‫به نام خدا‬
‫دانشکده مهندسی کامپیوتر‬
‫تمرین چهارم الکترونیک دیجیتال‪ -‬بهار ‪19‬‬
‫توجه‪ :‬مسائلی را که با عالمت (*) مشخص شدهاند‪ ،‬روز امتحان پایانترم به استاد تحویل دهید‪.‬‬
‫مسئله ‪:9‬‬
‫ترانزیستور ‪ npn‬را که در ‪ VBE = 0.7V ،iC = 1mA‬دارد را درنظر بگیرید‪ VBE .‬را در ‪ iC = 0.1 mA , 10mA‬بیابید‪.‬‬
‫مسئله ‪:)*(2‬‬
‫ترانزیستور مدار زیر ‪ β = 100‬دارد و در ‪ VBE ،iC = 1mA‬آن ‪ 0.7V‬است‪ .‬این مدار را چنان طراحی کنید که جریان ‪2mA‬‬
‫از کلکتور آن عبور کند و ولتاژ ‪ 5V‬درکلکتور آن ظاهر شود‪.‬‬
‫‪15V‬‬
‫‪RC‬‬
‫‪RE‬‬
‫‪-15V‬‬
‫مسئله ‪:)*( 3‬‬
‫در مدار شکل زیر مقادیر‪ VC ،VB‬و ‪ VE‬را پیدا کنید‪ .‬فرض کنید ‪ β‬خیلی زیاد باشد و ‪|VBE|=0.7V‬‬
‫‪10V‬‬
‫‪3.3KΩ‬‬
‫‪47KΩ‬‬
‫‪4.7KΩ‬‬
‫‪1‬‬
‫به نام خدا‬
‫دانشکده مهندسی کامپیوتر‬
‫تمرین چهارم الکترونیک دیجیتال‪ -‬بهار ‪19‬‬
‫مسئله ‪:)*( 4‬‬
‫برای یک معکوسکنندهی ‪ BJT‬مشابه با مدار زیر مقدار مقاومتهای ‪ RB‬و ‪ RC‬را طوری تعیین کنید که ترانزیستور به ازای‬
‫‪ VIH= 2V‬در مرز ناحیه قرار داشته باشد‪ .‬فرض کنید‪:‬‬
‫‪Β = 100, VCE(SAT) = 0.2V, VBE(FA1) = 0.7V, IC(SAT) = 10mA‬‬
‫‪VCC= 5V‬‬
‫‪RC‬‬
‫‪Vout‬‬
‫‪RB‬‬
‫‪Vin‬‬
‫مسئله ‪: 5‬‬
‫گیت ‪ NAND‬دو ورودی خانوادهی ‪ RTL‬را رسم کنید‪.‬‬
‫‪Forward Active‬‬
‫‪2‬‬
‫‪1‬‬