平成１9 年 11 月吉日朝日（光・電子材料）研だより第３１号大阪大学産業科学研究所量子機能科学部門光・電子材料研究分野研究室の移転、ポストシリコンアライアンスについて教授・朝日一研究室のナノテクノロジー棟への移転前回の「研究室だより３０号」で報告しましたように、第１研究棟西側の改修工事のために、朝日研は７月末にナノテクノロジー総合研究棟(一番北側の建物) および第２研究棟に移転しました。研究棟の配置図を添付します。改修完了後も第１研究棟には戻りません。教員スタッフの部屋は３階（朝日、渡邊：ナノテク棟３１３号室、長谷川、江村：第２棟３０８号室、周、研究員：ナノテク棟３１５号室）、学生の部屋はナノテク棟１階（１０９号室）です。実験室としては、ナノテク棟１０４号室、１０７− １号室、１０７− ２号室、３１０号室です。MBE 装置２台、化学処理関係は１０４号室に統合配置しました。学生達の全面的な協力もあり、移転は比較的順調に行なうことが出来ました。ナノテク棟、第２研究棟は新しい建物ですので、内部は奇麗であり、研究・居住環境は改善されました。ただし、電子プロセス実験室、材料解析センター、事務管理棟から遠くなったこと、また、セミナー室のいくつか、講義室、講堂が研究室に一時転用となったことは、何かと不便になりました。いずれにしても、気分を新らたに研究、教育に取り組める状況になったと感じています。移転費用の問題は、幸いにも関係各位の尽力により何とか解決できる見通しとなりました。第１研究棟の工事が始まりました。年度内には改修工事も完了し、第１研究棟（５分の２ですが）も見違える姿に変身するものと思います。ポストシリコンアライアンス本年４月より、大阪大学産業科学研究所、東北大学多元物質科学研究所、北海道大学電子科学研究所、東京工業大学資源化学研究所の４研究所で「附置研究所間連携事業：ポストシリコン物質・デバイス創製基盤技術アライアンス（ポストシリコンアライアンス）」が正式発足しました。これは、文科省から特別教育研究経費（運営交付金）により財政的に認められたものです。アライアンスを組むことにより、新物質創製、加工、計測・評価、デバイス創製と一貫した研究を進めることができ、研究の格段の進展が期待できると考えています。各研究所が得意の分野で相互に連携を組み，相補的・協力的な附置研究所間連携によるネットワーク型研究による戦略的基盤技術開発研究の推進を図るものです。人材のシェアリング、人材育成のシェアリング、場所のシェアリング、装置のシェアリングによる連携研究を行ない、研究の効率化と特段の推進を図るところに特徴があります。3 つの研究グループ（分子ナノエレクトロニクス研究グループ、新機能ナノエレクトロニクス研究グループ、ナノ分子メカニクス・バイオメカニクス研究グループ）を各研究所に編成し、新物質創製、加工、計測・評価、デバイス創製と縦の繋がりを特徴とした連携研究を進めています。ポストシリコンアライアンスは、４研究所からなる運営委員会により運営されていますが、私はそこの責任者を務めています。国立大学法人化後は、このような大学を越えた取り組みが重要になってくるものと思われます。詳しくは、ホームページ（ http://www.sanken.osaka-u.ac.jp/Projects/Post-SiliconAliance/ ）をご覧下さい。 -1- （移設先）ナノテクノロジー総合研究棟第２研究棟 ①第１研究棟　②第２研究棟　③ナノテクノロジー総合研究棟　④材料解析センター　⑤管理棟 ⑥工場棟　⑦加速器量子ビーム実験室　⑧ライナック棟　⑨電子プロセス実験実　⑩楠本会館　⑪ゴミ一時保管等その他施設ナノテク棟 313 号室（朝日教授室）第２研究棟 308 号室（長谷川准教授室）ナノテク棟 109 号室（学生室）ナノテク棟 104 号室（MBE 成長室） -2- 海外開催３国際会議報告助教周逸凱本年度は、私にとって海外開催国際会議への参加回数が多い年でした。会議開催日がちょうど研究室の移転前と後になったこともあって、フルに参加できなかったことに残念でしたが、それなりに新しい情報を手に入ることができました。下のように、6 月から 9 月にかけて 3 つのスピントロニクスに関連する国際会議に参加しました。 ChinaNANO2007 6 月 3-5 日中国・北京ポスター発表 Spintech IV 6 月 19 日-22 日ハワイ・マウイ島ポスター発表 Materialstoday ASIA 9 月 3-5 日中国・北京口頭発表 1. ChinaNANO2007 この国際会議は北京の北にある北京国際交流センターで開催され、すぐ横に「鳥の巣」という巨大な 2008 年北京オリンピックスタジアムがあります。会場自体も非常に大きく、約 1300 人の参加者を収容できるようです。会議では、初日に 5 件の基調講演があり、その後、7 つのパラレルセッションに別れて、招待講演を含む 392 件の口頭発表、1017 件のポスター発表が行われました。ChinaNANO といっても、半数に近い登録者は中国以外の国から来ていて、非常に大きな国際会議でした。会議はナノ材料と構造、自己形成と表面、ナノオプティクスとナノフォトニクス、ナノエレクトロニクスと NEMS、ナノバイオとナノメディシン、計算とモデリング、ナノ計測 7 つの領域からなり、主に、ナノ材料の作製、特性、評価及び応用という面から展開し、ディスカッションされました。スピントロニクスに関連する発表では、ユニークな形をした磁性体のナノワイヤ、ナノ粒子が紹介され、特にその作製方法はわれわれの MBE 法と違い、大変面白く感じました。 2. Spintech IV Spintech IV は自然がとても美しいハワイのマウイ島で開催されました。この学会は 2 年一度開催され、スピントロニクスの最新情報が満載する国際会議です。いつものように Spintech の前にスピントロニクスをわかりやすく説明するスクールがあって、学会とあわせて一週間あります。丁度研究室の移転準備もあって、学会の参加は最短日程にしました。学会はアメリカでの開催でしたので、アメリカからの参加者が多く、もちろんアメリカのスピントロニクスに関する研究情報が多く聞くことができました。会議では 11 件の招待講演、17 件の口頭発表と 112 件のポスター発表がありました。全体は相変わらず GaAs ベースの希薄磁性半導体に関連する発表が多く、まだまだその中に潜んでいるユニークな物理現象を研究する価値があると感じて来ました。特に 1 件目の招待講演―東北大の大野教授の「強磁性半導体構造中のスピンカレント誘起ダイナミックス」という発表では、(Ga,Mn)As の電流誘起磁壁移動のメカニズムなどの説明に大変感心しました。また、アメリカの Cornell 大学の Sankey 教授の「Manipulating Nanomagnets Using Spin-Transfer Torques」という題目の講演では、ナノスケールにおける磁性デバイスを作製し、その特性を示し、ナノスピントロニクスにはまだ予想できない新しい物理があると提唱し、ナノスピントロニクスの重要性を訴えていました。 3. Materials today ASIA この国際学会は北海道で開催された応用物理学会の会議期間と少し重なるために、最後まで参加できずに北京から北海道へ急ぎました。この会議は ELSEVIER 主催の会議で、メインの国は -3- 中国、日本、韓国、インドであり、更に多数のアジアからの参加者がありました。基調講演の後、 3 のパラレルセッション（ナノ構造作製、PRAM、材料とバイオ分子のインタフェース）に分けて行われました。会議は 3 件の基調講演、40 件の招待講演、78 件の口頭講演、170 件個のポスターによって構成されていました。ChinaNANO と比べ、会場は大変落ち着いた雰囲気でした。以上の 3 つの会議に参加して材料という立場から見て感じたことは、やはりナノスケールにおけるナノ構造の制御、ナノ評価、更にナノデバイスの作製については無限の世界が広がっていくような印象を受けました。 ICNS に参加して D3 木村重哉 ICNS(International Conference of Nitride Semiconductor)は、２年に一度開催される窒化物半導体の国際学会である。主に GaN, InN, AlN とその混晶の研究に関係した世界各国の研究者が一同に会し、オーラル発表、ポスター発表にて議論を行う。私が今回参加した ICNS-7 はその 7 回目であり、米国・ラスベガスの MGM グランドホテルにて開催された。当会議には 717 件のアブストラクト(うち invited が 26 件、regular abstruct が 691 件)が提出され、期間中には 26 のオーラルプレゼンテーションのセッションと 4 度のポスタープレゼンテーションのセッションが行われた。各セッションのテーマは、MOCVD や MBE による結晶成長や材料物性に関するものから LED や FET などのデバイス応用に関するものに至るまで多岐に渡っていた。私の印象では、例えば光学素子のセッションでは、364nm よりも短波長側などの“未踏領域”と呼ばれる波長領域での発光の量子効率の改善に関する発表が多く見られ、InN のセッションでは、さらなる結晶性の追究と、p 型のものが作製できたか否かを問う議論が多くなされていたように感じられた。私は、9/19(水)の Material Integration のポスターセッションにて、”Growth and Characterization of InCrN and (In,Ga,Cr)N diluted magnetic semiconductor”というタイトルで発表を行った。具体的には室温で強磁性を確認した報告例があるにも関わらず研究例の少ない InCrN と、これをベースとした新しい混晶半導体(In,Ga,Cr)N の作製を MBE 法で行い、これらに対する XRD による構造評価と XAFS による局所構造解析の結果を発表し、十数人程度の学会参加者とディスカッションを行った。自身の発表や休憩時間などで、当分野を専門とする研究者の方々との英語でのディスカッションを通じて、自身の研究のアピールができたとともに、今後の研究の指針に大きな影響を与えるようなご質問やご指摘を頂いたこと、さらに国際言語である英語でのディスカッションを積極的に行ったことによるコミュニケーション能力の開発などが出来たことが、今回の成果であると考えている。また、直接的な専門分野はもちろん、多くの専門分野外の研究発表も聴くことができ、窒化物半導体の産業界での位置づけや世界的な研究の動向を知ることができた。今回は、当研究室からは単独での参加であったため、それだけに学会では海外を含む他の研究機関からの研究者とのコミュニケーションの機会をより多くとることができ、渡航や現地滞在なども単独でできたことから、今回の国際学会への参加が、私が今後とも国際的に研究活動を進めてゆく上で大きな糧となったと思っている。このような機会を与えて頂きました、朝日先生、長谷川先生、江村先生、周先生以下、研究室の皆様に感謝致します。 -4- EMS に参加して M2 廣村友紀小笹茂生７月４日(水)から７月６日(金)にかけて、滋賀県守山市のラフォーレ琵琶湖において開催された、第 26 回電子材料シンポジウム(EMS-26)に廣村・小笹が参加してきました。今回の参加者数は２56 人で、９件の招待講演と１４０件の発表がありました。このシンポジウムは毎年１回、３日間ホテルに泊り込みで行われています。今回のシンポジウムは、青柳先生のカーボンナノチューブデバイスのご講演からはじまり、窒化物、Ⅲ-Ⅴ族、スピントロニクス、 ZnO、Si プロセス、デバイスなど、数多くの分野で議論がなされました。なかでも、電子デバイス応用における材料比較についてのランプセッションではお酒を飲みながら非常に熱い議論が交わされました。研究所・大学・企業の方々が、GaN、SiC、ダイヤモンドなどの、これからのパワーデバイス材料に関する展望や裏話などとても興味深い話をされ、且つ笑いあり怒号あり愚痴あり乱入ありと、とても充実したセッションでした。このシンポジウムに参加し、発表を通して意見交換でき、多くの知識を得られ、さらに知り合いもでき、とても有意義な 3 日間でした。次回は伊豆の修善寺で開催とのことで、非常に羨ましい限りです。新歓ハイキング M2 早川智子５月２０日に新入生歓迎会を兼ねたハイキングを行いました。今回は大学から近い、箕面の滝・勝尾寺をまわりました。幸い天候にも恵まれました。箕面の滝までは歩きやすい歩道が整備されているため、比較的楽に歩くことができました。滝の水量も多く、見ごたえがありました。箕面の滝から勝尾寺までは、車道を歩きました。勝尾寺は庭などが整備されてきて、とてもきれいになっています。ただ、少し「お寺」という雰囲気がなくなってきているような気がして、複雑でした。勝尾寺からはそのまま古参道を南に下り、１７１号線まで歩きました。これは、ハイキング用の山道で、途中、彩都や最近開通したモノレール彩都線などが見渡せ、とてもいい眺めでした。その後は、千里中央で飲み会を行いました。新入生のみんなにも楽しんでもらえたと思います。研究室夏旅行 M1 亀岡恒志今年も９月 14 日から 15 日かけて恒例の夏旅行に行ってきました。行き先は京都府の嵐山および保津峡です。１日目は JR 京都駅に集合から始まりましたが、ここで遅刻者が多く発生しタイムスケジュールの修正を余儀なくされました。少し予定から遅れ最初のイベントである保津川下りをするため JR 亀岡駅へと電車で向かい、お昼前には川下りを開始することができました。その日の天候は予報では曇り時々雨と不安がありましたが、実際には少し曇っているだけで雨も降らず残暑の日々にはちょうどよい気候でした。川の水量も穏やかで水流も程よく途中保津川下り特有の急流川下りもはさみながら一行は無事嵐山へ到着しました。到着してからは各自嵐山で食事をすませ同じく嵐山にある民宿へ移動しました。少し民宿で休憩をとった後、近くにある時雨殿に行きました。時雨殿とは現在は任天堂の相談役をされている方の個人の寄付で建てられたエンターテイメント施設で、中ではニンテンドーDS を用いた独自のゲームなどがあり大変面白かったです。夕食は民宿で出していただきました。併せて宴会も行われました。宴会は夜遅くまで -5- 行われ民宿の方々にご迷惑をかける場面もありましたが恙無く夜を終えました。２日目は午前中に天龍寺を参拝しました。午後はハイキングを行いました。コースは JR 亀岡駅から JR 保津峡駅へと行く明智越という山道です。行程は約１０ｋｍ、所要時間約３時間でした。ハイキングは最初の行程は急な登り道が続き極めてハードはもので、最後の行程においては雨が降り出し大変なものでした。コースは林の中で特に景色もなくハイキングは全体的として波乱なものであったと私自身感じております。このようにして特にけが人も出ず無事 JR 保津峡へ到着し、解散の運びとなりました。最後になりますが、この度の旅行におきましては研究室の方々にご協力をいただきありがとうございました、この場をお借りして改めて御礼申し上げます。研究発表（2007.4-2007.9）学術論文 1) M. Terayama, S. Hasegawa, K. Uchida, M. Ishimaru, Y. Hirotsu and H. Asahi “Formation process of sharp-pointed structures on GaN nanorods during RF-MBE growth and their field emission characteristics” Phys. Stat. Sol. (c) 4(7) (2007) 2371-2374. 2) D. Krishnamurthy, A. Fujiwara, S. Hasegawa and H. Asahi “Quinary TlGaInNAs DQW Structures: Effect of Growth Temperature and Growth Rate on Tl Incorporation” Proc. 19th Int. Conf. on InP and Related Materials (Matsue, Japan, 2007) pp.327-330. 3) S. Kobayashi, S. Shanthi, S. Kimura, Y.K. Zhou, S. Emura, S. Hasegawa and H. Asahi “Molecular-beam epitaxy growth and characterization of ferromagnetic cubic GaCrN on GaAs substrate” J. Cryst. Growth 308 (1) (2007) 58-62. 4）江村修一、荒田吉明、荒地良典、布垣昌伸、大村彰, “重水素を吸蔵させた Pd ナノコンポジット材料 Pd/ZrO2 系における Pd ナノクラスター原子配列解析 (Atomic Structure Analysis of Pd Nano-Cluster in Nano-Composite Pd/ZrO2 Absorbing)” 高温学会誌 33 (No.3) (2007) 142 – 156. (５月号) 5) S. Emura, M. Nunogaki and Y. Nakata -6- “Surface modification of a metal into a thick ceramic layer and a model for analyzing the increased hardness” J. Ceramic Processing Research 8 (No.3) (2007) 191 – 194. 国際会議発表 1) D. Krishnamurthy, A. Fujiwara, M. Ozasa, K. Araki, S. Hasegawa and H. Asahi “Quinary TlGaInNAs DQW Structures: Effect of Growth Temperature and Growth Rate on Tl Incorporation” 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2007), Matsue, Shimane, Japan, May 14-18, 2007, #PB32. 2) H. Asahi, Y.K. Zhou, S. Emura and S. Hasegawa (INVITED) “MBE Growth and Characterization of Rare-Earth Doped Nitride Semiconductors for Spintronics” E-MRS2007, Strasbourg, France, May 28- June 1, 2007. Symposium C: Rare Earth ion doping for photonics: materials, mechanism and devices. 3) Y.K. Zhou, S.W. Choi, S. Kimura, S. Emura, S. Hasegawa and H. Asahi “High Gd concentration GaGdN grown at low temperature” SpinTech-IV, Hawaii, USA, June 20-22, 2007, Poster 19 ( presentation on June 20). 4) Y.K. Zhou, S.W. Choi, S. Kimura, S. Emura, S. Hasegawa and H. Asahi “Enhancement of magnetic moment in GaGdN/GaN superlattice structure” ChinaNANO 2007, Beijing, China, June 4-6, 2007, #P103 (poster) 5) Y.K. Zhou, S.W. Choi, S. Kimura, S. Emura, S. Hasegawa and H. Asahi “Enhancement of magnetic moment in GaGdN/GaN superlattice structure” Material Today Asia, Loong Palace Hotel, Beijing, China, September 3-5, 2007. 6) S. Kimura, S. Emura, Y. Hiromura, Y.K. Zhou, S. Hasegawa and H. Asahi “Growth and characterization of InCrN and (In,Ga,Cr)N diluted magnetic semiconductors” 7th International Conference on Nitride Semiconductors, Las Vegas, Nevada, USA, September 16-21, 2007. 研究会、シンポジウム 1) M. Ozasa, A. Fujiwara, K. Araki, D. Krishnamurthy, S. Hasegawa and H. Asahi “Growth of TlGaInNAs/TlInP on InP substrate” 26th Electronic Materials Symposium, Biwako, Shiga, July 4-6, 2007, #A7. 2) Y. Hiromura, Y. Yamauchi, S. Kimura, S. Hasegawa and H. Asahi “Growth of GaCrN/AlN multiple quantum well structure by RF-MBE” 26th Electronic Materials Symposium, Biwako, Shiga, July 4-6, 2007, #L10. 3) 徐鍾旭、長谷川繁彦、朝日一 “パターニングした SOI 基板上の GaN ナノロッド成長とその評価” 電子情報通信学会電子デバイス(ED)研究会「電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術」、大阪大学、2007 年 8 月 2 日〜3 日学会発表等１）徐鍾旭、長谷川繁彦、朝日一 “MBE 法による n-Si(001)基板上の GaN ナノロッド成長とその評価” -7- 第 68 回応用物理学会学術講演会予稿集（2007.9.4-8, 北海道工業大学）4p-S-5 ２）早川智子，本多裕也，木村重哉，長谷川繁彦，朝日一 “窒化ガリウム上の鉄ドット形成とその評価” 第 68 回応用物理学会学術講演会予稿集（2007.9.4-8, 北海道工業大学）5a-ZC-11 ３）木村重哉, 江村修一, 徳田克彦, 周逸凱, 長谷川繁彦, 朝日一 “四元混晶(In,Ga,Cr)N の結晶成長とその物性” 第 68 回応用物理学会学術講演会予稿集（2007.9.4-8, 北海道工業大学）6p-ZS-10 ４）周逸凱、木村重哉、廣村友紀、江村修一、長谷川繁彦、朝日一 “低温成長アンドープ GaGdN 及び Si ドープ GaGdN の諸特性” 第 68 回応用物理学会学術講演会予稿集（2007.9.4-8, 北海道工業大学）7a-S-1 ５）D.Krishnamurthy、小笹茂生、田中裕輔、長谷川繁彦、朝日一 “TlGaInNAs/GaAs 量子井戸構造のその場アニーリング効果” 第 68 回応用物理学会学術講演会予稿集（2007.9.4-8, 北海道工業大学）7p-E-3 ６）小笹茂生，田中裕輔，D.Krishnamurthy，長谷川繁彦，朝日一 “InP 基板上への TlInGaNAs/TlInP の成長 (2)” 第 68 回応用物理学会学術講演会予稿集（2007.9.4-8, 北海道工業大学）7p-E-4 ７）荒木啓輔、長谷川繁彦、朝日一 “Si(100)基板上の 1 μm 四方局所領域への InP 選択成長” 第 68 回応用物理学会学術講演会予稿集（2007.9.4-8, 北海道工業大学）7p-E-15 その他（１）解説紹介等： 1) 長谷川繁彦、周逸凱、朝日一“半導体ナノスピントロニクス材料創製”, 未来材料 7 (4) (2007) 34-39. 2) 朝日一、““関西支部１５周年を迎えて”、日本表面科学会関西支部１５周年記念誌、2007 年 5 月 28 日、pp.1-2. 3) 朝日一、“関西支部１５周年を迎えて”、表面科学 28(7) (2007)347. （２）学内講演会報告等: 1）長谷川繁彦，朝日一，江村修一，周逸凱，“半導体ナノスピントロニクス物質・デバイス創製に向けて”，ポストシリコン物質・デバイス創製基盤技術アライアンス発足記念シンポジウム（2007.6.6，学士会館本館）G2-1．新人紹介（Siti Nooraya）研究生 Siti Nooraya（シティノーラヤ）さんはマレーシアより来られました。 2007 年 10 月より研究生として朝日研究室に所属しています。 -8- 結婚、誕生おめでとう平成 19 年 8 月 2 日佐藤（旧姓黒岩）玲子さん第 2 子杏樹（あんじゅ）ちゃん誕生平成 19 年 11 月 17 日向井俊和さんご結婚研究室メンバーによる現況ひとこと朝日一（教授）（研究室のナノテク棟への移転が完了し、研究の遅れを取り戻さなければと思っています。学術創成研究が今年度から始まりました。また、４月からは「ポストシリコン物質・デバイス創製基盤技術アライアンス」が、産研、東北大多元研、北大電子研、東工大資源研の４研究所で正式スタートしました。 http://www.sanken.osaka-u.ac.jp/Projects/Post-SiliconAliance/）長谷川繁彦（准教授） (産研内での引越しも終わり、漸く実験装置も立ち上がりつつあります。猛暑と引越で体重も落とせるかな？と思っていましたが、余り変化なし。今後、１階（実験室）と３階（居室）の往復で戦います。) 江村修一（助教）（この夏の暑さにバテ、秋の涼しさがまことに快適。）周逸凱（助教）（一年一年は早い。もうすぐ今年も終わろうとしている。より大きな成果を出せるように、来年の計画をそろそろ考えなければならない。） Shanthi Subashchandran （ポスドク研究員） (Try to analyze the influence of growth parameters and annealing conditions on the photoluminescence and field emission properties of GaN nanorods) Daivasigamani Krishunamurthy （研究支援推進員） (Looking forward to the XAFS measurements at Spring-8 to understand the local configuration around Tl in (TlGaIn)(NAs). Hoping to improve the optical properties to fabricate better characteristic devices out of TlGaInNAs/TlGaNAs/GaAs) 渡邉明子（秘書） (人は環境次第で変われるところもあると日々思います。どんな事でも経験は自分の身につくと知り今は何でもしてみたい気分です。) 木村重哉（D3） (５年間は長かったような、短かったような…。朝日先生をはじめスタッフの先生方、一緒に研究生活を過ごした研究室の先輩方･同輩･後輩の皆様に感謝致します。) 徐鍾旭（D2） (引越しも主な発表も終わって、暇な時期になっていますが、ドクター課程の一番重要な課程である D2 になって、今から頑張らなければいけない感じがとても高いです。足りない知識やデータの補充に集中したいと思います。) 荒木啓輔（M2） (卒業がとても楽しみです。) 小笹茂生（M2） (地球温暖化について真剣に考えてみようと思います。) -9- 丹保浩行（M2） (装置が無事に立ち上がり一安心しています。実験しなければ…。）早川智子（M2） (あっという間の２年間でした。来年から社会人になることが楽しみです。) 廣村友紀（M2） (規則正しい生活を心がけたいと思います。) 亀岡恒志（M1） (ここ数年、秋がないように思われます。) 高橋政寛（M1） (最近時間が過ぎるのをやたら早く感じます。) 田中裕輔（M1） (このあいだガス検知器を鳴らしてしまいました。安全第一。) 徳田克彦（M1） (研究に、就職活動に忙しい毎日ですが、何気に充実しています!!) 本多裕也（M1） (寒くなってバイクで通学するのが辛くなってきました。) 劉金強（研究生） (一番目の入学試験は失敗しましたが、今回は絶対にパスします。) Siti Nooraya （研究生） (Studying abroad especially in Japan provides me a great opportunity to gain international research experience while living in a foreign country with different cultures. Great surroundings, research infrastructures, helpful friends as well as supervisor will certainly contribute upon accomplishing my study here in Osaka University. Thus, without doubt these will inspire me to strive for the best for a great future.) 外国出張（2007.4-2007.9）１）朝日一、２００７年５月２９日− ６月２日フランス（ストラスブール）E-MRS 2007、招待講演２）周逸凱、２００７年６月 3 日— 5 日北京（中国）ChinaNANO 2007、論文発表３）周逸凱、２００７年６月１９日— ２４日米国（ハワイ）SpinTech-IV、論文発表４）周逸凱、２００７年９月３日— ５日北京（中国）Material Today Asia、論文発表５）木村重哉、２００７年９月１６日— ２２日米国（ラスベガス）第７回窒化物半導体国際会議(ICNS-7)、論文発表 - 10 - 来訪者記録（2007.4-2007.9）（１）２００７年５月１日 OB 藤原淳志氏（浜松ホトニクス）（２）２００７年５月１日鳥取大学電気電子工学科４年生（３）２００７年５月２日 OB 日坂隆行氏（三菱電機）、園田琢ニ氏（Wave Technology）（４）２００７年５月２３日阪大理物４年生（５）２００７年５月２５日 EMC・水田正志氏（６）２００７年６月４日日刊工業新聞・水田武詞氏（７）２００７年７月１１日ＵＣＬＡ学生１名（８）２００７年７月１８日兵庫県立大学理物４年生（９）２００７年７月１９日大阪大学理学部物理学科４年２名（１０）２００７年８月１０日読売新聞・米田育広氏（１１）２００７年７月１１日米国ＵＣＬＡ４年生１名（１２）２００７年７月１８日兵庫県立大学理物４年生（１３）２００７年７月１９日大阪大学理学部物理学科４年生２名（１４）２００７年８月１０日読売新聞・米田育広氏（１５）２００７年８月２０日韓国・漢陽大学修士２年生（１６）２００７年９月１日 OB 今田明範氏(日本電子)、OB 大角祐介氏(ニフティ)、OB 田中浩之氏(松下電器) （１７）２００７年９月２１日京都大学理学部物理学科４回生（１８）２００７年９月２８日鳥取大学工学部電気電子学科４年（１９）２００７年９月２８日大阪大学理学部物理学科４年２名 - 11 - 編集後記知らず知らずのうちに初めて聞いた言葉や話に対して、勝手に意味を付けてしまう癖がついているような気がします。本来の語源なり背景をきちんと見知らず“まぁ、こんな感じという事だろうなぁ。”と頭に入れるのが早くなりました。これを刷り込みというのかはよく分かりませんが、これではダメだな、本当にそうか？調べてみよう、見てみようという思いが強くなりました。いろいろと見識をひろげたいです。また、郵送先を変更される方は（watanabe@sanken.osaka-u.ac.jp）までご連絡ください。（渡邉明子）光・電子材料研だより発行：大阪大学産業科学研究所光・電子材料研究分野朝日一〒567-0047 大阪府茨木市美穂ヶ丘 06-6879-8405（教授室） 06-6879-8409（FAX） - 12 - 8-1