1 1 プラズマシミュレーションシステム 2014年版 www.quantemol.com 2 Q-VTの役割 : Q－VTを使ってモデリングできるのは: プラズマツール形状の変更。高度な表面科学。プロセスパラメータの変更に対する主なプラズマ状態量の変化ウエハレベルのイオンフラックス：イオンエネルギー、角度分布関数、ウエハ上の検体のフラックス。非マックスウェル（non-maxwellian）プラズマの電子動力学。複合的な電磁プラズマ相互作用。（電流コイル、永久磁石、複数の周波数の電源供給）  クウォンテモル·バーチャルツール（QVT）は、工業用のプラズマプロセスシミュレーションソフトです。プラズマ物理の専門家、マーク·クシュナー氏によって総合的に検証されている低圧（１Torr以下）プラズマプロセスをシミュレートする為のHPEMを基礎としてQ -VTを開発しました。      Q-VTの特徴は、高度のデータ可視化や分析などの便利なバッチ処理を、直感的なユーザーインターフェースで操作できる点です。 Q－VTの特典：           プラズマツールのモデル化に重点を置き実験的にも検証されているシミュレーションシステム。使いやすいユーザーインターフェース。検証されているプラズマ科学のデータ、幾つかの衝突断面積などがライセンスに含まれます。様々なチャンバーのサンプルライブラリー。チャンバーの設計や変更をするための使いやすい描画ツール。追加モジュールを使って、複合的なプラズマ現象のモデリングが可能。（イオン動態、放射輸送、粒子輸送、外部回路、など。）複数のシミュレーションを管理する為のマルチランシステム。プラズマ特性をスカラーとベクトルで高度に可視化実験データのインポートクラスターにジョブを簡単に処理/ 分配可能。 Fig. The simulation consists of a “core” simulation module, the HPEM, which can be extended with additional “add-on” modules to incorporate the physics of interest in a given plasma process Q-VTの応用は: ツール設計と開発  ウエハレベルの分子動力学  エッチング均一性のモデリング  チルティング（tilting）の効果（Synopsys ソフトと両立できる）  大型ウエハのシミュレーション（30cm ～）以上を含みます。  3 3 クアンテモル·バーチャルツールでは直感的なデザインビューアで、ツール設定を変更できます。ワークブックマネジメントシステムによりシミュレーションプロジェクトが整理・構築されます。メッシングツールを使って、ご希望の素材のチャンバー設計を２D（平面）と2.5D（軸対称円筒形幾何）で描くことができます。シミュレーションの結果はQ-VT内でプロットや分析、もしくはデータファイルとしてエクスポートが可能です。 Recent citations for the underlying simulation: 1. “J. Shoeb, M. M. Wang and M. J. Kushner, "Damage by Radicals and Photons During Plasma Cleaning of Porous low-k SiOCH. I. Ar/O2 and He/H2 Plasmas", J. Vac. Sci. Technol. A 30, 041303 (2012). 2. S. Tinck, W. Boullart and A. Bogaerts, "Modeling Cl2/O2/Ar inductively coupled plasmas used for silicon etching: effects of SiO2chamber wall coating", Plasma Sources Sci. Technol. 20, 045012 (2011) 3. Y. Yang, M. Strobel, S. Kirk and M. J. Kushner, "Fluorine Plasma Treatments of Polypropylene Films: II. Modeling Reaction Mechanisms and Scaling", Plasma Proc. Polymers 7, 123 (2010) 4 マーク・クシュナー教授が低圧プラズマプロセスリアクターをモデル化するために開発したHybrid Plasma Equipment Modelを基礎としました。シミュレーションモジュールには: 付着係数を利用した表面反応のシミュレーション気体粒子種の流体輸送（三次モーメントまで）反応による熱輸送（伝導、拡散、流動など）静電場偏微分方程式ソルバー（DC & RF電圧を表面やコイルに加えた場合も OK）ボルツマン法、モンテカルロの電子動力学の解マーク・クシュナー教授による衝突断面積を含んだ反応データベース       以上を含む。追加モジュール 1 SKM Surface Kinetics Module 2 MAXWELL Maxwell Equation Solver 3 PCMC Plasma Chemistry Monte Carlo Simulation and Ion Monte Carlo Simulation Finite Difference Time Domain Microwave Module (FDTDM) 4 MICROWAVE 5 CIRCUIT RF circuit module. 6 SPUTTER Sputtering 7 DTS Dust Transport Simulator 8 HV Photon beam injection 9 RADTRANS Radiation Transport Module (MCRTM) 10 コンサルティング高度なモデリングソフトを供給する他に、クアンテモルはコンサルティングも行っています。当社の工学者が実験の解析も提供可能です。コンサルティングは、迅速な計算など包括的な開発もできます。典型的なコンサルティングは：       電子-分子断面積の計算工業用のプラズマツールシミュレーションプラズマプロセスのパラメーター最適化プラズマ化学の創作エッチング、プラズマ蒸着の計算一般のマルチフィジックス問題（CFDなど）以上を含む。当社では、知的財産の保護の重要性を理解しており、守秘義務を順守致します。 Quantemolのお問い合わせ先 Tel: +44 207 679 34 76 Email: info@quantemol.com 5 5 価格表 Use Case ソフトライセンス単独ワークステーション Quantemol-VT （HPEM込）学術研究用研究グループ施設 Quantemol-VT （HPEM込）商業研究用単独ワークステーション施設 Licence term バージョン 1年 3年永久的 SE NE SE NE SE NE SE £8,000 £10,000 £15,000 £17,000 £18,000 £22,000 £18,000 £16,000 £20,000 £30,000 £34,000 £36,000 £44,000 該当なし £20,000 £25,000 £37,500 £42,500 £45,000 £55,000 £45,000 年間サポート. £1,600 £1,600 £3,000 £3,000 £3,600 £3,600 £3,600 NE £24,000 該当なし £60,000 £3,600 NE £30,000 該当なし £75,000 £6,000 般条件商業研究 ― 営利組織による営利組織のための研究、結果は非公表学術研究る研究 ― 非営利組織による公表され全てのライセンスはフローティング系で、ひとつのPCからもうひとつのPCへ移すことが可能です。年間サポートには、初期のトレーニング、email/電話サポートなど一年を通じて提供されます。当社ではそれぞれの状況に適切なアドオンモジュールも提案可能です。 HPEMに加えて、: SE－スタンダードエディション Ar, O2, NF2, NE－ネットワークエディション Cl2, N2, Ar/Al, 単独ワークステーションライセンスはワークステーションひとつで、複数人が利用可能。 Ar/Cu, Ar/Hg, Ar/C4F8/O2/CO, He/N2, C2F6 研究グループライセンスはひとつのグループ内のワークステーション五つにインストール可能で、五人の使用者に限られます。その他は、リクエストに対応可能ですのデータセットが無料で提供されます。追加モジュール価格表施設ライセンスは施設内の使用に限り、人数やワークステーション数は無制限。広範囲な電子衝突断面積のデータベース（HPEM）が含まれます。動作環境 Use Case Linux x86, 64 bit OS, メモリ 4GB 以上, 10GB以上の空き容量。 FAQ 単独ワークステーションのSEライセンスは、ひとつのワークステーションで複数のコアを使うことが可能です。単独ワークステーションのNEライセンスではジョブをネットワークに発信することが可能です。ただし、ユーザーはひとつのワークステーションを共有。学術研究用ライセンスライセンス期間 1年 3年永久的単独ワークステーション £200 £400 £600 研究グループ £250 £500 £750 施設 £300 £600 £900 £1,000 該当なし £3,000 £1,500 該当なし £4500 単独ワークステーショ商業研究用ン施設 6 Validation Example 1 Argon ICP. Pressure: 10 mT; applied frequency 6.78 MHz; coil antenna. Left: electron density and temperature distributions at 100 W. Right: electron energy distribution functions at 50 W (top) and 200 W (bottom) Published: A. V. Vasenkov and M. J. Kushner, “Electron energy distributions and anomalous skin depth effects in high-plasmadensity inductively coupled discharges”, Phys. Rev. E 66, 066411 (2002) Example 2 Argon in a dc biased boundary electrode (BE) ICP chamber (8.5 cm x 28 cm). Left: Ar+ ion density at pressures: 7 mT, 14 mT, 28 mT, and 50 mT. Right: Plasma potential on axis at a fixed location in the chamber. Published: M. D. Logue, H Shin, W Zhu, L Xu, V M Donnelly, D J Economou, M J Kushner, “Ion energy distributions in inductively coupled plasmas having a biased boundary electrode”, Plas. Sourc. Sci. Tech., 21 (2012) 065009 7 7 Example 3 Etching of amorphous carbon (a-C) by PECVD with an N2/H2 gas mixture in a CCP tool (LAM 2300 Exelan Flex). Left: etch rate as a function of power (250 W to 1000W. Right: Example 4 Synchronous pulsed plasma ICP (2 solenoid RF coils) powered at 13.56 MHz (silicon Etch AdvantEdge G5 reactor from Applied Materials, Inc.) Top: Ar, 20mT Source Pulsing 5 kHz (50% & 70% duty cycles), Bottom: Ar, 5mT, Sync pulsing 50% dc Published: S. Banna et. al, “Inductively Coupled Pulsed Plasmas in the Presence of Synchronous Pulsed Substrate Bias for Robust, Reliable, and Fine Conductor Etchying”, IEEE Trans Plas. Sci 37 (2009) 9 Published: K Van Laer, S Tinck, V Samara, J F de Marneffe, A Bogaerts, “Etching of low-k materials for microelectronics applications by means of N2/H2 plasma: modelling and experimental investigation”, Plas. Source. Sci. Tech. 22 (2013) 025011 8 Example 5 Silicon Etch via Cl2/O2/Ar in a TCP reactor (LAM Research 2300 Versys Kiyo) In this study: pressure 20-80 mTorr; ICP power 5001200W @13.56 MHz; dc bias -100 to -500 V. S. Tinck, W Boullart and A Bogaerts, “Investigation of etching and deposition processes of Cl2/O2/Ar inductively coupled plasmas on silicon by mesn of plasma-surface simulations and experiments”, J. Phys. D: Appl. Phys. 42 (2009) 095204 当社では、知的財産の保護の重要性を理解しており、守秘義務を順守致します。 Quantemolのお問い合わせ先 Tel: +44 207 679 34 76 Email: info@quantemol.com Address: Quantemol Ltd 8A Lancaster Drive, London, NW3 4HA