Materials and Applications - Sigma

TM
Vol. 4, No. 2
先端セラミック材料
Materials and Applications
鉄ニクタイド超電導体
ホウ素系の
高温熱電材料
炭化ケイ素
Ceramics—more than just common materials
メソポーラス酸化物と
その水素貯蔵への応用
2
はじめに
セラミックスを大まかに定義すると、金属イオンと非金属イオ
ンの無限に続く配列で構成された非金属無機固体であるといえ
ます。一般に、セラミックスは金属の酸化物、ホウ化物、炭化物、
ヒ化物、窒化物やその他の各種無機化合物が結合して、元の成分
とは大きく異なる特性を持つ複合材料です。
TM
Vol. 4 No. 2
目次
「セラミックス」の語源は、ギリシャ語で「陶器」を意味する
「keramos（ケラモス）」です。さらに、サンスクリット語で「陶工」
を意味する「Shrapika」という単語まで遡ることもできます 1。長
はじめに
年の間、セラミック材料は粘土を焼成することによって製造さ
れ、タイル、調理器具、煉瓦などの一般的なセラミック製品は
今でもこの方法で作られています。
先端セラミック材料
Viktor Balema, Ph.D.
Materials Science
Sigma-Aldrich Corporation
20 世紀に入り先端材料研究が盛んになると、粘土を原料としない新たなセラミック材料
が開発されました。「先端セラミックス」と呼ばれるこの材料は、金属酸化物を用いたセ
ラミック成形法 2 によって、もしくは前駆体物質を用いたゾルゲル法 3、原子層堆積法 4、
または気相合成法 5 によって製造されます。先端セラミックスは、現代の科学技術のほと
んどの分野で非常に重要な役割を果たしていると言っても過言ではありません。その用
途には、電子材料および電子デバイス、ナノ材料、コーティング材料、構造材料、複合
材料などが挙げられます。
代替エネルギーは、先端セラミックスが特に有用であることが明らかな分野です。たと
えば、高温超電導セラミック材料は、電気システムや電気機器のエネルギー損失を低減
し、エネルギー効率を向上できる大きな可能性を持つことが実証されています。熱電セ
ラミックスは、廃熱を電気に変換してクリーンなエネルギーを生成することができます。
高度に多孔質な複合酸化物材料は、水素などのエネルギー密度の高い気体を安全に貯蔵
するための媒体として使用することができます。この他にも、セラミックスは、発光ダ
イオード用基板、固体酸化物形燃料電池（SOFC）用電極および電解質、高効率絶縁体な
どに使用されています。
本号は、代替エネルギーおよびエレクトロニクス分野での先端セラミック材料の応用に
関する 4 編の論文を収載しています。最初は、東京工業大学の細野秀雄教授による近年
開発された新規超電導セラミック材料の論文です。つくばの物質・材料研究機構の森孝
雄博士による論文では、新規熱電セラミックスについて論じ、ニューキャッスル大学（英
国）の Nicholas Wright 教授と Alton B. Horsfall 博士による論文は、炭化ケイ素をベースと
する材料についてレビューしています。最後に、米国ローレンスバークレー国立研究所
の Samuel Mao 教授のグループが、水素貯蔵やその他のエネルギー関連用途に向けたナノ
ポーラス酸化物の特性を報告します。
はじめに_____________________________ 2
表紙について_________________________ 2
“Your Materials Matter.”________________ 3
鉄ニクタイド超電導体：発見と現状_____ 4
ホウ素系の高温熱電材料______________ 10
炭化ケイ素
―The return of an Old Friend― ________ 16
メソポーラス酸化物と
その水素貯蔵への応用________________ 21
容量と価格は sigma-aldrich.com
をご覧下さい
Material Matters ™では、各記事の後に先端セラミック材料研究に役立つ弊社製品の紹介
が掲載されています。材料科学研究用の材料をお探しであれば、sigma-aldrich.com/
ms-jp をご覧ください。Material Matters ™に関するご意見やご質問、製品のご提案につ
いては sialjpts ＠ sial.com までご連絡ください。
References:
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
http://www.iitk.ac.in/infocell/Archive/dirjuly3/techno_ceramics.html (last accessed May 5, 2009)
Carter, C.B., Norton, M.G. Ceramic Materials, Springer: New York, London, 2007.
Material Matters 2006, 1, 3, 8-9.
Material Matters 2008, 3, 2, 28-30.
Material Matters 2009, 4, 1, 2-4.
s i g m a - a l d r i c h . c o m / j a p a n
表紙について
セラミック材料は、これまでも、そしてこれからも人間の生活と切り離すことができな
い材料であり続けるでしょう。セラミック材料は、現代のあらゆる技術や装置、とりわ
けコンピュータ、ディスプレイ、自動車、宇宙探査機などにとって欠かせない基本要素
です。硬さ、耐久性、高い電気抵抗と熱伝導抵抗、磁気的性質など、各種特性の多様な
組み合わせが可能であるため、セラミック材料は幅広い応用分野で用いられています。
なかでも最も特筆すべきものは、ある種の複合セラミックスの電気抵抗が比較的高温で
ゼロになるという高温超電導と呼ばれる性質です。表紙に示した構造は、東京工業大学
で開発された一般式が LaFeAsO である高温超電導体化合物を表しています。このユニー
クな物質については、4 ∼ 7 ページの細野教授による論文をご覧ください。
本カタログに掲載の製品及び情報は 2009年10 月
現在の内容であり、収載の品目、製品情報等は予
告なく変更される場合がございます。予めご了承
ください。製品のご注文に際し、価格、在庫の確
認は裏表紙に記載の弊社カスタマーサービスま
でお問合せください。なお、米国 Web サイト
（sigma-aldrich.com）の製品検索でも日本円と在
庫状況をご確認いただけます。
3
“Your Materials Matter.”
材料科学研究に有用な化合物の情報を募集しております。
「こんな物質を探している」、
「こんな製品があればいいのに」といったご意見がございましたら、sialjpts ＠ sial.com
までご連絡ください。
Joe Porwoll, President
Aldrich Chemical Co., Inc.
Ferrocenylmethyl methacrylate, 95% (NMR)
FMMA
[31566-61-7] C15H16FeO2 FW 284.13
CH3
O
Fe
CH2
O
mp 52 to 54 °C
700479-1G
1g
References:
(1)
(2)
Rider, D. A.; Liu, K.; Eloi, J.-C.; Vanderark, L.; Yang, Ling.; Wang, J.-Y.; Grozea, D.;
Lu, H.-Z.; Russel, T.P.; Manners, I. ACS Nano 2008, 2(2), 263.
Sakakiyama, T.; Ohkita, H.; Ohoka, M.; Ito, S.; Tsujii, Y.; Fukuda. T. Chem. Lett.
2005, 34, 1366.
本号で特集する先端セラミックスと関連製品
材料カテゴリー
2元系材料
複合金属酸化物
内容
Page
（As）
ヒ化物：（M）
x
y
7
（P）
リン化物：
（M）
x
y
7
（B）
ホウ化物：（M）
x
y
11
（N）
窒化物：（M）
x
y
12
（Si）
ケイ化物：（M）
x
y
17
炭化ケイ素：SiC
17
（C）
炭化物：（M）
x
y
17
（O）
アルミン酸：M
（Al）
x
y
8
（O）
フェライト：M（Fe）
x
y
8
（O）
チタン酸：M
（Ti）
x
y
25
（O）
タングステン酸：M（W）
x
y
26
（O）
ジルコン酸：M
（Zr）
x
y
26
（O）
ニオブ酸：M
（Nb）
x
y
26
希土類金属酸化物
ランタノイド元素ベースの酸化物
12
超高純度金属酸化物
アルドリッチ製超高純度無機材料
14
ALD用金属前駆体材料
原子層堆積法
（ALD）
システムに使用できるスチール製シリンダーに充填された高
純度金属前駆体化合物
21
クロロシラン、
アルコキシシラン
化合物（RSiX3）
メソポーラスセラミックス合成用シラン前駆体化合物
22
金属アルコキシド
（M（OAlk）x）
メソポーラスセラミックス合成用アルコキシド前駆体化合物
23
SOFC材料
固体酸化物形燃料電池（SOFC）用カソード、
アノード、電解質化合物
27
バルク供給／スケールアップのご相談は…
ファインケミカル事業部 Tel:03-5796-7340 Fax:03-5796-7345 E-mail:safcjp@sial.com
はじめに
ウィスコンシン大学（マディソン）の Padma Gopalan 教授
から、フェロセニルメチルメタクリラート（アルドリッチ製
品番号 700479）の製品化のご提案がありました。金属を含
有したこのモノマーをブロック共重合体構造の中に組み込む
ことで、ナノ構造材料に新たな機能を加えることができます。
その例には、レドックス活性、光物理、導電性、触媒、また
はプレセラミックなどがあります。フェロセン（アルドリッ
チ製品番号 F408）を含むポリマーは、主として酸化還元反
応によるモルフォロジー変化、磁性材料 1 や触媒材料の前駆
体物質としての役割、およびプラズマエッチング耐性ナノテ
ンプレートとしての用途に広く使用されています。フェロセ
ニルメチルメタクリラートは、各種精密ラジカル重合法に
よって重合可能 2 であり、さまざまな機能性ポリマーを簡便
に合成することが可能です。
4
鉄ニクタイド超電導体：発見と現状
Hideo Hosono1,2*
1. Frontier Research Center & Materials and
Structures Laboratory
Tokyo Institute of Technology
Nagatsuta 4259, Midor-ku, Yokohma
226-8503
2. Transparent Functional Oxide Project,
ERATO-SORST
Japan Science and Technology Agency
Japan
*Email: hosono@msl.titech.ac.jp
p 型 TOS の性能を改善する必要があります。そこで、その候
補物質として LaCuOCh を選択しました。この物質は正方格
子カテゴリーに属し、半導体（CuCh）- 層と絶縁体（LaO）＋
層が交互に積層した構造を持ちます。価電子帯の極大値と伝
導帯の極小値の位置がバルクの CuCh2 と La2O3 で異なってい
るため、不純物ドープした層からキャリア輸送層を空間的に
分離できると予測しています。
LaTMPnO の電磁気特性
鉄ニクタイド超電導体
はじめに
一般に、代表的な金属の酸化物は地球上で最も豊富に存在し、
かつ安定な物質であり、しかも環境にやさしい物質です。ま
た、この物質はセメント、ガラス、磁器などの汎用品の成分
として使用されてはきましたが、電子活性材料になるとは誰
もが考えていなかったことであり、その活性機能はごくわず
かしか見つかっていません。実際、大学の教科書には代表的
な絶縁体であると書かれています。しかし、このような「透
明な酸化物は電子活性材料のプラットフォームにはなり得な
い」という一般に広く受け入れられている考え方は、現象学
的に観察した結果から得たものに過ぎません。我々は、透明
酸化物の電子構造に関する深い洞察と、適切なアプローチに
よって、各種の活性機能を実現することが可能であると考え
ています。そこで、透明酸化物半導体（TOS：transparent
oxide semiconductor）の材料探索とデバイス応用の研究に注
力してきました 1。
s i g m a - a l d r i c h . c o m / j a p a n
我々は、結晶構造中に存在する低次元構造、特に 3 次元（3D）
で接続されたナノメートルサイズのかご状構造と、ナロー
ギャップ半導体材料層をワイドギャップ絶縁層で挟んだ 2 次
元（2D）層状構造に焦点を当てて、新たな透明酸化物半導
体を探索してきました。低次元電子状態からユニークな電子
特性が発現することを期待しています。
まず、3 次元接続したサブナノメートルサイズのかご状構造
に関する代表的な例は、かご状構造が由来の伝導帯に電子を
ドープすることで、耐火性酸化物である 12CaO・7Al2O3
（C12A7）を透明な半導体と金属導体の両方に変換するとい
うものです。この物質はバンドギャップが約 7eV のバンド
絶縁体で、アルミナセメントの成分として知られています。
正電荷を持つかご状構造の壁を形成する Ca イオンの 5s 軌道
からなる伝導帯の約 2eV 下に、もう 1 つの伝導帯が形成さ
れます。かごの壁から成る伝導帯に電子をドープすることは
電子親和力が低いために不可能ですが、他の方法を用いてか
ごの伝導帯にドープすることは可能です。ドープされた電子
の濃度が 1 x 1021 cm-3 程度に達すると絶縁体 - 金属転移が観
察され、
金属 C12A7 は 0.2 ∼ 0.4 K で超電導転移を示します。
これは、
「セメント超電導体」が実現されたことを意味しま
す 2。
次に、後者の構造である 2 次元層状構造から得られる代表的
な例は、透明な p 型半導体 LaCuOCh（Ch ＝ S および Se）
です。今まで p 型の物質が存在しないことによって、エレク
トロニクス材料としての透明酸化物半導体の発展が大きく遅
れていました。我々は、1997 年に化学設計によって初めて
の p 型透明酸化物半導体 CuAlO2 を報告しました 3。その後
の一連の p 型 TOS の発見によって、全 TOS からなる pn ヘテ
ロ接合（たとえば、p-SrCu2O2/n-ZnO）への電流注入と紫外
線発光が 2000 年に実現しましたが、より現実的な応用には
LaCuOCh において、-3 の電荷を持つプニコゲンアニオン（Pn）
で -2 の電荷を持つカルコゲンアニオン（Ch）を置き換えると、
3d10 電子配置を持つ Cu＋を +2 の電荷を持つ遷移金属カチオ
ン（TM）で置き換えることができます。TM と Pn の金属間化
合物は多数存在し、それらはさまざまな磁気特性を持ってい
ます。したがって我々は、LaTMPnO 化合物中の TMPn の 2 次
元電子構造から生じる、興味深い電磁気特性を見つけられる
のではないかと期待しました。それが、この一連の化合物を
研究する動機になったのです。
図 1 に、現在までに明らかにされた LaTMPnO の電磁気特性を
まとめて示します 3。電磁気特性は TM 中の 3d 電子の数によっ
て大きく変化します。Mn は反強磁性（AFM：anti-ferromagnetic）
半導体ですが Co は強磁性（FM：ferromagnetic）金属であり、
Ni は室温では常磁性金属、低温では超伝導体です 4。一方、
TM が Fe の場合は Pn が P と As で異なる性質を示します。
LaFePO は 4K で超電導転移を示す常磁性金属で、その挙動は
LaNiOCh の場合とほぼ同じです。
Pn
H
Li Be
Na Mg
K
TM2+
Pn
Elect. Prop.
Ca
Sc
Ti
V
Fe Co
Cr Mn
Mn Fe
Co
Mn(3d55))
Mn(3d
Fe(3d66)
Fe(3d
P
P
P
P
As
As
Semiconductor
Semiconductor
As
Magnetism
AFM
AFM
Eg
~1eV
eV
~1
࡯
—
Ref.
>>400
400KK
Yanagi
etetal.al.
Yanagi
submitted
JAPJAP
submitted
N O
P
S
As Se
Ni
Ni Cu
Cu Zn
Zn Ga Ge As
TM
SuperSuperconductor
conductor
TC / TN
B
Al
Undoped:
Undoped:
55 KK
7 7
Co(3d
))
Co(3d
PP
As
As
X
X
F-doped:
F-doped:
Ni(3d
Ni(3d88))
PP
FM
FM
SuperSuperconductor
conductor
—࡯
—࡯
4343K K
6666
KK
26 KK
Kamihara
et al.
Yanagi et al.
Kamihara et al. JACS(2006),
Kamihara et al. JACS (2008)
JACS(2006),
PRB (2008)
Kamihara et al.
JACS (2008)
(Cu)
(Cu)
Undoped:
Undoped:Undoped:
Undoped:
3 3K K
2.4 KK
2.4
Watanabe et al.
(2007),
Watanabe
etICal.
Watanabe et al. JSSC (in
IC (2007),
press)
Watanabe et al.
JSSC (in press)
F
Cl
He
Ne
Ar
Br
Kr
Zn(3d
Zn(3d1010) )
PP
As
Metal
Metal
Undoped:
Undoped:
C
Si
As
As
Semiconductor
—
࡯ Semiconductor
—
࡯
nonmagnetic
Nonmagnetic
—
࡯
~1.5eV
eV
~1.5
—
㧙
Kayanuma et al.
—
࡯
PRB (2007),
Kayanuma et al.
TSF (2008)
Kayanuma et al.
PRB (2007),
Kayanuma et al.
TSF (2008)
図 1．LaTMPnO 系の電磁気特性のまとめ
これに対して、LaFeAsO は特異的な温度依存性を示します。
LaFeAsO は高温で常磁性金属ですが、温度が下がるにつれて
図 2 に示すように抵抗率と磁化率が 160K 付近で急に低下し、
極小値に達した後再び増加します。超電導転移は観察されま
せん。TM が奇数個の 3d 電子を持つ元素の場合は広い範囲に
わたってスピン配列が揃っているために超電導を示しません
が、TM が偶数個の 3d 電子を持つ元素の場合には、超電導を
示す常磁性金属であることは、注目に値します。現在のとこ
ろ、LaFePO または、Ca や F をドープした LaFePO、および
LaNiPnO（Pn ＝ P および As）についてのみ超電導が観測さ
れています 5,6。
テクニカルサポート Tel:03-5796-7330 Fax:03-5796-7335 E-mail:sialjpts@sial.com
5
0
20
T (K)
40
Tmin
5
Tanom
0
0
200
100
300
Temp. (K)
LaFeAsO における TC の出現 7
Fe 系化合物を担当していた神原陽一博士は、LaFePO での超
電導温度（TC）の上昇 5 に関するこれまでの我々の経験に基
づいて、LaFeAsO にドープしたキャリアによる異価置換（図
3）を試み、非常に大きな成果を得ることができました。す
なわち、La サイトに Ca をドープしても目立った変化は見ら
れませんでしたが、O サイトに F をドープすると、図 2 に示
すとおり抵抗率 - 温度（ρ-T）曲線に大きな変化が生じました。
F 含有率（x）が増加すると 150K 付近の変曲点が消え、F 含
有率が 4 モル％を超えると T > 4K でゼロ抵抗が出現し始め
ます。F 含有率が 11 モル％に増加すると、この温度は 32K
（開
始温度）までさらに上昇します。観測されたゼロ抵抗は、磁
化率と熱容量を測定した結果、バルク中の超電導転移による
ものと確認されました。
我々は、TC の出現によって 160K 付近で抵抗が急に小さくな
る点に注目しました。TC は、LaFePO、LaNiPO、および
LaNiAsO で見つかっていますが、そのいずれでもこのような
抵抗率の低下は観測されていません。
O
O
F
LaO
layer
La
e-
e
FeAs
layer
Fe
As
5.74
T (K)
185
175
170
165
160
155
150
145
135
0.02
0.00
heating
cooling
5.72
322 reflection
0.04
8.74
Undoped
8.72
heating
5.70
8.70
Orthorhombic
5.68
F14%-doped
cooling
Tetragonal
8.68
8.70
4.06
26.8
27.0
2u (deg.)
8.68
4.04
Tetragonal
8.66
4.02
8.64
0
100
200
300
Temperature (K)
図 4．（左）ドープしていない LaFeAsO の 322 結晶面 X 線回折ピークの温
度による変化。（右）ドープしていない LaFeAsO とフッ素を 14％ドープ
した LaFeAsO の温度による格子定数の変化
局所プローブ法である、139La-NMR、および 57Fe のメスバウ
アー分光法からは上記とは異なる情報が得られました。いず
れの測定でも 145K 付近でスピンが反強磁性的にそろった状
態が生じていることが示されましたが、これは熱容量測定に
おける低温側のピークと一致します。しかし、電子キャリア
をドープすると反強磁性的スピン配列は連続的に減少し、TC
が出現して最大に達した後、減少します。図 5 は、この系の
電子状態に基づいた相図です。
LaFeAsO1-xFx
図 3．LaFeAsO1-xFx の結晶構造および F ドープの役割
150
TC (mid point)
100
50
Anti-ferro Metal
Temp. (K)
TC (on set)
Fermi Metal
Superconductor
0
0
5
10
F content (%)
図 5．LaFeAsO1-xFx の電子状態の相図
バルク供給／スケールアップのご相談は…
ファインケミカル事業部 Tel:03-5796-7340 Fax:03-5796-7345 E-mail:safcjp@sial.com
鉄ニクタイド超電導体
図 2．LaFeAsO1-xFx の置換量（x）についての抵抗率 - 温度依存性
我々は、150K 付近で抵抗率が低下することが、高い TC の出
現と密接に関連していると考えました。これは、スピンの秩
序化または結晶学的相転移による可能性があります。この可
能性を確認するには中性子回折が最適な方法ですが、信頼で
きるデータを得るだけの試料（約 15g）を調製するにはかな
りの時間が必要でした。そこで我々は、可能な限り早く X 線
回折（XRD）の測定を行うとともに、理化学研究所の高田昌
樹博士のご厚意により Spring-8 で低温粉末 XRD を行うこと
ができました。図 4 に示すように XRD の結果 4 は明白で、ドー
プしていない試料では 155K 付近で正方相（空間群：P4/nmm）
から斜方晶相（Cmma）への転移が観察されましたが、F ドー
プした超電導試料ではそのような転移は観察されませんでし
た。また、ドープしていない試料の熱容量測定では 2 つのピー
クが観察され、高温側のピークの位置は結晶相転移の位置と
一致します。
c constant (Å)
0
a,b constant (Å)
1
Intensity (x 10 5 counts)
40 K
Resistivity (m Ω cm)
10
LaFeAsO では 150K 付近で何が起きて
いるのか
onset
/
undoped
x = 0.04
0.05
0.11
0.12
15
6
鉄（ニッケル）系超電導体の簡単な歴史
鉄ニクタイド超電導体
我々が TC ＝ 26K の LaFeAsO0.9F0.1 を報告して以来、500 編を
超える論文（2008 年末の時点）が査読付き学術論文誌に発
表され、300 件を超える未発表原稿がプレプリントサーバー
に投稿されています。図 6 に、物質の視点から優れた論文を
受理日付（プレプリントについては投稿日付）順にまとめて
示します 4。日本大学の高橋博樹グループと我々のグループ
は、4GPa の高圧を加えることによって LaFeAsO0.9F0.1 の TC が
43K まで急上昇するという論文 8 を 2008 年 2 月の終わりに
投稿しました。この TC は、それまでに報告された銅酸化物
を除くすべての超電導体の中で最高の値です。このように超
電導温度が圧力に非常に敏感であるのは、希土類イオンの中
でイオン半径が最も大きい La イオンの置換が原因であるこ
とがすぐに明らかになりました。つまり、サイズの大きなイ
オンをサイズの小さなイオンで置き換えると、結晶構造に対
して化学的な圧力効果が生じるからです。この一連の優れた
研究は中国の複数のグループ（中国科学院（CAS）、中国科
学技術大学（USTC））により行われました。その中で、X. H.
Chen ら（USTC）が 3 月 25 日に SmFeAsO1-xFX について TC
＝ 43K を報告し、G. F. Chen ら（CAS）は、3 月 26 日に
CeFeAsO1-xFX について TC ＝ 41K を報告しました。そして、
Ren ら（CAS）は、3 月 29 日に PrFeAsO1-xFX について TC ＝ 52K、
4 月 13 日には SmFeAsO1-xFX について TC ＝ 55K を投稿しま
した。CAS の Ren ら 9 は、高圧合成の有効性を初めて提案し
ました。O サイトを F で置換する代わりに、高圧合成を用い
て酸素空孔を形成することによって電子をドーピングするこ
とができました。合成温度を高くすることによって ReFeAsO
結晶の品質は改善されます。しかし、通常の反応容器として
使用される石英ガラス管の軟化のために、到達できる最高温
度は約 1150℃に制限されていました。高圧合成では、石英
ガラス管の替わりに BN 容器を使用するため、温度の制限が
なくなります。
TC (K)
REE substitution
Fe-oxypnictide
superconductors
SmFeAsO1-xF x
Sm(Nd)FeAsO1-x
(HP synthesis)
LaFeAsO1-xFx CeFeAsO F 55 K 55 K
New doping
1-x x
(under HP) SmFeAsO1-xFx
approach
43 K
Fe-fluoropnictide
41,43 K
Fe-fluoropnictide
REFeAsO-type
-type
REFeAsO-type
superconductors
superconductors
LaFeAsO1-xFx F
26 K
CaFe1-xCo x AsF
23 K
LaFe1-xCox AsO
14 K
LaFePO
4K
1987
2006 2007 2008 1/9
~4 K
LaRu2P2
AFe2 As2-type
2/26
18 25,26
5/29 6/6
4/13
30
14
15
28
7/4
16
~4 K
BaNi2P2
RFeAs
Date
(Received)
LaNiAsO
3/4 2.4 K
14
8/11
8K
-FeSe
FeSe
18 K
Li1-xFeAs 22 K
20 K
BaFe 2-xCo x As2 28 K BaFe2-xCox As2
-FeSe (Epitaxial film)
(under HP)
38 K 37 K
Epitaxial
Ba1xKxFe2As2
thin film
Sr1-xK xFe2As2 Other structures
Hole-doped
AFe 2As2
with Fe-tetragonal
lattice
TC (K)
s i g m a - a l d r i c h . c o m / j a p a n
図 6．鉄（ニッケル）系超電導体の進展
米国オークリッジ国立研グループの Sefat ら 10 は、興味深い
ドーピング方法として、
Fe2 ＋（3d6）サイトを Co2 ＋イオン（3d7）
で置き換えることによる電子ドーピングを最近報告しました。
銅酸化物中の Cu2 ＋を他の遷移金属カチオンで置き換えると、
多くの場合 TC が低下します。Fe イオンサイトを置換しても
顕著な TC 低下が見られない現象は Fe ニクタイド超電導体に
極めて特有であり、超電導性発現のためのキャリアドーピン
グ方法の柔軟性が高いことがより明らかになりました。
高 TC 銅酸化物の発展の歴史に倣って、多層構造の TMPn を用
いた高 TC の超電導の探索も進んでいます。この種の材料の
超電導は、1987 年に Jeitschko ら 11 が LaRu2P2 について最初
に報告しました。Mine ら 12 は、2008 年 3 月 3 日に 2 層構造
の BaNi2P2 で 4K の TC を報告しました。この化合物では
LaNiPnO や LaFePO に見られる 150K 付近での温度による不連
続な抵抗変化は見られません。Rotter ら 13 は、7 月 17 日に
Ba1-xKxFe2As2 について 38K の TC を報告しました。母物質の
140K での正方相
（I4/mmm）
から斜方晶相
（Fmmm）
BaFe2As2 は、
への結晶相転移、ρ-T 曲線、および反強磁性転移に関して、
LaFeAsO と似た特性を持っています。BaNi2P2 と BaFe2As2 と
の比較から、高 TC を達成するには、母物質が高温で反強磁
性秩序化を伴う結晶相転移を経る必要があることが現象論的
に明らかです。この一連の物質で超電導の発現に有効な電荷
キャリアのタイプは、Fe オキシニクタイドとは反対であるよ
うに思われます。すなわち前者については正孔ドーピングが
有効であり、後者については電子ドーピングが有効なようで
す。超電導の発現に効果のある電荷キャリアは異なっても、
Fe ニクタイドの相図は銅酸化物の相図とよく似ています。
ReFeAsO と BaFe2As2 に共通する構造単位は Fe の正方格子で
す。Hsu ら 14 は、PbO 型構造を持った β-FeSe について 8K で
の超電導を 7 月 15 日に報告しました。室温で正方対称性を
持つこの物質は、無限に積層された FeSe 層の中で Fe が正方
格子を形成している単純な結晶構造を持っています。高圧を
印加した後、β-FeAs の TC が 28K という最高値まで上昇した
ことが 7 月 28 日に投稿されています。
展望：鉄は熱いうちに打て
表 1 に、3 つの代表的な種類の超電導体の特性をまとめて示
します。Fe 系超電導体と銅系酸化物超伝導体の間に多くの
類似点が報告されてきました。しかし、この 2 つの物質グルー
プでは、母物質の性質と元素置換を行った際の強固さという
2 つの点で明確な差があります。つまり、高 TC 銅酸化物の
母物質はモット絶縁体であり、Cu の 3d 電子間の高い反発エ
ネルギー Udd で特徴付けられる一方、Fe 系超電導体の母物質
は金属と考えられます。後者が持つ Fe 3d 電子の高度に非局
在化した性質は、Fe イオンを Co イオンで置き換えたときに
目立った Tc の低下が見られない現象と一致します。銅酸化
物中の親化合物のバンド構造は、多くの場合、担体（正孔）ドー
ピングによって変化することが分かっています。単純なバン
ドモデルによれば、母物質のバンド構造は担体ドーピング後
も基本的に変わりませんが、この場合は強い電子相関効果が
あるために当てはまりません。一方、Fe 系では状況が異な
るように見えます。Malaeb ら 15 によると、LaFeAsO の Udd
の大きさは銅酸化物の Udd より小さいというのが最近の評価
です。この系のリジッドバンドモデル（rigid band model）
による記述が有効であれば、Fe2 ＋サイトで Co2 ＋置換から生
じるキャリア電子が増加することによって、LaFeAsO 中の O
サイトへの F 置換の効果と同様の結果が得られるはずです。
後者の特徴によって、新たな超電導体の候補物質がさらに発
見される可能性が高まります。
表 1．金属ベース高 TC 超電導体の比較
Fe-oxypnictides
MgB2
Cuprates
Parent Material
(bad) metal
(TN~150K)
metal
Mott Insulator
(TN~400K)
Fermi Level
3d 5-bands
2-bands
3d single band
Max TC
56K
40K
~140K
Impurity effect
robust
sensitive
sensitive
SC gap symmetry
extended-s-wave(?)
s-wave
d-wave
Hc2(0)
100-200T>
~40T
~100T
JC
?
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7
図 7 に、既知の超電導体について TC とその発見日付を示し
ます。鉄ニクタイド超電導体の TC は銅系酸化物超伝導体の
次に高く、すでに MgB2 を超えています。MgB2 は BCS 理論（超
電導に必要な電子対形成は格子振動によって媒介される）で
説明できる従来の金属超電導体の中で最も高い TC を示しま
す。
我々は、「鉄は熱いうちに打て」という古い諺が多くの場合
正しいことを経験してきました。積極的な研究者間の協力と
競争によって新規超電導体の TC が上昇し、室温超電導とい
う究極の目標に向かっていくことが期待されます。
References:
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
200
Copper-based oxide
BCS type
TM-based oxypnictide
150
CuHg-Ba-Ca-Cu-O
Tl-Ba-Ca-Cu-O
a-Cu
TC (K)
a
50
Y-Ba-Cu-O
SmFeAsO 0.9F 0.1
NdFeAsO 0.4
a
La-Sr-Cu-O
La-Ba-Cu-O
Pb
(13)
(14)
Bi-Sr-Ca-Cu-O
-Ca
Mg
B c
100
(11)
(12)
Pressurized (30 GPa)
Tl-Ba-Ca-Cu-O
Nb
NbN
(10)
Pressurized (4 GPa)
MgB2
Nb3Ge
LaFeAsO 0.80F 0.11
Fe-based arsenide
superconductor
(15)
LaP T O (TM =Fe, Ni)
M
NbC
0 Hg
1900 1920 1940 1960 1980 2000 2020
Year
Hg
TC = 4.2 K
(1911)
La-Ba-Cu-O
TC = ~30 K
(1986)
LaFeAsO:F
TC = 26 K
(2008)
図 7．既知の超電導体の TC とその発見日付
ヒ化物
Name
Formula
Purity
Dimensions
Physical Form
CAT. NO.
Iron(III) arsenide
FeAs
99.5% trace metals basis
-
pieces
709018-1G
Zinc arsenide
Zn3As2
99.999% trace metals basis
-
pieces
709247-1G
Gallium arsenide
GaAs
99.999% trace metals basis
-
pieces
329010-1G
Gallium arsenide
GaAs
-
diam. × thickness 2 in. × 0.5 mm <100>
single crystal substrate
651486-1EA
リン化物
Name
Formula
Purity
Dimensions
Physical Form
CAT. NO.
Calcium phosphide
Ca3P2
-
1 - 7 mm
chunks
400971-100G
Iron phosphide
Fe2P
99.5% trace metals basis
−40 mesh
powder
691658-5G
Iron phosphide
Fe3P
99.5% trace metals basis
−40 mesh
powder
691593-5G
Nickel phosphide
Ni2P
98%
−100 mesh
powder
372641-10G
Gallium phosphide
GaP
99.99% trace metals basis
-
chunks
521574-2G
Indium(III) phosphide
InP
99.998% trace metals basis
3 - 20 mesh
pieces
366870-1G
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鉄ニクタイド超電導体
Cu-based oxide
superconductor
Hosono, H.; Kamiya, T.; Hirano, M. Bull. Chem. Soc. Jpn. 2006, 79.
Miyakawa, M.; Kim, S.W.; Hirano, M.; Kohama, Y.; Kawaji, H.; Atake, T.;
Ikegami, H.; Kono, K.; Hosono, H. J. Am. Chem. Soc., 2007, 129, 7270.
Kawazoe, H.; Yasukawa, M.; Hyodo, H.; Kurita, M.; Yanagi, H.; Hosono,
H. Nature, 1997, 389, 939.
Hosono, H. J. Phys. Soc. Jpn., 2008, 77SC, 1.
Kamihara, Y.; Hiramatsu, H.; Hirano, M.; Kawamura, R.; Yanagi, H.;
Kamiya, T.; Hosono, H. J. Am. Chem. Soc., 2006, 128, 10012.
Watanabe, T.; Yanagi, H.; Kamiya, T.; Kamihara, Y.; Hiramatsu, H.;
Hirano, M.; Hosono, H. Inorg. Chem., 2007, 46, 7719.
Kamihara, Y.; Watanabe, T.; Hirano, M.; Hosono, H.; J. Am. Chem. Soc.,
2008, 130, 3296.
Takahashi, H.; Igawa, K.; Arii, K.; Kamihara, Y.; Hirano, M.; Hosono, H.
Nature, 2008, 453, 376.
Ren, Z.A.; Lu, W.; Yang, J.; Yi, W.; Shen, X.L.; Li, Z.C.; Che, G.C.; Dong,
X.L.; Sun, L.L.; Zhou, F.; Zhao, Z.X. Chin. Phys. Lett., 2008, 25, 2215.
Sefat, A.S.; Mi, R.J.; McGuire, A.; Sales, B.C.; Singh, D.J.; Mandrus, D.
Phys. Rev. Lett., 2008, 101, 117004.
Jeitschko, W.; Glaum, R.; Boonk, L. J. Solid State Chem., 1987, 69, 93.
Mine, T.; Yanagi, H.; Kamiya, T.; Kamihara, Y.; Hirano, M.; Hosono, H.
Solid State Commun., 2008, 147, 111.
Rotter, M.; Tegel, M.; Johrendt, D. Phys. Rev. Lett., 2008, 101, 107006.
Hsu, F-C.; Luo, J-Y.; Yeh, K-W.; Chen, Ta-K.; Huang, T-W.; Wu, P-M. ;
Lee, Y-C. ; Huang, Y-L. ; Chu, Y-Y. ; Yan, D-C. ; Wu, M-Ku. ; Proc. Natl.
Acad. Sci. U.S.A,. 2008, 105, 14262.
Malaeb, W.; Yoshida, T.; Kataoka, T.; Fujimori, A.; Kubota, M.; Ono,
K.; Usui, H.; Kuroki, K.; Arita, R.; Aoki, H.; Kamihara, Y.; Hirano, M.;
Hosono, H. J. Phys. Soc. Jpn., 2008, 77, 093714.
8
フェライト
鉄ニクタイド超電導体
Name
Formula
Purity
Dimensions
Physical Form
CAT. NO.
Lithium iron(III) oxide
LiFeO2
95%
<1 µm
powder
442712-100G-A
Nickel zinc iron oxide
NiZnFe4O4
≥99% trace metals basis
particle size <100 nm BET)
nanopowder
641669-10G
641669-50G
Copper iron oxide
CuFe2O4
98.5% trace metals basis
particle size <100 nm BET)
nanopowder
641723-10G
641723-50G
Copper zinc iron oxide
CuZnFe4O4
98.5% trace metals basis
particle size <100 nm BET)
nanopowder
641650-10G
641650-50G
Yttrium iron oxide
Y3Fe5O12
99.9% trace metals basis
particle size <100 nm BET)
nanopowder
634417-10G
Strontium ferrite
SrFe12O19
99.8% trace metals basis
particle size <50 nm XRD)
particle size <100 nm BET)
crystalline (hexagonal phase)
nanopowder
633836-5G
Strontium ferrite
SrFe12O19
99.5%
−325 mesh
powder
480371-25G
Barium ferrite
BaFe12O19
99.5% trace metals basis
particle size <100 nm BET)
nanopowder
637602-25G
Barium ferrite
BaFe12O19
98%
−325 mesh
powder
383295-250G
383295-1KG
アルミン酸
Name
Formula
Purity
Dimensions
Physical Form
CAT. NO.
Lithium aluminate
LiAlO2
-
-
powder and chunks
336637-250G
Sodium aluminate
NaAlO2
-
-
powder
13404-2.5KG-R
13404-5KG-R
Magnesium aluminate, spinel
MgO·Al2O3
-
particle size <50 nm BET)
nanopowder
677396-5G
Lanthanum aluminum oxide
LaAlO3
≥99.99% trace metals basis
10 × 10 × 0.5 mm
<100>
single crystal substrate
single side
polished crystalline
(rhombohedral at 25 °C
(a = 5.357 Å, c = 13.22 Å);
cubic at >435 °C
(a = 3.821 Å))
634735-1EA
Aluminum cerium oxide
CeAlO3
99% trace metals basis
particle size <50 nm BET)
nanopowder
637866-10G
637866-50G
s i g m a - a l d r i c h . c o m / j a p a n
Nanomaterials
アルドリッチでは、
幅広い種類の無機ナノ粒子やナノ粒子分散溶液を取り扱っておりま
す。Material Matters Vol.4, No.1では、
「ナノ材料とその合成方法」
と題した特集記事と弊
社ナノ材料の紹介が記載されております。
弊社Webサイトでは、
無機・有機金属化合物製品を「周期表」で検索できます。
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9
ホウ素系の高温熱電材料
新規ホウ素系材料とその調製
Takao Mori*
International Center for Materials Nanoachitectonics
(MANA)
National Institute for Materials Science (NIMS)
Namiki 1-1, Tsukuba
Japan 305-0044
*Email: MORI.Takao@nims.go.jp
現在、これまで人類が利用してきたエネルギー源やその使用
方法は急激な速さでその限界に近づいています。未利用エネ
ルギーを有効活用できる例として、廃熱を有用な電気へ変換
できる熱電材料は希望を持たせ、近年その実用化に向けた開
発に弾みがついています。特に、工場や発電所や焼却炉での
使用や、ラジオサーマル発電用 1 として、高温での動作が可
能で大きな温度差に耐えうる材料を開発する必要がありま
す。
一般的に、ホウ素を多く含むクラスター化合物は融点が
2200K を超えることから、高温用途には優れた物質です。こ
れらの化合物は毒性がなく軽量で、腐食性および酸性の環境
でも際立った安定性を示します。合成方法は比較的簡単で、
希土類とホウ素（RE-B）の組み合わせに少量の炭素、窒素、
またはケイ素を添加することで、それがクラスターのネット
ワークをつなぐ架橋サイトの役割を果たして、新規ホウ素ク
ラスター構造が形成されます 2。
ホウ素を多く含むクラスター化合物は、単結晶の場合でも一
般に固有の低い熱伝導率（≤0.02 W cm-1 K-1）を示すために、
物質自体が熱電材料としての利点を内在していると言えま
す 2-4。熱電材料の性能は、ZT ＝ α2σT/κ で表される無次元の
性能指数 ZT で評価されます。ここで、α はゼーベック係数、
σ は電気伝導率、κ は熱伝導率です。したがって、κ が本質
的に小さい系ではパワーファクター（power factor）P ＝ α2σ
を最大化することに専念して、材料開発を行うことができま
す。
本稿では、最近発見された高温熱電用途に有望な 2 種類のホ
ウ素系化合物に注目します。その化合物とは、ボロシリサイ
ドの REB44Si2（RE ＝希土類）と、一連の REB17CN、REB22C2N、
REB28.5C4 の RE-B-C（N）ボロカーバイドです。
ホウ素は炭素より電子が 1 個少ないため、電子不足状態の多
原子ネットワーク構造を形成します。こうしたホウ素ネット
ワーク構造は希土類元素との相性が良く、希土類元素はホウ
素の骨格構造に電子を供給して安定化させ、新たな構造（新
しい RE-B 化合物）を形成します。一方、希土類元素の f 電
子殻は磁気特性などの興味深い特性をもたらします 2,8。
応用という点から見ると、ホウ素クラスターの骨格構造は酸
と腐食に耐性を示す軽量かつ強固な「よろい」を提供し、非
常に高い温度に耐えることができます。さらに、「内側」か
ら金属原子によって電子的、磁気的、およびその他の有用な
特性を与えることができます。前述したように、炭素、窒素、
ケイ素などの元素を少量添加することによって、作製できる
新規なホウ素系化合物の数はさらに増加します 2。REB44Si2
化合物の結晶構造を図 1a に示します。これは、結晶学的に
独立した 5 個の B12 二十面体と 1 個の B12Si3 多面体で構成さ
れています。この骨格構造の中で、希土類原子が c 軸方向に
はしごを形成し、これに沿って B12 二十面体の中の 1 個が鎖
を形成しています。
図 1．REB44Si2 の（a）構造、および（b）成長した結晶（目盛りは cm）
希土類ホウ素化合物の REB44Si2、REB17CN、REB22C2N、およ
び REB28.5C4 は、いずれも同じような方法で合成できます 2。
まず、対応する希土類酸化物を真空中で加熱し、ホウ素（ア
ルドリッチ製品番号 266620）で還元します。次に、所定量の
ケイ素（アルドリッチ製品番号 633097、343250、267414）
、
炭素（アルドリッチ製品番号 699632、699624、496596、
496553）
、または窒化ホウ素（アルドリッチ製品番号 255475）
を加えて再び加熱し、必要な RE-B-X 化合物を生成します。
REB44Si2 の場合、図 1b に示すような大きな結晶を成長させ
ることができます 9。
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ホウ素系の高温熱電材料
はじめに
ホウ素は意外に多面的な元素であり、化合物の中でクラス
ターや 2 次元の原子ネットといった原子ネットワーク構造を
形成する傾向があります。その意味では、フラーレン、ナノ
チューブ、グラファイト関連物質などの原子ネットワーク構
造系を形成できる炭素と似ています。しかし、材料科学にお
けるホウ素の潜在能力はまだ多くの部分が未開発のままで
す。最近、ホウ素を含む化合物について、MgB2（アルドリッ
チ製品番号 553913）およびホウ素ドープダイアモンドの超
伝導 5,6、磁性的に希薄な絶縁体中における強い磁気相互作
用 2、高圧下でのホウ素単体としての新規な構造の形成 7 など、
特筆すべき性質がいくつか発見されています。
10
ボロシリサイド−新しい高温 p 型
熱電材料
RE-B-C
（N）ボロカーバイド−炭化ホウ
素の対になりうる待望の n 型熱電材料
REB44Si2 化合物は魅力的な高温熱電特性を示します 10,11。そ
のゼーベック係数は温度とともに徐々に増加し、1000 K 以
上では 200μV K-1 を超えます（図 2a）10。また、約 0.02 W
cm-1 K-1 という固有の低い熱伝導率も報告されています（図
2b）11。多くの熱電材料とは異なり、1000 K を超える温度で
REB44Si2 の性能指数は急な増加勾配を示し、ZT は約 0.2 と見
積もられています。
一般的な熱電用途には p 型と n 型の両方の化合物が必要で
す。このため、n 型 RE-B-C（N）化合物の発見は、p 型炭化ホ
ウ素に対する高温熱電材料として非常に期待されるため、大
きな関心を集めています 13,14。
250
(a)
ホウ素系の高温熱電材料
ErB44Si2
200
YbB44Si2
RE-B-C（N）化合物は c 軸に沿った層状構造を持ち、B12 の
二十面体と C-B-C 鎖の層が B6 の八面体と希土類原子層との
間に存在しています（図 3）。層間の B12 二十面体と C-B-C 鎖
の層の数は、REB17CN、REB22C2N、REB28.5C4 の順に増加します。
B12 二十面体と C-B-C 鎖の層の数が無限大（つまり希土類を
含む層がない状態）に近づくと、炭化ホウ素に類似したもの
になります。
(μV/K)
TbB44Si2
150
100
50
....>
0
(b)
2.5 10 -2
(W/cm/K)
2.0 10 -2
ErB44Si2
REB17CN
1.5 10 -2
REB22C2N
REB28.5C4
“B4C”
図 3．c 軸に対して横から見た RE-B-C（N）系化合物
1.0 10 -2
5.0 10
このように、RE-B-C（N）のブロック構造が B4C と類似して
いる点が、優れた p 型高温熱電材料である炭化ホウ素に対応
する n 型物質と見なされている理由です。
-3
0.0
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
T (K)
図 2．REB44Si2 の（a）ゼーベック係数、および（b）熱伝導率の温度依存性
s i g m a - a l d r i c h . c o m / j a p a n
これらの化合物が未ドープでありしかも組成が最適化されて
いない状態で、この性能指数が得られて固有の低い熱伝導率
を有していることを考えると、REB44Si2 は新規な高温熱電材
料を開発する上で優れた出発物質であるといえます。たとえ
ば、良く知られている熱電材料である炭化ホウ素では、炭素
対ホウ素の組成を制御することによってその特性を大幅に改
善できることが知られています 12。遷移金属のドーピングは、
REB44Si2 の特性を効率的に改良するもう 1 つの方法です。遷
移金属原子は結晶格子内のホウ素クラスター間の空隙を占有
することができ、我々の予備実験では、ドープした材料の性
能指数が向上する結果が得られています。このようなドーピ
ング手法については、さらに検討する必要があります。
もう 1 つのアプローチとして材料形態（モルフォロジー）の
制御が挙げられます。これは REB44Si2 化合物が異方性の高い
結晶構造を持っているためであり、結晶方位の整った材料の
調製は、その熱電特性を改善する強力な手段となります。
炭化ホウ素に対する REB44Si2 のもう 1 つの利点は、融点が比
較的低い（2200 K 対 2700 K）ために処理が容易であること
です。前述した特性に加えて、この利点から、REB44Si2 は組
成の最適化とドーピングによりさらに改良できる可能性を
持った、高温 p 型熱電材料として炭化ホウ素の代替物になり
得ることが示唆されます。
RE-B-C（N）系化合物の最大の課題であり、また今後の可能性
の 1 つとして挙げられるのが、効果的に緻密化させる手法の
開発です。ホットプレス法やコールドプレス法では、理論値
の約 50％の密度を持つ材料しか得られません 13。放電プラ
ズマ焼結法（SPS:spark plasma sintering）を使用した最初の
実験 14 では理論値の約 70％まで改善されましたが、まだ十
分な値ではありません。密度が 50％から 70％に増加したこ
とで、性能指数は 2 桁近く改善されたことから、緻密化手法
のさらなる開発が強く望まれます。
RE-B-C（N）材料の形態を制御する興味深い方法に、数パーセ
ントの金属ホウ化物（REB6 など）をシードする方法があり
ます 14。シーディングは密度には影響を及ぼしませんが、ドー
プした材料のゼーベック係数や熱伝導率があまり変化せず
に、抵抗率が最大 2 桁低下するため、性能指数を改善する効
果的な手段になります。ドーピングの割合は低いため、パー
コレーション、つまり金属ホウ化物粒子による高い電気伝導
率をもつチャネルの形成が、観測された効果の原因となった
可能性は低いと考えられます。図 4 に見られるように、金属
をシードした試料の粒子サイズは未ドープ試料より大きく、
金属ホウ化物を添加することによって RE-B-C（N）中で結晶
粒の成長が促進されることを示しています。従来の熱電材料
では、一般に熱伝導率を下げるために結晶粒成長を抑制する
ことが求められるのに対して、ホウ素クラスター化合物は固
有の熱伝導率が低いために結晶粒成長が有効である点に我々
は注目しています。このように、シーディングは試料の形態
を制御してその熱電特性を改善するための効率的な方法にな
ります。
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11
(a)
SEI 5.0kV
X5,000
1mm WD 2.7mm
(b)
SEI 5.0kV X5,000 1mm WD 3.1mm
図 4．（a）YB22C2N および（b）ErB22C2N:ErB4 の SEM 画像
これらの化合物の最適化と合成プロセス法の研究はまだ始
まったばかりです。組成制御、炭素ドーピング、およびクラ
スター空隙のドーピングによって、熱電特性が大幅に改善さ
れるはずです。ボロカーバイドの緻密化処理および異方的な
化合物である両化合物のナノ・ミクロ構造を制御する方法の
確立が、高温熱電用材料の今後の開発に大きく役立つと考え
られます。
References:
(1)
(2)
まとめ
ホウ素系の化合物は、高温熱電特性の点から有望な材料です。
これらは、毒性がなく軽量な高温材料（一般に融点は 2200K
を超える）であり、腐食性および酸性条件下で際立った安定
性を示します。現状では 2 つの新規ホウ素系化合物が特に有
望です。まず、REB44Si2 は、REB66 などのよく知られたホウ素
クラスター化合物が示す低い熱伝導率を保持しながら、電気
特性と熱電性能指数が改善された p 型高温化合物です。この
化合物は炭化ホウ素と比較してより融点が低いため、材料処
理の点で有利と考えられます。希土類ボロカーバイドの
REB17CN、REB22C2N、および REB28.5C4 は、ホウ素クラスター
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
(10)
(11)
(12)
(13)
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Chemistry, Physics and Materials Science of Thermoelectric Materials: Beyond Bismuth
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Ekimov, E. A.; Sidorov V.A.; Bauer E.D.; Mel’nik, N.N.; Curro N.J.; Thompson J.D.;
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Oganov, A.R.; Chen, J.; Gatti, C.; Ma, Y.; Glass, C.W.; Liu, Z.; Yu, T.; Kurakevych, O.O.;
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Mori, T.; Nishimura, T.; Yamaura, K.; Takayama-Muromachi, E. J. Appl. Phys. 2007,
101, 093714.
ホウ化物
Name
Formula
Purity
Dimensions
Physical Form
CAT. NO.
Magnesium boride
MgB2
≥96%
−325 mesh
powder
553913-5G
553913-25G
Aluminum diboride
AlB2
-
−325 mesh
powder
399612-5G
Calcium hexaboride
CaB6
99.5%
−200 mesh
powder
394785-10G
Titanium boride
TiB2
-
<10 µm
powder
336289-50G
Chromium diboride
CrB2
≥99%
−325 mesh
powder
336750-50G
Cobalt boride, mixture of 2:1
and 3:1
-
99%
−10 mesh
powder
336777-5G
Nickel boride
Ni2B
99%
−30 mesh
powder
372633-10G
372633-100G
Nickel boride
NiB
99% trace metals basis
−325 mesh
powder
709174-10G
Niobium monoboride
NbB
99.5%
−325 mesh
powder
399515-25G
Niobium diboride
NbB2
-
−325 mesh
powder
399507-10G
Molybdenum boride
MoB
99.5% trace metals basis
−325 mesh
powder
709182-10G
Lanthanum boride
LaB6
99.5% trace metals basis
−325 mesh
powder
709190-5G
Lanthanum hexaboride
LaB6
99%
10 µm
powder
241857-25G
Gadolinium boride
GdB6
99.5% trace metals basis
−325 mesh
powder
709212-10G
Hafnium boride
HfB2
99.5% trace metals basis
−325 mesh
powder
709204-10G
Tantalum boride (1:1)
TaB
99.5%
−325 mesh
powder
336165-5G
Tantalum boride (1:2)
TaB2
99.5%
−325 mesh
powder
336173-5G
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ホウ素系の高温熱電材料
また、RE-B-C（N）ボロカーバイドは結晶構造に強い異方性
（図 3）を持つため、試料のナノ・ミクロ構造をより制御す
ることがその熱電特性を改善、調整する上で重要な要素とな
ります。今後もこの系の合成プロセス方法と緻密化手法につ
いてより一層の研究が必要であり、炭化ホウ素に対する実用
可能な n 型材料として発展することが期待されます。
化合物の中で本質的な n 型特性を備えた最初の化合物で、炭
化ホウ素と高い適合性を示すカウンターパートとして興味深
いです。いずれの化合物系も最近発見されたものであり、高
温の廃熱を有効に電気に変換できる材料の発掘の社会的な恩
恵は非常に大きいために、更なる開発が求められています。
12
窒化物
ホウ素系の高温熱電材料
Name
Formula
Purity
Dimensions
Physical Form
CAT. NO.
Lithium nitride
Li3N
≥99.9%
−80 mesh
powder
399558-5G
399558-10G
399558-25G
Boron nitride
BN
98%
~1 µm
powder
255475-50G
255475-250G
Magnesium nitride
Mg3N2
≥99.5% trace metals basis
−325 mesh
cubic phase powder
415111-10G
415111-50G
Aluminum nitride
AlN
≥98%
10 µm
powder
241903-50G
241903-250G
Aluminum nitride
AlN
≥98.5%
particle size <100 nm
nanopowder
593044-10G
593044-50G
Silicon nitride
Si3N4
-
−325 mesh
predominantly
α-phase powder
325171-50G
325171-250G
Silicon nitride
Si3N4
≥98.5% trace metals basis
particle size <50 nm spherical)
nanopowder
636703-25G
636703-100G
Silicon nitride
Si3N4
≥98% trace metals basis
particle size <50 nm BET)
nanopowder
634581-5G
Silicon nitride
Si3N4
≥99.9% trace metals basis
<1 µm
powder
334103-25G
334103-100G
Silicon nitride
Si3N4
-
−325 mesh
predominantly
β-phase powder
248622-100G
248622-500G
Calcium nitride
Ca3N2
95%
−200 mesh
powder
415103-25G
415103-100G
Titanium nitride
TiN
-
<3 µm
powder
595063-25G
595063-100G
Titanium carbonitride (7:3)
TiC0.7N0.3
≥97% trace metals basis
particle size <150 nm
nanopowder
636940-25G
Titanium carbonitride
TiCN
≥97% trace metals basis
particle size <150 nm spherical)
nanopowder
636959-25G
636959-100G
Gallium nitride
GaN
≥99.99% trace metals basis
-
powder
481769-10G
481769-50G
Germanium(III) nitride
Ge3N4
≥99.99% trace metals basis
-
powder
447552-5G
Zirconium nitride
ZrN
≥99% trace metals basis
-
powder
594962-50G
Indium(III) nitride
InN
99.9% trace metals basis
100 mesh
powder
490628-1G
490628-5G
s i g m a - a l d r i c h . c o m / j a p a n
希土類金属酸化物
Name
Formula
Purity
Physical Form
CAT. NO.
Lanthanum(III) oxide
La2O3
99.999% trace metals basis
powder
203556-100G
Lanthanum(III) oxide
La2O3
99.99% trace metals basis
powder
199923-100G
199923-500G
Lanthanum(III) oxide
La2O3
≥99.9%
powder
L4000-100G
L4000-250G
L4000-500G
L4000-1KG
Cerium(IV) oxide
CeO2
99.995% trace metals basis
powder
202975-10G
202975-50G
Cerium(IV) oxide
CeO2
>99.95% trace metals basis
nanopowder
700290-25G
700290-100G
Cerium(IV) oxide
CeO2
-
nanopowder
544841-5G
544841-25G
Praseodymium(III) oxide
Pr2O3
99.9% trace metals basis
powder
558249-10G
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13
Formula
Purity
Physical Form
CAT. NO.
Praseodymium(III,IV) oxide
Pr6O11
99.999% trace metals basis
powder
204145-2G
204145-10G
Praseodymium(III,IV) oxide
Pr6O11
99.9% trace metals basis
powder
205176-50G
205176-250G
Neodymium(III) oxide
Nd2O3
99.99% trace metals basis
powder
203858-10G
203858-50G
Neodymium(III) oxide
Nd2O3
99.9% trace metals basis
powder
228656-25G
228656-100G
Neodymium(III) oxide
Nd2O3
99.9% trace metals basis
nanopowder
634611-5G
634611-50G
Samarium(III) oxide
Sm2O3
99.999% trace metals basis
powder
394394-5G
394394-25G
Samarium(III) oxide
Sm2O3
99.99% trace metals basis
powder
392537-25G
Samarium(III) oxide
Sm2O3
99.9% trace metals basis
powder
228672-10G
228672-100G
Europium(III) oxide
Eu2O3
99.999% trace metals basis
powder and chunks
323543-1G
323543-5G
Europium(III) oxide
Eu2O3
99.99% trace metals basis
powder
203262-5G
203262-25G
Europium(III) oxide
Eu2O3
99.9% trace metals basis
powder
289221-5G
289221-25G
Gadolinium(III) oxide
Gd2O3
≥99.99% trace metals basis
powder
203297-5G
Gadolinium(III) oxide
Gd2O3
99.9% trace metals basis
powder
278513-25G
278513-100G
Terbium(III) oxide
Tb2O3
99.99% trace metals basis
powder
590509-2G
590509-10G
Terbium(III,IV) oxide
Tb4O7
99.999% trace metals basis
powder
204579-2G
Terbium(III,IV) oxide
Tb4O7
99.9% trace metals basis
powder
253952-10G
Dysprosium(III) oxide
Dy2O3
≥99.99% trace metals basis
powder
203181-5G
203181-25G
Dysprosium(III) oxide
Dy2O3
99.9% trace metals basis
powder
289264-25G
289264-100G
Holmium(III) oxide
Ho2O3
99.999% trace metals basis
powder
229679-1G
229679-10G
Holmium(III) oxide
Ho2O3
≥99.9% (rare earth content,
expressed as Ho2O3)
powder
H9750-10G
H9750-50G
Erbium(III) oxide
Er2O3
≥99.99% trace metals basis
powder
203238-5G
203238-25G
Erbium(III) oxide
Er2O3
99.9% trace metals basis
powder
289248-25G
Thulium(III) oxide
Tm2O3
99.99% trace metals basis
powder
204676-1G
Thulium(III) oxide
Tm2O3
99.9% trace metals basis
powder
289167-1G
289167-5G
Ytterbium(III) oxide
Yb2O3
99.99% trace metals basis
powder
204889-10G
Ytterbium(III) oxide
Yb2O3
99.9% trace metals basis
powder
246999-10G
246999-50G
Lutetium (III) oxide
Lu2O3
99.99% trace metals basis
powder
203661-1G
203661-5G
Lutetium (III) oxide
Lu2O3
99.9% trace metals basis
powder
289191-1G
289191-5G
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ホウ素系の高温熱電材料
Name
ハイテク用超高純度金属酸化物粉末
米国イリノイ州アーバナにある当社製造施設では、
ハイテク用途からセラミックス、歯科用にいたる幅
広い用途に使用される超高純度酸化物を製造してい
ます。その製品ラインナップは、アルカリ土類、遷
移金属、希土類金属など、ほとんどの金属元素を含
む化合物が対象となっています。当社が金属に関す
る合成および精製分野で持つ独自の技術により、純
度が 3N（99.9％）∼ 5N（99.999％）の範囲の金属
酸化物を供給することができます。
CAT. NO.
Material
Purity
394394
Samarium (III) oxide
99.999%
204951
Zinc oxide
99.999%
202975
Cerium (IV) oxide
99.995%
450804
Copper (II) oxide
99.995%
590509
Terbium (III) oxide
99.99%
463744
Vanadium (III) oxide
99.99%
554847
Barium oxide
99.99%
675644
Chromium (VI) oxide
99.99%
566284
Copper (I) oxide
99.99%
203238
Erbium (III) oxide
99.99%
215066
Gallium (III) oxide
99.99%
518158
Iron (II/III) oxide
99.99%
203815
Molybdenum (VI) oxide
99.99%
203394
Hafnium oxide
99.95%
415138
Strontium oxide
99.9%
15
炭化ケイ素 ―The return of an Old Friend―
種類を超えるポリタイプが見つかっていますが、技術的に重
要なもの（主として、4H と 6H の六方晶および 3C の立方晶
形）は限られた種類になります 5。その理由としては、これ
らのポリタイプが商業的に入手可能であることと、移動度の
異方性（結晶学的方向によるキャリア移動度の違い）が小さ
いことが挙げられます。
炭化ケイ素は層状の結晶構造を持ち、多くの異なる形態すな
わちポリタイプがあります。そして等量の炭素とケイ素から
なり、各原子はそれぞれ反対の種類の 4 つの原子と四面体配
置で結合しています。SiC 結晶の層には A、B、および C の 3
つの可能な原子配置があり、どのポリタイプも同じ種類の層
を含みますが積層順序が異なります（図 1 参照）3。炭化ケイ
素は、ある 1 つの層をさまざまな向きでもう 1 つの層の上に
積層できる（横方向の移動と回転がエネルギー的に可能）た
めに多種多様な積層順序が可能であり、それぞれ特有の積層
順序によって異なるポリタイプが生成されます（たとえば、
立方晶、六方晶、菱面体晶のいずれの構造も生じる可能性が
あります）。α 型（非立方晶）と呼ばれる六方晶と菱面体晶
構造は結晶化して多数のポリタイプを形成する一方、立方晶
構造（β 型と名付けられている）では今日まで 1 つの形しか
見つかっていません。さらに、積層順序内の層の数の後に H、
R、または C を付けて 4、その形が六方晶、菱面体晶、また
は立方晶のどの構造に属するかを示します。今までに 215
C B A
結晶構造
C
A B
今日、SiC は航空宇宙、エレクトロニクス、工業用炉、耐摩
耗性機械部品などの産業で重要な役割を果たす、最も幅広く
使用されている材料の 1 つです。SiC はエレクトロニクスや
その他のハイテク用途に広く使用されていますが、量的観点
からは冶金、研磨剤、および耐火物工業で多く使用されてい
ます。
A B C A B
C B A
近年、炭化ケイ素（SiC）が、多くの材料および工学的用途に
不可欠な物質として再び注目を集めています。興味深いこと
に、SiC は人工的に合成された後で自然界で発見された数少
ない鉱物の 1 つです。最初に合成されたのは 1891 年で、
Edward Acheson が炭素とアルミナを電気的に加熱した溶融液
の中に小さな黒色結晶の SiC を偶然に発見しました 1。その後、
この方法が改良され（いわゆるアチソン法）
、工業用研磨剤
として使用される微細な SiC 結晶（粉末状に粉砕したもの）
が商業的に大量生産されるようになりました 2。天然の炭化
ケイ素が見つかったのは 1905 年で、ノーベル賞を受賞した
化学者 Henri Moissan によって、アリゾナ州ディアブロ渓谷
にて発見されました。現在モアッサナイト（moissanite）と呼
ばれるこの透明な鉱物は、ダイアモンドとほとんど同じ輝き
と硬さを持つため、宝石用原石として多くの場合使用されま
す。今日まで SiC の大規模な天然鉱床は発見されていないた
め、現在使用されている SiC はすべて合成されたものです。
A B C B
はじめに
A B C B A B
C B A C B A C B A
School of Electrical, Electronic and Computer Engineering
Newcastle University
Newcastle upon Tyne, UK
*Email: n.g.wright@ncl.ac.uk
A B C A B
C
A B C A B
C
図 1．
（a）3C SiC、
（b）4H SiC、および（c）6H SiC の結晶構造の積層順序
「炭化ケイ素」という用語の意味することは、実際にはさま
ざまです。たとえば、機械技術者は「各種結合剤で結合した
比較的低純度の SiC 微結晶に、温度と圧力の両方またはその
どちらかを加えて作製されたセラミックス」を表すためにこ
の単語を使い、一方、電気技術者は「高純度 SiC 単結晶ウエ
ハ」を考えるかもしれません。
機械的特性に基づく用途
どのような結晶構造の炭化ケイ素も、モース硬度が 9 のアル
ミナと 10 のダイアモンドの間に位置する硬質材料としてよ
く知られています 6。炭化ケイ素は熱伝導率が高く熱膨張が
小さいため、他の耐熱材料と比較して非常に高い熱衝撃抵抗
を備えています 6。エレクトロニクス分野での応用例が見つ
かるまで、商業的に重要であったのは SiC セラミックスの機
械的特性でした。
各種セラミック製品を製造するにあたって、まず SiC 粉末の
合成が基本的に必要であり、合成した粉末を成形することに
よりセラミック製品が得られます。さまざまな純度、結晶構
造、粒子サイズ、形状、および粒径分布を持った SiC 粉末を、
いくつかの合成方法で調製することができます。たとえば、
昇華炭素還元（熱炭素還元、アチソン法）、有機ケイ素ポリマー
からの熱変換、気相化学反応などがあります。
炭化ケイ素セラミックスは本来脆いものですが、多くの機械
用途で回転部品や静止部品の代表的な材料として使用されて
います。炭化ケイ素セラミックスの特性は、金属と比較して
破壊靱性や限界破壊ひずみが低いという点にあります。一般
に炭化ケイ素セラミックス部品の強度は、原材料に存在する
欠陥によって決まります。欠陥の種類、サイズ、形状、およ
び位置は極めてさまざまであり、従って強度もさまざまです。
異なる方法で作製された炭化ケイ素セラミックスは、機械的
性質も大きく異なります。たとえば、焼結炭化ケイ素は高温
で強度を維持し、時間に依存する性質であるクリープや亀裂
成長に対して高い耐性を示します。これとは対照的に、反応
焼結 SiC は微細構造中に遊離ケイ素が存在するため、高温特
性はやや劣ります 7。
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炭化ケイ素
Nicholas G. Wright* and Alton B. Horsfall
16
電子的および光学的特性に基づく用途
s i g m a - a l d r i c h . c o m / j a p a n
近年、SiC がエレクトロニクス向けの有望な材料として注目
されています 8,9。ポリタイプによってバンドギャップが異な
り、その範囲は 2.4 eV ∼ 3.3 eV であるため（ケイ素のバン
ドギャップは 1.1 eV）、ワイドバンドギャップ材料と見なさ
れます 10。特に、ポリタイプの結晶構造における積層順序の
点以外では同じ二重層であるにもかかわらず（図 1 参照）、
このようにバンドギャップに大きな幅があるのは注目すべき
点です。近年の研究によって、炭化ケイ素の材料特性がエレ
クトロニクス用途、特にパワーエレクトロニクスとセンサー
用に利用可能となりました 11。さらに、発光ダイオードの基
板材料としても広く使用され、光学活性層を成長させる基礎
としての役割を果たしています。これは 6H SiC と窒化ガリ
ウムの格子定数が近いことを利用したもので、さらに SiC の
高い熱伝導率を利用して LED 内部で発生した熱の除去も可能
になります。
炭化ケイ素の重要なアプリケーションの 1 つに、ガスセンサー
があります 12。炭化ケイ素はバンドギャップが広いために真性
キャリア濃度が非常に低く、内燃機関から放出される汚染物
質や噴火口からの硫黄を含む排出物など、非常に高温のガス
を検知できます。代表的な炭化ケイ素ガスセンサーは直径約
100μm、厚さ数分の 1 ミリメートルで、一般に図 2 に示すよう
な触媒電極を持つコンデンサー（MIS 構造）になっています 13。
このようなデバイスは、誘電体層を金属と炭化ケイ素で挟む
構造をとることで、900℃を超える温度での動作が可能です 14。
この誘電体層は、一般に TiO2 や HfO2（アルドリッチ製品番号
203394 および 202118）などの金属酸化物材料ですが、これ
らは金属層の in-situ 酸化、もしくは前駆体物質を用いた原子
層堆積法などのより高度な製法をはじめとする、さまざまな方
法で作製することができます 15。金属表面がガス混合物にさら
されるとガス分子の分解が加速し、イオンが放出されてデバ
イスの電気特性が変化します。水素および水素を含む分子の
場合、150℃を超える温度であればミリ秒未満の時間スケール
にて、ガス分子が分解した後に水素原子は厚みのあるもしくは
高密度の触媒電極を容易に拡散し、荷電層が形成されます 16。
センサーの応答は、静電容量シフト、静電容量を維持するた
めに必要な電圧シフト、
酸化物（誘電体層）のリーク電流など、
多くの方法で測定できます。自動車の排気系統のマニホール
ド部分に近い場所など、周囲の環境条件が急激に変化する場
合、従来のセラミックセンサーが応答に 10 秒程度を要するの
に対し 18、炭化ケイ素センサーは電気的応答速度が速いため、
このような環境でのガス種の検知に適しています 17。
50 nm
Pd
75 nm
TiO2
25 nm
SiO2
SiC
図 2．SiC ガスセンサーの断面図。SiO2 層は、その大きなバンドオフセッ
トにより高い動作温度でのリーク電流を低減するため、および SiC/SiO2
界面の欠陥密度を下げるために使用されます（図は、許可を得て参考文
献 14©2007 IEEE から転載）。通常、SiC は高濃度に窒素ドープした厚さ
350μm の基板と低濃度にドープした厚さ数 μm のエピ層で構成されます。
ガス混合物の組成を決定するためにそれぞれのガスの影響を
分離することは容易ではありません。600℃を超える温度で
は、ガス種が金属表面で完全に分解するため、個々のガスを
特定することは不可能になります。たとえば、メタンとエタ
ンの分子が完全に分解すると、それぞれ 4 個と 6 個の水素イ
オンが発生します。すなわち、ある濃度のメタンとその 2/3
の濃度のエタンは同じ数の水素イオンを発生するため、これ
らを識別することはできません。150℃未満の温度では触媒
表面でガス種が解離しないため、センサーはガスに全く反応
しません。150℃∼ 600℃ではガス種が部分的に分解するた
め、存在するガスを一意に識別するそれぞれ特性の異なるセ
ンサーアレイを用いることができます。たとえば、パラジウ
ムは水素に対して感度が高く、白金はアンモニアに対して感
度が高いため、それぞれの金属を付けたセンサーを 1 つずつ
使用してこれらのガスを識別できます。次に、「ガウス混合
モデル」や「主成分分析」などのコンピューターアルゴリズ
ムを使用して、測定されたデバイスの電気的応答を個々のガ
スについて分解します。この結果、さまざまなガスに対する
これらデバイスの感度は温度によって変化しますが、（すべ
てのセンサーに対して）校正を行うことによって正確で再現
性のある測定値を得ることができます（図 3 参照）。
6
1000ppm H2
1500ppm H2
2000ppm H2
5
4
Sensitivity
炭化ケイ素
炭化ケイ素は極めて硬いことから、ブレーキライニングや電
気接点など耐摩耗性が重要である場合のコーティング材とし
て使用され、また一方、床や階段の踏み板、テラゾータイル、
デッキ用塗料、路面などの滑り止め用途にも使用されます。
SiC はまた、高い腐食性環境をはじめとするさまざまな厳し
い環境で、ポンプ、圧縮機、および攪拌機のメカニカルシー
リングに使用されます。炭化ケイ素は、酸化アルミニウム（ア
ルドリッチ製品番号 202606、342750）などの他の研磨材よ
り脆くはありますが硬い材料です。炭化ケイ素研磨材は粒子
が砕けやすく鋭い切削作用が保たれるため、通常、チルド鋳
鉄、大理石、御影石などの硬くて引張り強度の低い材料や、
繊維、ゴム、皮革、銅などの鋭い切削作用が必要な材料の研
削に使用されます。炭化ケイ素は粉末の形でラッピング用（砥
粒）に、また、他の材料と混合することで研磨ペーストにな
ります。もしくは、布を裏当て材とすることで研磨シート、
ディスク、ベルトとしても利用されます 6。
3
2
1
0
500
550
600
650
700
750
800
Temperature (K)
図 3．代表的な SiC ガスセンサーの感度の温度変化（図は、許可を得て参
考文献 14©2007 IEEE から転載）
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17
結論
(7)
炭化ケイ素は、近年、機械的用途だけでなくエレクトロニク
ス用および光学用材料としても技術的に不可欠な材料として
注目されています。その優れた材料特性と基礎となる材料作
製方法の確立によって、多くの分野で炭化ケイ素が応用され
ることが期待されています。
(8)
(9)
(10)
(11)
(12)
(13)
(14)
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New York, 2006; Vol 22.
(15)
(16)
(17)
(18)
炭化ケイ素
Name
Formula
Purity
Dimensions
Physical Form
CAT. NO.
Silicon carbide
SiC
>95% by XRD
particle size 200 - 450 mesh
powder
378097-250G
378097-1KG
Silicon carbide
SiC
≥97.5%
particle size −400 mesh
hexagonal phase powder
357391-250G
357391-1KG
Silicon carbide
SiC
>95% by XRD
particle size <100 nm
nanopowder
594911-100G
594911-250G
Formula
Purity
Dimensions
Physical Form
CAT. NO.
Aluminum carbide
Al4C3
99%
−325 mesh
cubic phase powder
241873-100G
Tungsten(IV) carbide
WC
99%
10 µm
powder
241881-100G
Calcium carbide
CaC2
~80%
thickness <10 mm (typically)
pieces
270296-500G
270296-2KG
Calcium carbide
CaC2
≥75%, gas-volumetric
particle size 0.3 - 1 mm
pieces
21039-100G-F
21039-1KG-F
炭化物
Name
Tantalum(IV) carbide
TaC
99%
≤5 µm
powder
280801-10G
Titanium(IV) carbide
TiC
98%
−325 mesh
powder
307807-100G
307807-500G
Zirconium(IV) carbide
ZrC
99%
5 µm
cubic phase powder
336351-250G
Molybdenum carbide
Mo2C
99.5%
−325 mesh
powder
399531-50G
Chromium carbide
Cr3C2
99.5%
−325 mesh
powder
402680-50G
402680-250G
Hafnium(IV) carbide
HfC
-
particle size <1.25 µm
powder
594636-25G
Titanium(IV) carbide
TiC
≥95%
<4 µm
powder
594849-25G
594849-100G
Titanium(IV) carbide
TiC
95%
particle size <200 nm BET)
nanopowder
636967-25G
636967-250G
ケイ化物
Name
Formula
Purity
Dimensions
Physical Form
CAT. NO.
Magnesium silicide
Mg2Si
≥99% trace metals basis
−20 mesh
powder
343196-25G
Molybdenum disilicide
MoSi2
≥99% trace metals basis
-
powder
243647-250G
Tungsten silicide
WSi2
99.5%
−325 mesh
powder
399442-10G
Calcium silicide
CaSi2
-
-
powder
21240-250G-F
21240-1KG-F
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炭化ケイ素
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
Srinivasan, M. Structural Ceramics, Treatise On Materials Science And Technology;
Wachtman, Jr., J.B., Ed.; Academic Press, Inc.: New York, 1989; Vol. 29.
Baliga, B.J. Silicon Carbide Power Devices, World Scientific Press: Singapore, 2006.
Silicon Carbide: Recent Major Advances; Choyke, W.J.; Matsunami, H.; Pensl, G.,
Eds.; Springer: Berlin, 2006.
Goldberg, Y.; Levinshtein, M.; Rumyantsev, S. Properties Of Advanced Semiconductor
Materials; Levinshtein, M.; Rumyantsev, S.; Shur, M., Eds.; Wiley: New York, 2001.
Silicon Carbide: Materials, Processing And Devices; Feng, Z.C.; Zhao, J.H., Eds.;
Taylor And Francis: New York, 2006.
Wright, N.G.; Horsfall, A. B. Journal Of Physics D- Applied Physics, 2007, 40, 6345.
Weng, M.H.; Mahapatra, R.; Wright, N.G.; Horsfall, A.B. Meas. Sci. Technol,. 2008,
19, 024002.
Weng, M.H.; Mahapatra, R.; Horsfall, A.B.; Wright, N.G. IEEE Sensors Journal, 2007,
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Sigma-Aldrich Catalog (2009-2010).
Nakagomi, S.; Tobias, P.; Baranzahi, A.; Lundstrom, I.; Maretnsson, P.; Spetz, A.L.
Sensors And Actuators B, 1997, 45, 183.
Baranzahi, A.; Spetz, A. L.; Glavmo, M.; Nytomt, J.; Lundstrom, I. Proceedings, 8th
International Conference on Solid-state Sensors and Actuators, and Eurosensors IX,
Stockholm Sweden, 1995, 741.
Xiong, W.; Kale, G. Sensors And Actuators B, 2005, 114, 101.
Interactive Periodic Table
無機・有機金属化合物製品を「周期表」で検索が可能です！
シグマアルドリッチで
は、61の金属元素に関
これらの製品を周期表の元素をクリックすることで簡単に検索できるよう
になりました。
• 純金属
• ナノマテリアル
• 金属塩類
• ゾルーゲル法用有機金属・無機塩類
• 金属酸化物
• 蒸着用有機金属前駆体
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する製品を取り扱って
おります。
19
メソポーラス酸化物とその水素貯蔵への応用
低密度メソポーラス酸化物
1
Lawrence Berkeley National Laboratory
1 Cyclotron Road, Berkeley, CA 94720
2
H2 Technology Consulting LLC
33902 Juliet Circle
Fremont, CA 94555
*E-mail: ajhunt@lbl.gov, kgross@h2techconsulting.com, ssmao@newton.berkeley.edu
はじめに
固体水素貯蔵は技術的観点からは魅力的ですが、実用的な水
素の貯蔵容量とその反応速度に関して大きな課題に直面して
います 1-3。水素吸着は、解離した原子状水素の化学吸着の場
合でも、分子状水素の弱いファンデルワールス型物理吸着の
場合でも、材料固有の表面相互作用に強く依存します。高表
面積炭素材料と金属水素化物（複合水素化物を含む）は、固
体水素貯蔵用の主なカテゴリーを代表する候補材料であり、
これまで精力的に研究されています。
最近になって、有機金属構造体（MOF:metal-organic
frameworks）4,5 が、低密度で比表面積が大きいだけでなく、
機能性多孔質構造体として設計可能な、物理吸着型水素貯蔵
材料の重要な化合物として注目されています。一方で、金属
水素化物などの可逆的化学吸着材料は高い水素貯蔵容量を示
します。ただし、実用的には高い熱力学的安定性が必要（た
とえば、MgH2）であったり、反応速度論的に遅い（たとえば、
アラナート）ために、多くの場合その用途は限定されます。
この問題を解決して実用的な水素貯蔵を実現するには、反応
機構、組成の改良、および反応物の熱輸送と質量輸送といっ
た課題に同時に対応する新たなアプローチが必要です。そこ
で、我々は低密度金属酸化物ベースのセラミック材料をゾル
ゲル法で合成し、さまざまな方法でその構造を改良した、活
性酸化物ネットワーク材料を作製しました。
エアロゲルは独特の性質をもつため、これまでに幅広い用途
が提案されてきました。エアロゲルは最大 99.7％の気孔率
を持つ最も軽量の固体材料であり、優れた透明固体断熱材で
す。さらに、あらゆる物質の中で音の伝導性が最も低い物質
です（100 m/ 秒未満、空気中の音速は 343 m/ 秒）。エアロ
ゲルは、チェレンコフカウンター、超断熱窓、太陽集熱器カ
バー、冷凍機、宇宙探査機、温水器、および管の断熱材の作
製に使用されてきました。セラミックエアロゲルは他の材料
にない衝撃波特性を持っていることから、地球軌道内の宇宙
塵収集装置や、流星塵を初めて地球に持ち帰ったヴィルト第
2 彗星（the comet Wilde II）へのスターダストミッションに
使用されています。この他にもエアロゲルは、降伏電圧が高
いために高性能電気絶縁体として、高表面積のために触媒と
して、細孔径が小さいためにガスフィルターとして、温度差
で駆動する親水性を利用した気相ポンプとして、また、毒性
除去材料、音響装置の構成材料、安全性の高い殺虫剤として
も試験されています。
開気孔を持つエアロゲル構造体は、さまざまな無機酸化物、
炭素、ポリマー化合物から作製できます。実際、エアロゲル
のメソポーラス材料は、各種非多孔質物質を用いて「描く」
ことができる「3 次元のキャンバス」と考えてもよいかもし
れません。色々な骨格構造に多種多様な物質を添加すること
ができるため、柔軟性の高い材料作製方法といえます 7,8。こ
れは、ゾルゲル前駆体物質に官能基を改質または付加したり、
細孔から溶媒を抽出した後に化学気相浸透法（CVI:chemical
vapor infiltration）によって行うことができます。CVI は化学
的には化学的気相成長法（CVD）に似ていますが、多孔質材
料内部で反応が進みます。これらの方法を用いることで、エ
アロゲル骨格をその数倍の体積の物質で被覆することができ
ます。このように、メソポーラス材料を作製するためのこの
アプローチは、水素貯蔵用だけでなく他の用途向けにもナノ
スケールでの材料調製を実現する、柔軟性と費用対効果の高
い方法です。
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メソポーラス酸化物とその水素貯蔵への応用
Arlon J. Hunt1*, Karl Gross2*, Samuel S. Mao1*
エアロゲルなどのメソポーラス材料は、大きな表面積（1000
m2/g 以上）や、開気孔率（80 ∼ 99.9％の多孔性）、小さな
細孔径（一般に 10 ∼ 20 nm がピーク）といった特徴をもち、
1 種類または複数の化合物でメソポーラス構造体の表面を
コーティングすることも可能であるために、他の材料にはな
い、さまざまな利点を備えています。この材料は、ゾルゲル
法の後に溶媒抽出法によって乾燥させて作製されます。超臨
界処理によって溶媒抽出を行った場合、得られた材料はエア
ロゲルと呼ばれます。このエアロゲルは 1931 年に Kistler が
発見しました 6。Kistler の先駆的な研究では、「ゲル」が液体
を含んだ固体の骨格構造でできていることの説明に重点が置
かれていました。ゲルを空気中で乾燥させるとかなり収縮し
て多くの破片に砕けることから、Kistler は極めて小さな細孔
が表面張力によって破壊されると推測しました。Kistler は、
この表面張力をなくすために、まずゲル内の液体の替わりに
エタノールを使用し、次に温度と圧力をエタノールの臨界点
（243.1℃および 63.1 bar）より高くしました。ここで圧力を
ゆっくり低下させ、液体が膨張してゲルから抜け出せるよう
にしました。こうして得られた材料は液体の替わりに空気を
含んでいたため、Kistler は「エアロゲル」と名付けました。
一方、乾燥ゲル（air dried gels）は一般に密度がはるかに高く、
キセロゲルと呼ばれます。
20
メソポーラス酸化物とその水素貯蔵への応用
我々は、エアロゲル技術に基づく超低密度ナノ材料の調製と
その性質に関する研究を 1980 年から行ってきました。また、
ゲル内でアルコールの替わりに不燃性の二酸化炭素を使用す
る技術を開発し、低温で超臨界乾燥を行いました（31.1℃お
よび 73.0 bar）9。さらに、金属酸化物（SiO2、TiO2、Fe3O4、
Al2O3、MgO、Cr2O3、Zr2O3）、複合酸化物、その他の化合物
を含む多種多様な組成のエアロゲル化合物を調製しました 10。
これらの多くの化合物は、超臨界乾燥処理の前後にコーティ
ングまたは堆積を追加して行うことで得られました 11,12。さ
らに、多岐にわたる元素および化合物を、ゾルゲル化学反応、
溶媒添加、および化学気相浸透法によって堆積させました。
最も詳細に調べた組み合わせは、アセチレンを用いた CVI に
よって炭素コーティングしたシリカエアロゲルです。図 1 に、
ドープしていないシリカエアロゲルと炭素ドープしたシリカ
エアロゲルを示します。この方法によって、我々はシリカ中
への 1％∼ 400％の炭素含有（炭素の質量がシリカよりも 4
倍多い）に成功しました。
SiO2
SiO2
intercalated filling
図 2．改質した活性酸化物ネットワークの模式図。右の図は、X-SiO2 を形
成する水素化物 -X でコーティングされた個々の酸化物ナノ構造を表して
います。
次に、超低密度酸化物網目構造材料の模式図（2 次元投影面
内）を図 3a に示します。これは、直径が約 3 nm のシリカ
ナノ粒子のネットワーク構造からなり、ナノ細孔は可視光の
波長よりはるかに小さいサイズ（10 nm が代表値）になって
います。図 3b は合成された試料の透過型電子顕微鏡（TEM）
像です。高度に多孔性の媒質が、ランダムに配置されたシリ
カナノ粒子の網目構造で構成されていることがわかります。
コーティングされていないシリカ網目構造の比表面積は、
BET による測定で代表値が 1000 m2/g、かさ密度は約 0.08
g/cm3 です。
a)
b)
図 1．未ドープ（左）および炭素ドープ（右）の超低密度 SiO2 網目構造
材料の外観
水素貯蔵用メソポーラス酸化物
メソポーラス酸化物網目構造が一度調製された後でも、いく
つかの方法によって改質することができます。X-SiO2 多孔質
網目構造の合成に使用された改質の例を図 2 に示します。こ
こで X は大容量の水素化物化合物で、エアロゲルの SiO2 ナ
ノ粒子の配列内に挿入されて細孔空間の大部分を満たしま
す。
50 nm
図 3．（a）シリカナノ粒子のネットワークで構成された材料の模式図、
（b）
超低密度シリカ酸化物網目構造材料の TEM 像
我々は、水素貯蔵用に SiO2 セラミックナノ粒子網目構造材
料を改質したときの効果をより理解するために、まずその
基本特性について研究しました。その結果、SiO2 ナノ粒子の
ネットワーク構造の表面積が非常に大きいために、物理吸着
を利用した水素貯蔵に関して優れた性質を持っていることが
分かりました。しかし、この材料の水素貯蔵容量は、まだ米
国エネルギー省の質量貯蔵密度および体積貯蔵密度の目標を
満たしてはいません。超低密度シリカ網目構造の液体窒素温
度での吸蔵容量を図 4 に示します。測定は水素貯蔵体積測定
装置（PCTPro、Hy-Energy 社）13 を使用して行いました。水
素吸蔵容量は 40 bar まで圧力とともに増加し続けることが
分かります。
3
Hydrogen Concentration, %
s i g m a - a l d r i c h . c o m / j a p a n
超低密度セラミック材料の重要な利点の 1 つとして、細孔の
大きさと酸化物骨格材料の組成および官能性が挙げられま
す。エアロゲルは、合成パラメーターを変えることによって
容易に改質することができます。そのアプローチの 1 つは、
合成時（ゾルゲル段階）における前駆体混合物の組成を変え
ることです。たとえば、Si
（OAlk）4 または Ti（OAlk）4（22 ペー
ジ以降の製品リスト参照）に遷移金属塩またはホウ素化合物
をドープし加水分解することで、遷移金属を酸化物網目構造
（OAlk）
の中に組み込むことが可能です。このとき、A-CH2-Si
3
（22 ページ以降の製品リスト参照）や（A-CH2）2Si（OAlk）2（ア
ルドリッチ製品番号 371890、435171、539260）などの所
定の官能基をもつ化合物を前駆体として使用した場合は、A
部分と遷移金属の結合によって、酸化物網目構造材料に化学
吸着サイトを追加することもできます（網目構造が形成され
た後に追加されます）。さらに、骨格構造を被覆する材料の
組成を変えることで材料の特性を調整できますが、これは水
素貯蔵のみならず、さまざまな用途での応用につながると考
えられます。
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
10
20
30
40
Pressure, bars
図 4．超低密度ケイ素網目構造材料の水素貯蔵容量と圧力の関係
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50
21
水素の貯蔵密度を上げるために、高表面積であることに起因
する物理吸着特性を残したまま、化学吸着特性を付加する試
みを行いました。水素だけでなく他の反応物質の反応表面積
の増大と同時に、拡散距離の短縮によって化学吸着速度を大
幅に改善できるという別の利点をもたらすはずです。
MgNi/SiO2 エアロゲル複合網目状構造の合成は、pH の調整に
よる加水分解反応とアルコール中でのアルコキシシランの縮
合から始まり、その後、CO2 置換と超臨界乾燥を行うという
2 段階プロセスで行われました。得られた SiO2 ナノ粒子網目
構造を、高真空環境下で物理気相成長または化学気相成長プ
ロセスを用いて、Mg および Ni の気相浸透を行いました（固
体 MgNi 合金ターゲットの気化にはパルスレーザーを使用し
ました）。予備測定では、改質シリカ網目構造での水素の物
理吸着に加えて化学吸着が起こっていることが明らかになっ
ています。
この酸化物ネットワーク構造がもたらす技術的な利点は、サ
イズ拡張性にあります。我々は、超臨界乾燥／ゾルゲル法に
基づいたサイズの大きな材料の作製方法の探索と、化学気相
浸透／堆積法による酸化物網目構造の多孔質性を利用したさ
まざまな化合物の組み込みの研究しています。その結果、さ
まとめ
このように、超低密度改質活性酸化物網目構造にはさまざま
な可能性があることが明らかになっています。しかし現状の
メソポーラスネットワーク構造の水素貯蔵容量はまだ十分で
はなく、目標の水素貯蔵容量と反応速度を達成するためのさ
らなる研究が必要です。新規材料の最適化は、活性酸化物ネッ
トワーク材料の構造と比表面積の調整、触媒相と化学吸着相
の異なる組み合わせの探索などの、プロセス改善によって実
現されるでしょう。
References:
(1)
(2)
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(4)
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Balema, V. P. Material Matters 2006 1, 3, 3.
Gross, K. Material Matters 2006, 2, 2, 26.
ALD 用金属前駆体材料
アルドリッチでは、原子層堆積法（ALD）システムに使用できるス
チール製シリンダーに充填された高純度金属前駆体化合物を取り
扱っております。詳しくは弊社ファインケミカル事業部までお問い
合わせください。
Product Name
CAT. NO.
Product Name
CAT. NO.
Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV)
666610
Titanium(IV) isopropoxide
687502
Bis(tert-butylimino)bis(dimethylamino)tungsten(VI)
668885
Silicon tetrachloride
688509
Tris(diethylamido)(tert-butylimido)tantalum(V)
668990
Tris(tert-butoxy)silanol
697281
Tetrakis(dimethylamido)titanium(IV)
669008
Tris(tert-pentoxy)silanol
697303
Tetrakis(dimethylamido)zirconium(IV)
669016
Tris[N,N-bis(trimethylsilyl)amide]yttrium
702021
Bis(ethylcyclopentadienyl)ruthenium(II)
679798
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メソポーラス酸化物とその水素貯蔵への応用
この検証のために、超低密度 SiO2 エアロゲルナノ粒子網目
構造中に MgNi（＜ 5 重量％）を組み込んだ複合材料を作製
しました。マグネシウムを使用して 7.6 重量％の MgH2 を含
有した構造を作製しましたが、水素化物を通過する水素の拡
散速度が律速となって、通常この材料の合成速度は遅くなり
ます。一方、Ni は水素解離に有効な触媒であり、また、Mg
と結合することで水素リッチな複合水素化物 Mg2NiH4 を形
成可能な金属間化合物である Mg2Ni を形成します。
まざまな密度、構造、および形状の超低密度材料を作製する
ことができます。たとえば一辺が最大 20 インチ（＝ 50.8
cm）である単一の正方形材料がバークレー研究所で合成さ
れました（車載輸送用途での利用を想定しています）。この
ように、超低密度活性セラミック網目構造材料は既存の固体
水素貯蔵用多孔質材料の代替品となることでしょう。
22
クロロシラン、アルコキシシラン化合物
Name
Structure
Purity
Physical Form
CAT. NO.
Methyltrichlorosilane
Cl
H3C Si Cl
Cl
≥98%, GC
≥99.99% (as metals) deposition grade
liquid
679208-50G
≥98%, GC
≥99.99% (as metals) deposition grade
liquid
679216-50G
≥98% deposition grade
liquid
679224-50G
Cl
CH3(CH2)3CH2 Si Cl
Cl
≥98% deposition grade
liquid
679194-50G
OCH3
H3C Si OCH3
OCH3
≥98% deposition grade
liquid
679232-50G
≥98% deposition grade
liquid
679267-50G
≥98% deposition grade
solution
679364-50G
≥98% deposition grade
liquid
679313-50G
≥98% deposition grade
liquid
679356-50G
≥98% deposition grade
liquid
679275-50G
≥98% deposition grade
liquid
679321-50G
99.99% trace metals basis
98% deposition grade
liquid
679305-50G
≥98% deposition grade
liquid
679291-50G
99.999%trace metal basis
liquid
333859-25ML
333859-100ML
≥98% deposition grade
liquid
679240-50G
97%
liquid
T5702-25G
T5702-100G
Ethyltrichlorosilane
Cl
Si Cl
Cl
H3C
Butyltrichlorosilane
Cl
Si Cl
Cl
H3C
Pentyltrichlorosilane
メソポーラス酸化物とその水素貯蔵への応用
Trimethoxymethylsilane
Allyltrimethoxysilane
OCH3
Si OCH3
H2C
OCH3
Isobutyl(trimethoxy)silane
H3C
CH3 OCH3
Si OCH3
OCH3
Trimethoxyphenylsilane
OCH3
Si OCH3
OCH3
[3-(Diethylamino)propyl]trimethoxysilane
OCH3
H3C
Si OCH3
N
OCH3
H3C
Triethoxyvinylsilane
H3C
O
CH2
Si
H3C
n-Propyltriethoxysilane
O
O
CH3
CH3
H3C
O
O
Si
CH3
O
CH3
Triethoxy(octyl)silane
H3C
Triethoxyphenylsilane
CH3
O
O Si CH2(CH2)6CH3
O
CH3
O
CH3
CH3
Si O
O
CH3
Tetraethyl orthosilicate
Tetrapropyl orthosilicate
H3C
O
H3C
O
O
CH3
O
CH3
Si
s i g m a - a l d r i c h . c o m / j a p a n
Tetrabutyl orthosilicate
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23
金属アルコキシド
Name
Structure
Purity/Concentration
Physical Form
CAT. NO.
99.999% trace metals basis
solid
229768-10G
229768-100G
98%
solid
129577-25G
98%
granular
291846-100G
291846-500G
99.999%
solid
674753-5G
674753-25G
99.9% trace metals basis
solid
495131-5G
495131-25G
97%
liquid
201073-100G
201073-500G
97%
liquid
205273-100ML
205273-500ML
205273-2L
99%
solid
208248-100G
208248-500G
≥99.99% trace metals basis
solid
229407-10G
229407-50G
229407-250G
≥98%
solid
220418-100G
220418-1KG
-
powder
235849-10G
235849-50G
97%
solid
235857-25G
235857-100G
-
powder
294853-250G
294853-1KG
95%
solid
403350-5G
99.99% trace metals basis
liquid
511609-5G
1.0 M in methylene chloride
solution
558907-500ML
Titanium(IV) methoxide
Ti(OCH3)4
≥99.99% trace metals basis
solid
463582-25G
Titanium(IV) methoxide
Ti(OCH3)4
95%
solid
404950-10G
404950-50G
-
liquid
244759-50G
244759-250G
97%
liquid
244112-5G
244112-100G
244112-500G
244112-2KG
-
liquid
462551-25ML
462551-50ML
98%
liquid
253081-100G
253081-500G
Magnesium acetate
O
H3C
Magnesium acetylacetonate
O
Mg2+ • 4H2O
2
O-
O
H3C
Mg2+ • 2H2O
CH3
2
Magnesium ethoxide
Mg2+
O
H3C
2
Aluminum acetylacetonate
O-
O
H3C
Al3+
CH3
3
O
Al3+
3
Aluminum-tri-sec-butoxide
CH3
H3C
Al3+
O
3
Titanium(IV) isopropoxide
CH3
O- Ti4+
H3C
4
Aluminum acetylacetonate
O-
O
H3C
Al3+
CH3
3
Aluminum isopropoxide
i-Pr
O
Al
O
Aluminum isopropoxide
i-Pr
O
Al
O
Aluminum tert-butoxide
t-Bu
O
H3C
Aluminum acetate, basic
O
H3 C
O
Aluminum tributoxide
H3C
O
Al
O
Aluminum-tri-sec-butoxide
O
i-Pr
i-Pr
O
O
O
Al
O
i-Pr
t-Bu
O
Al
Aluminum ethoxide
i-Pr
t-Bu
CH3
O
CH3
OH
Al
OH
CH3
O
CH3
CH3
H3C
Al3+
O
3
Aluminum tri-sec-butoxide
CH3
H3C
Al3+
O
3
Titanium(IV) ethoxide
H3C
O
O
CH3
Ti
H3C
Titanium(IV) butoxide
O
O
CH3
CH3
H3C
O
O
Ti
O
O
CH3
H3C
Titanium(IV) tert-butoxide
Titanium(IV) propoxide
t-Bu O O t-Bu
Ti
t-Bu O O t-Bu
H3C
O
H3C
O
O
CH3
O
CH3
Ti
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メソポーラス酸化物とその水素貯蔵への応用
Aluminum phenoxide
24
Name
Structure
Titanium(IV) isopropoxide
CH3
Purity/Concentration
Physical Form
CAT. NO.
99.999% trace metals basis
liquid
377996-5ML
377996-25ML
377996-100ML
75 wt. % in isopropanol
solution
325252-100ML
325252-500ML
95%
powder
330833-10G
330833-50G
95%
liquid
333484-250ML
O- Ti4+
H3C
4
Titanium diisopropoxide
bis(acetylacetonate)
O-
O
CH3
H3C
Ti4+
CH3
-
O
CH3
2
Titanium(IV) oxide acetylacetonate
2
-
O
O
2-
H3C
TiO
CH3
2
Titanium(IV) 2-ethylhexyloxide
H3C
CH3
H3C
CH3
O
O
Ti
O
メソポーラス酸化物とその水素貯蔵への応用
O
CH3
H3C
CH3
H3C
Chlorotriisopropoxytitanium(IV)
i-Pr O O i-Pr
Ti
i-Pr O Cl
95%
liquid
250627-100G
250627-800G
Chlorotriisopropoxytitanium(IV)
i-Pr O O i-Pr
Ti
i-Pr O Cl
1.0 M in hexanes
solution
252670-100ML
252670-800ML
97%
solid
339121-5G
339121-25G
80 wt. % in 1-butanol
solution
333948-100ML
333948-500ML
333948-2L
99.999% trace metals basis
liquid
560030-5G
560030-25G
70 wt. % in 1-propanol
solution
333972-100ML
333972-500ML
99.9% trace metals basis
powder
339237-10G
339237-50G
in dilute acetic acid
liquid
413801-500ML
413801-2L
-
powder
464600-100G
464600-500G
98%
powder
338001-25G
338001-100G
97%
solid
383325-1G
-
liquid
515817-1L
Zirconium(IV) ethoxide
H3C
CH3
O
O
Zr
H3C
Zirconium(IV) butoxide
O
O
CH3
Zr(OCH2CH2CH2CH3)4
Zirconium(IV) tert-butoxide
t-Bu O O t-Bu
Zr
t-Bu O O t-Bu
Zirconium(IV) propoxide
H3 C
O
H3C
O
O
CH3
O
CH3
Zr
Zirconium(IV) isopropoxide
isopropanol complex
i-Pr O O i-Pr
Zr
i-Pr O O i-Pr
Zirconium acetate
OH
•
H3C
CH3
O
O- Zn4+
H3C
4
Zirconium(IV) acetate hydroxide
O
H3C
O
O
O-
Zirconium(IV) acetylacetonate
Zr(OH)y
x
H3C
Zr4+
CH3
4
Zirconium(IV) trifluoroacetylacetonate
O
O-
F3C
Zr4+
CH3
4
Zirconium(IV) bis(diethyl citrato)
dipropoxide
CH3
O
O
O
Zr4+
HO
O
O
CH3
2
O
O
CH3
s i g m a - a l d r i c h . c o m / j a p a n
2
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25
チタン酸
Formula
Purity
Dimensions
Physical Form
CAT. NO.
Lithium titanate
Li2TiO3
-
−325 mesh
powder
400939-100G
400939-500G
Lithium titanate, spinel
Li4Ti5O12
>99%
particle size <100 nm TEM)
particle size <100 nm BET)
nanopowder
702277-25G
Aluminum titanate
Al2O3·TiO2
98.5% trace metals basis
particle size <25 nm BET)
nanopowder
634131-20G
634131-100G
Aluminum titanate
Al2O3·TiO2
-
-
powder
520209-250G
Titanium silicon oxide
(SiO2)(TiO2)
99.8% trace metals basis
particle size <50 nm BET)
nanopowder
641731-10G
641731-50G
Calcium titanate
CaTiO3
99.9% trace metals basis
particle size <100 nm BET)
particle size <50 nm XRD)
nanopowder
633801-25G
633801-100G
Iron(II) titanate
FeTiO3
99.9%
−100 mesh
powder
400874-25G
Strontium titanate
SrTiO3
≥99.5% trace metals basis
particle size <100 nm
nanopowder
517011-50G
Strontium titanate
SrTiO3
99%
5 µm
powder
396141-100G
396141-500G
Strontium titanate
SrTiO3
≥99.99% trace metals basis
10 × 10 × 0.5 mm
<110>
single crystal substrate
single side
polished crystalline
(cubic (a = 3.905 Å))
634670-1EA
Strontium titanate
SrTiO3
99.99% trace metals basis
10 × 10 × 0.5 mm
<111>
single crystal substrate
single side polished
638161-1EA
Strontium titanate
SrTiO3
-
10 × 10 × 0.5 mm
<100>
single crystal
substrate crystalline
(cubic (a=3.905 Å))
634689-1EA
Barium titanate(IV)
BaTiO3
99.995% trace metals basis
-
powder
256552-10G
256552-50G
Barium titanate(IV)
BaTiO3
≥99% trace metals basis
particle size <100 nm BET)
nanopowder
(cubic crystalline phase)
467634-25G
467634-100G
Barium titanate(IV)
BaTiO3
99.9% trace metals basis
3 - 12 mm
pieces
sintered
342939-50G
Barium titanate(IV)
BaTiO3
99.9% trace metals basis
<2 µm
powder
338842-100G
338842-500G
Barium titanate(IV)
BaTiO3
99%
<3 µm
powder
208108-500G
208108-2KG
Lead(II) titanate
PbTiO3
≥99%
<5 µm
powder
215805-250G
Bismuth(III) titanate
Bi2O3·2TiO2
-
−325 mesh
powder
403687-100G
バルク供給／スケールアップのご相談は…
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メソポーラス酸化物とその水素貯蔵への応用
Name
26
タングステン酸
Name
Formula
Purity
Dimensions
Physical Form
CAT. NO.
Lithium tungstate
Li2WO4
98%
-
powder
400912-25G
400912-100G
Ammonium tungstate
(NH4)10H2(W2O7)6
99.99% trace metals basis
-
powder
322385-10G
322385-50G
Sodium tungstate
Na2WO4 · 2H2O
99.995% trace metals basis
-
chunks
379751-5G
379751-25G
Sodium phosphotungstate
Na3PO4·12WO3·xH2O
≥99.9% trace metals basis
-
powder
496626-25G
Sodium phosphotungstate
∼ 2Na2O·P2O5·12WO3·18H2O
-
-
powder
P6395-25G
P6395-100G
P6395-500G
メソポーラス酸化物とその水素貯蔵への応用
Magnesium tungstate
MgWO4
99.9% trace metals basis
−325 mesh
powder
415073-10G
Potassium tungstate
K2WO4
≥99.99% trace metals basis
-
powder
483079-5G
483079-25G
Potassium tungstate
K2WO4
94%
−100 mesh
powder
372617-100G
Calcium tungstate
CaWO4
-
-
powder
248665-100G
248665-500G
Strontium tungsten oxide
SrWO4
99.9% trace metals basis
−200 mesh
powder
709220-10G
Silver tungstate
Ag2WO4
99.99% trace metals basis
-
powder
587362-10G
Cadmium tungstate
CdWO4
-
−325 mesh
powder
401129-5G
401129-25G
Barium tungstate
BaWO4
99.9% trace metals basis
−100 mesh
powder
343137-50G
Barium yttrium tungsten oxide
Ba3Y2WO9
99.9%
<5 µm
powder
415170-25G
Bismuth tungsten oxide
Bi2(WO4)3
-
−200 mesh
powder
709239-10G
ジルコン酸
Name
Formula
Purity
Dimensions
Physical Form
CAT. NO.
Lithium zirconate
Li2ZrO3
-
−80 mesh
powder
400920-25G
400920-100G
Calcium zirconate
CaZrO3
99.7% trace metals basis
particle size <25 nm XRD)
particle size <50 nm BET)
nanopowder
631965-25G
Strontium zirconate
SrZrO3
-
10 µm
powder
396168-250G
Barium zirconate
BaZrO3
98.5% trace metals basis
particle size <50 nm
nanopowder
631884-25G
Barium zirconate
BaZrO3
-
<10 µm
powder
383309-250G
Lead(II) zirconate
PbZrO3
99% trace metals basis
−325 mesh
powder
398888-50G
398888-250G
s i g m a - a l d r i c h . c o m / j a p a n
ニオブ酸
Name
Formula
Purity
Dimensions
Physical Form
CAT. NO.
Lithium niobate
LiNbO3
99.9% trace metals basis
200 mesh
powder
254290-10G
Ammonium fluoroniobate
5
99.99%
-
powder
525707-10G
Sodium niobate
NaNbO3
99.9%
−100 mesh
powder
400653-5G
400653-25G
Potassium niobate
KNbO3
-
-
powder
541206-25G
Potassium
heptafluoroniobate(V)
K2NbF7
98%
-
powder
336645-25G
Zinc niobate
Zn(NbO3)2
97%
-
powder
548588-50G
Lead magnesium niobate
(PbO)3(MgO)(Nb2O5)
≥99%
-
powder
672874-25G
[NH4+] [Nb(O)F4−2NbF72-]
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固体酸化物形燃料電池（SOFC）用酸化物
e-
燃料電池は電気化学的反応により水素と酸素から電気を生
成するシステムで、アノードとカソード、電解質から構成
されます。固体酸化物形燃料電池（SOFC：Solid Oxide Fuel
Cells）では、カソードとアノード電極は多孔性のセラミッ
クス、電解質は高密度酸素イオン導電性セラミックスでで
きています（図 1）。よって 1000℃付近の高温での運転が
可能となり、また内部改質が可能であるため、燃料に天然
ガスやディーゼル燃料を利用できます 1。
Fuel
e-
e-
O2-
Air
O2
O2
O2-
O2
Exhaust
H 2O
H 2O
Exhaust
O2O2/N2
H2
Anode
Cathode
Electrolyte
References:
1
2.
カソード材料
e-
H2
高温での動作のため、各セル構成部品に非常に高い耐久性
が要求されます。したがって、固体酸化物形燃料電池にお
いて、低コストで高温耐久性を持つ材料の開発が重要にな
ります 2。
固体酸化物形燃料電池のアノード、カソード、電解質にご
利用いただける材料を下記の表に示しました。イットリウ
ム安定化ジルコニア（YSZ：Yttria Stabilized Zirconia）やラ
ンタンストロンチウムマンガナイト（LSM：Lanthanum
Strontium Manganite）、ガドリニウムドープセリア（GDC：
Gadolinium doped Ceria）など、多岐にわたる材料をご提
供しております。
e-
High Temperature and Solid Oxide Fuel Cells. Fundamentals, Design and Applications;
Singhal, S.C., Kendal, K. Eds.; Elsevier: Amsterdam, The Netherlands, 2003.
U.S. Department of Energy. Energy Efficiency and Renewable Energy. The Hydrogen, Fuel
Cells & Infrastructure Technologies Program. www1.eere.energy.gov/ hydrogenandfuelcells/
fuelcells/ (last accessed May 5, 2009)
電解質
Material Name
Composition
CAT. NO.
Material Name
Composition
CAT. NO.
Lanthanum strontium
manganite
(La0.80Sr0.20)0.95MnO3, 50%
Ce0.9Gd0.1O1.95, 50%
704237-10G
Zirconium(IV) oxideyttria stabilized
ZrO2/yttria 3% as stabilizer
572322-25G
Lanthanum strontium
manganite, ≥99%
(La0.80Sr0.2)MnO3, 50%
(Y2O3)0.08(Zr02)0.92, 50%
704245-10G
Zirconium(IV) oxideyttria stabilized
ZrO2/yttria ~8% as stabilizer
464228-100G
464228-500G
Lanthanum strontium
cobalt ferrite
(Ce0.9Gd0.1)O1.95, 50%
(La0.60Sr0.40)(Co0.20Fe0.80)O3 , 50%
704253-10G
Zirconium(IV) oxideyttria stabilized
ZrO2/yttria ~5.3% as stabilizer
464201-100G
464201-500G
Lanthanum strontium
manganite, ≥99%
(Ce0.9Gd0.1)O1.95, 50%
(La0.80Sr0.20)MnO3, 50%
704296-10G
Cerium(IV) oxidegadolinium doped
CeO2/gadolinium 10 mol %
as dopant
572330-25G
Zirconium(IV) oxideyttria stabilized
ZrO2/yttria 8% as stabilizer
572349-25G
Cerium(IV) oxidegadolinium doped
CeO2/gadolinium 20 mol %
as dopant
572357-25G
アノード材料
Material Name
Composition
CAT. NO.
Nickel oxide - Yttriastabilized zirconia
Nickel oxide, 66 wt. %
Yttria-stabilized zirconia, 34 wt. %
704202-10G
Cerium(IV) oxidesamaria doped
CeO2/samaria 15 mol % as dopant
572365-25G
Nickel oxide Cerium samarium
oxide, ≥99% trace
metals basis
Cerium Samarium Oxide, 40 wt. % 704210-10G
Nickel Oxide, 60 wt. %
Cerium(IV) oxideyttria doped
CeO2/yttria 15 mol % as dopant
572381-25G
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Aldrich 材料科学分野の季刊テクニカルニュースレターです。
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既刊特集内容（カッコ内は号数）
ナノ材料の応用最前線（2-1）
水素貯蔵材料（2-2）
有機エレクトロニクス（2-3）
先端金属および合金（2-4）
3 次元ナノおよびマイクロ構造（3-1）
ナノスケール表面改質（3-2）
生体材料（3-3）
代替エネルギー（3-4）
ナノ材料とその合成方法（4-1）
先端セラミック材料（4-2）
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SAJ1120 2009.10

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