coupled RL = 50 Ω VSS = −5.2 V 0 2.0 0 1.0 2.0 周波数 f (GHz) 周波数 f (GHz) 周波数特性 出力電圧 ピーク 800 Marker 1 : 1.0 GHz 2 : 1.5 GHz 3 : 2.0 GHz 4 : 2.5 GHz AC coupled 100 Mbit/s NRZ duty 50 % RL = 50 Ω VSS = −5.2 V 4 出力電圧 Vont p-p (mV) 1 2 3 S 22 10 0 600 Zt = 600 Ω 400 200 Ip 4 O −10 1 2 0 3 1.5 3 周波数 (GHz) 0 0.5 1.0 1.5 ピーク光電流 Ip (mA) 伝送特性 10−3 λ = 1550 nm 2.488 Gbit/s +70 °C NRZ TC(op) = +25 °C ビット・エラー・レート 10−4 10−5 −20 °C 10−6 10−7 10−8 10−9 10−10 10−11 10−12 −40 −35 −30 −25 平均光入力パワー Pin (dBm) 5 FRM5W231DR ■ 外形寸法図 DR 8 − C1 #2,5,7 φ 0.9 #8 #6 2 − φ 2.1 10 14 15.2 φ5 2.54 11.2 12.7 2.2 29.2 #1 8 − 0.5W × 0.1T #3 20 24 1000MIN. 17 3.4 0.8 6.5 4.4 ピン配置 TOP VIEW 4 1 5 8 # 記号 1 2 3 4 5 6 7 8 VR GND VSS N.C. GND OUT GND Rtr 機 能 APD 逆電圧 VR (+) ケース 供給電力 VSS (−) N.C. ケース 出力 ケース サーミスタ 単位 : mm 6 FRM5W231DR MEMO 富士通カンタムデバイス株式会社 http://www.fqd.fujitsu.com/ ビ ジ ネ ス 統 括 部 国 内 販 売 部（東 地 区） 〒 192-0046 東 京 都 八 王 子 市 明 神 町3-20-6（八 王 子 第 一 生 命 ビ ル） 国 内 販 売 部（西 地 区） 540-8514 大阪市中央区城見2-2-6（富士通関西システムラボラトリ） 特定プロジェクト販売部 192-0046 東 京 都 八 王 子 市 明 神 町3-20-6（八 王 子 第 一 生 命 ビ ル） 技術に関するお問い合わせ先 営業企画部 〒 192-0046 東 京 都 八 王 子 市 明 神 町3-20-6（八 王 子 第 一 生 命 ビ ル） Tel. Fax. Tel. Fax. Tel. Fax. (0426) 43-5880 (0426) 43-5882 (06) 6920-5930 (06) 6920-5931 (0426) 43-5883 (0426) 43-5882 Tel. (0426) 43-5884 Fax. (0426) 43-5882 本資料の記載内容は , 予告なしに変更することがありますので , ご用命の際は当社営業担当部門にご確認ください。 本資料に記載された情報・回路図は , 半導体デバイスの応用例として使用されており , 実際に使用する機器への搭載を目的としたものではありません。 また , これらの情報・回路図の使用に起因する第三者の特許権 , その他の権利侵害について , 当社はその責任を負いません。 本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されています。 極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を伴う用途 （原子力施設における核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵器システムに おけるミサイル発射制御をいう）, ならびに極めて高い信頼性が要求される用途（海底中継器 , 宇宙衛星をいう）に使用されるよう設計・製造されたもの ではありません。したがって , これらの用途にご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に当社営業担当部門までご相談ください。ご相談なく使用されたこと により発生した損害などについては、責任を負いかねますのでご了承ください。 半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害を生じさせないよう , お客様は , 装置の冗長設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。 本資料に記載された製品が , 「外国為替および外国貿易法」に基づき規制されている貨物または技術に該当する場合には , 本製品を輸出するに際して , 同法に基づく許可が必要となります。 編集 営業推進部 0202 2002 FUJITSU LIMITED Printed in Japan
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